Geri Dön

CdO yarıiletken ince filmlerin sılar metoduyla üretimi ve deneysel tasarım ile optimizasyonu

Production of CdO semiconductor thin films by silar method and optimization by experimental design

  1. Tez No: 777916
  2. Yazar: RAZAN ALHOMSI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YASİN YÜCEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hatay Mustafa Kemal Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu tez çalışmasında, kadmiyum oksit yarıiletken ince filmlerin sentezine yönelik pH, tavlama sıcaklığı ve stearik asitte bekletme süresi parametreleri yanıt yüzey analizi ve üç faktörlü beş seviyeli merkezi kompozit dizayn tasarımı kullanılarak optimize edilmiş ve karakterizasyonu yapılmıştır. Oluşturulan modelleme çalışmalarında deneysel veri olarak CdO ince filmlerin RMS pürüzlülük değeri (Rq) ve su temas açısı değerleri (WCA) kullanılmıştır. Kadmiyum oksit yarıiletken ince filmlerin senteziyle ilgili kemometrik optimizasyon çalışmasında kullanılan deneysel çıktılar Rq ile WCA' nın sırasıyla 168,1 nm ile 215,9 nm ve 145,12° derece ile 155,73° aralığında değerler aldığı gözlenmiştir. Kaplama parametrelerinin CdO yarıiletken ince filmlerin Rq ve WCA değerlerine etkisi kemometrik bir yaklaşımla incelenmiş ve RMS pürüzlülüğü ile su temas açısı değerlerini tahmin etmek için ikinci dereceden model denklemleri geliştirilerek uygunluğu ANOVA analizi ile test edilmiştir. Kadmiyum oksit yarıiletken ince filmlerin sentezine yönelik optimum parametre değerleri Rq modelinde pH, tavlama sıcaklığı ve stearik asitte bekletme süresi için sırasıyla 10.5, 388.5°C ve 2.1 saat, WCA modelinde ise pH, tavlama sıcaklığı ve stearik asitte bekletme süresi için sırasıyla 10,6; 408,9°C ve 2,6 saat olarak hesaplanmıştır. Rq değerleriyle oluşturulan model tarafından tahmin edilen pürüzlülük değeri 193,3 nm iken deneysel olarak 189,1 nm değeri elde edilmiştir. WCA değerleriyle oluşturulan model tarafından tahmin edilen su temas açısı değeri ise 150,28° iken deneysel olarak 151,15° ölçülmüştür. Her iki model için elde edilen deneysel ve tahmini değerlerin birbirine yakınlığı geliştirilen modellerin güvenilirliğini ortaya koymuştur.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the parameters of pH, annealing temperature and Immersion time in stearic acid for the synthesis of cadmium oxide semiconductor thin films were optimized and characterized using response surface analysis and three-factor five-level central composite design. RMS roughness (Rq) and water contact angle (WCA) of CdO thin films were used as experimental data in the modeling studies. It was observed that the experimental outputs Rq and WCA used in the chemometric optimization study related to the synthesis of cadmium oxide semiconductor thin films took values in the range of 168.1 nm to 215.9 nm, and 145.12° to 155.73°, respectively. The effect of coating parameters on the Rq and WCA values of CdO semiconductor thin films was investigated with a chemometric approach, and second-order model equations were developed to predict the RMS roughness and water contact angle values, and their suitability was tested by ANOVA analysis. The optimum parameter values for the synthesis of cadmium oxide semiconductor thin films are 10.5, 388.5°C and 2.1 hours for pH, annealing temperature and immersion time in stearic acid in the Rq model. In the WCA model, the pH, annealing temperature and immersion time in stearic acid were 10.6; Calculated at 408.9°C and 2.6 hours. The roughness value estimated by the model created with the Rq values was 193.3 nm, while the experimental value was 189.1 nm. While the water contact angle value estimated by the model created with WCA values was 150.28°, it was measured experimentally at 151.15°. The closeness of the experimental and predicted values obtained for both models revealed the reliability of the developed models.

Benzer Tezler

  1. SILAR Yöntemi ile hazırlanan CdO ince filmlerin fiziksel özelliklerinin araştırılması

    Investigation of physical properties of CdO thin films prepared by SILAR method

    GÖKHAN GÖKALP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAdıyaman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGE ERKEN

  2. ZnO ve CdO ikili yarıiletken bileşiklerin sılar ve sol- jel teknikleriyle büyütülmesi ve yapısal analizleri

    Growth of ZnO and CdO binary semiconductor compounds by silar and sol-gel techniques and their structural analyses

    EMİNE KORKMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

  3. CdO yarı iletkeninin iyileştirilmiş bilgisayar kontrollü sıralı iyonik tabakalı adsorbsiyon ve reaksiyon yöntemi ile büyütülüp incelenmesi

    Investigation of growth of CdO semiconductor with the improved computer controlled successive ionic layer absorption and reaction method

    ONUR KIYAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAğrı İbrahim Çeçen Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HARUN GÜNEY

  4. Metal ve yarıiletken numunelerin AEX; XPS ve SEM ile incelenmesi

    AEX, XPS and SEM studies of metal and semiconductor samples

    FATİH SAĞDIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. M. CELALETTİN BAYKUL

  5. Preparation of indium tin oxide thin films and investigation of hydrogen post-treatment effect

    İndiyum kalay oksit ince filmlerin hazırlanması ve hidrojen ile indirgeme etkisinin incelenmesi

    GÖKÇEN GÖKÇELİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ