Geri Dön

The Steady-state and transient admittance techniques in the investigation of plasma reposited q-SINx:H thin films

Plazmayla biriktirilen a-SINx:H filmlerin çözümlenmesinde kararlı ve zaman bağımlı admittans teknikleri

  1. Tez No: 75879
  2. Yazar: ORHAN ÖZDEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ince filmler, a-SiNx:H, PECVD, karakterizasyon, MİS, Admittans, tünelleme, istatiksel yöntem, DLTS, ısıl uyarılma yöntemi. iv, thin films, a-SiNx:H, preparation by PECVD, characterization, MIS, admittance, tunneling, statistical model, DLTS, Temperature scan mode. m
  7. Yıl: 1998
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

oz PLAZMAYLA BİRİKTİRİLEN a-SiNx:H İNCE FİLMLERİN ÇÖZÜMLENMESİNDE KARARLI VE ZAMAN BAĞIMLI ADMITTANCE TEKNİKLERİ Özdemir, Orhan Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu Ortak Tez Yöneticisi: Doç.Dr. Serhat Özder Ağustos 1998, 78 sayfa PECVD tekniği ile hazırlanan a-SiNx:H ince filmlerinin optik ve elektrik özellikleri incelendi. Özellikle, Metal Yalıtkan Yarıiletken (MIS) yapıda çoğunluk yığılma düzeninde frekans bağımlılığını belirten eşitlikler gözden geçirildi. Çoğunluktan arınmış düzende de yenilenen tünelleme methodu geniş çapta kabul görmüş istatiksel metodla karşılaştırıldı ve sonunda tünellemeye dayalı yaklaşımların genel özellikleri tartışıldı. Arayüzey tuzaklarının enerji dağılımını çıkarmak için DLTS metodunun sıcaklık tarama türü kullanıldı. Üstelik bu yöntemle, c-Si/a-SiNx:H ara yüzeyindeki tuzakların ısıl uyarılma enerjisi ve etkin kesiti hesaplandı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE STEADY-STATE AND TRANSIENT ADMITTANCE TECHNIQUES IN THE INVESTIGATION OF PLASMA DEPOSITED a-SiNx:H THIN FILMS Özdemir, Orhan M.Sc, Physics Department Supervisor: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlıı Co-Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Serhat Özder August 1998, 78 pages a-SiNx:H thin films, prepared by PECVD techniques, were optically and electrically characterized. Mainly, the frequency dependent trap admittance derived for Metal Insulator Semiconductor(MIS) stnicture at the accumulation gate voltage regime was revised. Extension of tunneling model at the depletion bias regime was used in comparison with the widely accepted statistical model and finally general features of tunneling based approaches has been discussed. Deep Level Transient spectroscopy (DLTS) was performed in the temperature scan mode to analyze the energy profile of a the interface trap. In addition to this method, DLTS was used to measure the activation energy and hole capture cross sections for each trap at the c-Si/a-SiNx:H interface.

Benzer Tezler

  1. Computation of core losses in three phase smooth rotor induction motors using finite element method

    Düzgün yüzeyli (Oluksuz) rotora sahip üç fazlı asenkron motorlarda sonlu elemanlar yöntemi kullanılarak çekirdek kayıplarının hesabı

    MURAT PİRGAİP

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. H. BÜLENT ERTAN

  2. Object oriented graphical editor based power system analysis package implementation

    Güç sistemleri analizleri için nesneye yönelik modelleme ile grafiksel editor tabanlı uygulama geliştirilmesi

    OĞUZ ONAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİH GÜVEN

  3. Çok makineli güç sisteminde açısal kararlılık analizi ve kontrolör parametre optimizasyonu

    Angular stability analysis and controller parameter optimization in multi-machine power system

    SERDAR EKİNCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞEN DEMİRÖREN

  4. Enerji iletim sistemlerinde açma-kapama olaylarının analizleri için hat parametrelerinin EMTP yardımıyla hesabı

    Calculation of line parameters for the analyses of power system switching transient using EMTP

    KORAY ŞERBETÇİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. ADNAN KAYPMAZ