Si-Ge HBT bicmos teknolojisinde 6 bit 2 kanallı ayrık zamanlı ADC tasarımı
A 6-bit two-channel TI ADC in Si-Ge HBT bicmos technology
- Tez No: 777032
- Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TANGEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Bu tez çalışması 250 nm Si-Ge HBT BiCMOS teknolojisinde 6 bitlik iki kanallı ayrık zamanlı (TI) ADC'nin tasarım adımlarını sunmaktadır. ADC'nin örnekleme frekansını arttırmak için TI ADC tekniği kullanılmıştır. Bu tekniğin mantığı birbirine paralel bağlanmış kanalların sırayla çalışmasına dayanmaktadır. Her iki zaman aralıklı kanalda iki adet 6 bitlik flash ADC çekirdeği kullanılmıştır. Tasarımın dijital bölümlerinde, düşük güç tüketim değeri bu çalışmanın ana hedeflerinden biri olduğu için standart CMOS mantık kapıları tercih edilmiştir. Transistör boyutları, bu çalışmanın bir diğer ana hedefi olan mümkün olan en yüksek hız performansını elde edebilmek için özenle seçilmiştir. TI ADC'nin ana çekirdek tasarımı örnekle/tut devresi, 6-Bit Flash ADC, 2x1 dijital çoklayıcı ve bir kontrol darbe üretecinden oluşmaktadır. BiCMOS teknolojisi, CMOS ve Bipolar teknolojilerinin avantajlarını bir araya getirdiği için flash ADC'nin analog kısmında BiCMOS analog karşılaştırıcı mimarisi tercih edilmiştir. Güç tüketimi değeri, 3,3V'luk DC besleme altında 653 mW'dır. Simülasyon sonuçlarına göre 0,174/ -0,002 LSB INL ve 0,0625 / -0,113 LSB DNL değerlerini içermektedir.
Özet (Çeviri)
This thesis presents the design steps of a 6-bit two-channel time interleaved (TI) ADC in 0.25µm Si-Ge HBT BiCMOS technology. The TI ADC technique is used to increase the sampling frequency of the ADC. The logic of this technique is based on the sequential operation of channels connected in parallel to each other. Two 6-bit flash ADC cores are used in both time-interleaved channels. In the digital parts of the design, standard CMOS logic gates are preferred, since low power consumption is one of the main objectives of this study. Transistor sizes were carefully chosen to achieve the highest possible speed performance, which is another main goal of this study. The main core design of TI ADC consists of a sample/hold circuit, a 6-Bit Flash ADC, a 6-bit 2x1 digital multiplexer and a control pulse generator circuits. BiCMOS analog comparator architecture is preferred in the analog part of the flash ADC, since BiCMOS technology combines the advantages of CMOS and Bipolar technologies. The power consumption value is 653 mW under a single DC power supply voltage of 3.3V. The simulation results include 0,174/ -0,002 LSB of INL and 0,0625 / -0,113 LSB of DNL values.
Benzer Tezler
- SiGe BiCMOS ICs for X-Band 7-bit T/R module with high precision amplitude and phase control
X-Band yüksek hassasiyetli Faz/Genlik Kontrollü 7-bit Alıcı/Verici Modülü için SiGe BiCMOS tümleşik devreler
MURAT DAVULCU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Yeni tranzistor teknolojileri kullanılarak mikrodalga devre tasarımı
RF circuit design using novel transistor technologies
İBRAHİM ONUR ESAME
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYTEN KUNTMAN
- SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays
X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri
TOLGA DİNÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Hiperlan PPA design and realization
Hiperlan PPA tasarım ve gerçeklenimi
BURAK KELLECİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU