Geri Dön

Investigation on forbidden band GAP of cuo doped with Mn and Y

Mn ve Y ile katkılanmış CuO'nun yasak bant aralığının incelenmesi

  1. Tez No: 773742
  2. Yazar: BALEN HUSSEIN AHMED ZANGANA
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT AYCİBİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 99

Özet

Bu tez çalışmasının amacı, saf, mangan ve itrium elementleri ile katkılanan CuO'nun yasak enerji bant aralığını araştırmaktır. Katkı olarak kullanılan elementlerin, CuO'nun özelliklerine etkisi hem deneysel hem de teorik methodlar kullanılarak incelenmiştir.Deneysel olarak, cam altlık üzerine katkısız ve katkılı CuO film işlemi spray piroliz tekniği ile yapılmıştır. Saf ve katkılı CuO ince filmlerin optik bant aralığı UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiştir. Alınan geçirgenlik grafikleri katkı elementlerinin CuO'nun geçirgenliğini etkilediğini ortaya koymuştur.Teorik olarak yapılan çalışma da CuO bileşiğinin direkt band geçişine sahip olduğu görülmüştür. Aynı zaman da teorik çalışmalar, deneysel olarak elde edilen bulguları destekler niteliktedir.

Özet (Çeviri)

The aim of this thesis work is to investigate the forbidden energy bandgap of CuO without and with dopant elements (Mn and Y). The effect of doped materials on the properties of CuO was examined by not only experimental method, but also theoretical method.In experimentally part, the spray pyrolysis technique was used to deposit pure and doped CuO films on glass substrate.The FE-SEM images indecates that the doped materilas causes to decreases the pacticle size. UV-Vis spectroscopy was employed to investigate optical band gap of CuO thin films for all cases. As appeared in the transmittance spectra for CuO films in the visible range, the doped elements have effectted on transparency of thin films.Theoretical methods reveals that CuO crystal for all cases has direct bandgap transition. Meanwhile, theoretical findings confirm experimental results.

Benzer Tezler

  1. Cds/cuo heteroeklem yapının elde edilmesi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Obtaining of cds/cuo heterojunction structure and investigation of physical properties

    HİLAL RÜZGAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ŞENOL AYBEK

  2. The investigation of doping effects on forbidden band GAP value of ZnO: Experimental and theoretical studies

    ZnO'nun yasak bant GAP değeri üzerindeki doping etkilerinin incelenmesi: Deneysel ve kuramsal

    MAHMOOD HAMEED MAJEED

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT AYCİBİN

  3. Yoğunluk fonksiyon teorisi kullanılarak bor nitrür nanopartiküllerinin yapısal ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the structural and electrical properties of boron nitride nanoparticles using density function theory

    ÖMER ANIL ÇAKALOT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERDAL SÖNMEZ

  4. Ultrasonik spray-pyrolysis yöntemi ile elde edilen Cd1-xSnxS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some physical properties of Cd1-xSnxS films produced by ultrasonic spray-pyrolysis method

    MEHMET PEKER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. M. SELAMİ KILIÇKAYA

  5. Döndürerek kaplama yöntemiyle farklı tavlama sıcaklıklarında üretilen ZnO yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of the some physical properties of ZnO semiconductor films produced by spin coating method at different annealing temperatures

    SENA ALTUNCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MEHMET PEKER