Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi
The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties
- Tez No: 76977
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Eğitim ve Öğretim, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Education and Training, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
ÖZET Arhenius eğrileri kullanılarak süperlatislerin ve filmlerin aktivasyon enerjileri hesaplandı. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin aktivasyon enerjileri sırasıyla düşük sıcaklıklarda 0.18 ve 0.27 eV ve oda sıcaklığında da 0.43 ve 0.53 eV olarak bulundu. 1-3 um GaAs/Si(001) farklı yapıların aktivasyon enerjileri düşük sıcaklıklarda 0.33 ve 0.39 eV ve oda sıcaklığında da 0.41 ve 0.50 eV olarak bulundu. Elektriksel iletkenlik ölçümleri iki probe metodu kullanılarak alındı. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin iletkenlik değerlerinin 1.9xl0“7 ve 2.07xl0”5 (n-cm)“1 ve 1-3 um GaAs/Si(001) filmlerin iletkenlikleri de 5.57xl0”7 ve 3.56xl0“7 (D-cm)”1 bulundu. 1-3 um GaAs/Si(001) ince filmlerin ve AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin mikroyapıları TEM ile incelendi. Bu çalışmaya kesit-alan TEM numuneleri konu edildi. 1-3 um GaAs/Si(001) filmlerin arayüzeyine uyumsuzluk ve tırmanıcı dislokasyonların eşlik ettikleri görüldü. 1-3 um GaAs/Si(001) kesit-alan numunelerinde 1/2{ 1 1 1 } kayma sistemine sahip 60° tipi uyumsuzluk dislokasyonları gözlendi. Bir düzgün ve bir pürüzsüz arayüzey gözlendi. Difraksiyon kontrast denemeleri GaAs tabakalarında zorlanma kaldığını gösterdi. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerde düzgün ve kusursuz arayüzeyler de TEM ile gözlendi. Katkı zararlarını detekte etmek için süperlatislere TEM görüntü teknikleri uygulandı ve sonuç olarak hasarsız arayüzeyler gözlendi.
Özet (Çeviri)
II SUMMARY The activation energies of the films and superlattices were calculated by using Arhenius curves. It was found that the activation energies are 0.18 and 0.27 eV for Si and Zn implanted AlGaAs/GaAs(001) superlattices at low temperatures and 0.43 and 0.53 eV at room temperature respectively. The activation energies of 1-3 urn GaAs/Si(001) heterostructures were found to be 0.33 and 0.39 eV at low temperatures and 0.41 and 0.50 eV at room temperature. The electrical conductivity measurements were taken by using two-probe method. It was obtained that the conductivity values are 1.9xl0“7 and 2.07xl0”5 (Q-cm)“1 for Si and Zn implanted AlGaAs/GaAs(001) superlattices and 5.57xl0'7 and 3.56xl0”7 (D-cm)"' for 1-3 urn GaAsSi(OOl) films respectively. The microstructure of 1-3 um GaAs/Si(001) thin films and AlGaAs/GaAs(001) superlattices were examined by TEM. Cross-sectional TEM specimens were subjected to this study. It was seen that the interface of 1-3 um GaAs/Si(001) films associate with misfit and threading dislokations. 60°-type misfit dislokations with a 1/2{ 1 1 1 } were observed in the cross-sectional samples of 1-3 um GaAs/Si(001). A smooth and a regular interface were observed. Difraction contrast experiments showed strain left in the GaAs epilayers. Regular and defects- free interfaces were also seen in Si and Zn implanted AlGaAs/Si(001) superlattices by TEM. TEM image techniques were applied to the superlattices to detect the implantation damages and consequently damage- free interfaces were observed.
Benzer Tezler
- A compact two stage GaN power amplifier design for sub-6GHz 5G base stations
6GHz altı 5G baz istasyonuları için kompakt iki katlı GaN güç yükselteç tasarımı
BURAK BERK TÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERKAN ŞİMŞEK
DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜSEYİN ŞERİF SAVCI
- Manyetik sensör uygulamaları için, nikel tabanlı tek ve çok katmanlı ince filmlerin yapısal, manyetik ve transport özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, magnetic and transport properties of single and multi layered nickel based thin films for magnetic sensor applications
SALİH AKBULUT
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİKRET YILDIZ
- Lateral epikondilitin tedavisinde GaAs lazer uygulamasının etkinliği
The efficiency of the GaAs laser therapy in the treatment of lateral epicondylitis
SANİYE KONUR EMANET
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2008
Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonUludağ ÜniversitesiFizik Tedavi ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. LALE ALTAN
- Characterization of lattice mismatch induced dislocations on epitaxial CdTe films
Epitaksiyel CdTe filmlerin örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan dislokasyonların karakterizasyonu
ELİF BİLGİLİSOY
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELAMET
- Characterization of molecular beam epitaxially grown CDTE layers over gaas by spectroscopic ellipsometry
Moleküler demet epitaksi ile gaas üzerine büyütülen CDTE katmanlarının spektroskopik elipsometri ile karakterizasyonu
MERVE GÜNNAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELAMET