Geri Dön

Electrical detection of spin-orbit torque in antiferromagnets

Antiferromanyetik malzemelerde spin-yörünge torkunun elektriksel ölçümlerle gözlenmesi

  1. Tez No: 789381
  2. Yazar: CEMAL İLKİN GÖKSAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖZHAN ÖZATAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 108

Özet

Yeni nesil manyetik bilgi işleme teknolojilerinden olan Ferromanyetik malzeme temelli spintronik cihazlar hafıza cihazlarında uzun bir süre oldukça kritik bir rol oynadı ve ihtiyaçları karşıladı. Ancak hızla artan hacim ve performans gereksinimleri bir noktada ferromanyetik yapıların sınırlarını zorlamaya başladı. Bu noktada antiferromagnetler güncel cihazlardaki bu sorunları çözmek için en önemli aday olarak görülmektedir. Antiferromanyetik (AFM) malzemelerin zıt yönlü spin örgüsü, malzemenin net manyetizasyonunu yok etmesi sayesinde dışarıdan uygulanan manyetik alanlara karşı oldukça dayanıklı olması bu malzemeleri potansiyel cihaz teknolojileri için kaçınılmaz bir aday kılmaktadır. Çalışmamızda AFM cihazlar için manyetik momentlerin DC elektrik akımı kullanılarak manipüle edilmesi ve bunun için kullanılabilecek farklı fiziksel mekanizmalar araştırılmıştır. AFM momentlerin manipüle edilmesi için önerilen birden fazla yöntem olmakla birlikte, bu çalışmada spin-yörünge torku (SOT) kullanılarak elektriksel manipülasyon mekanizması üzerine çalışılmıştır. Bu noktada SOT oluşumu yüksek spin-yörünge etkileşimli ağır metaller (Pt, Ta) kullanılarak elde edilmiştir. Yüksek spin-yörünge etkileşimli(SOC) ağır metal tabakaları(HM) kullanılarak oluşturulan etkide tetikleme mekanizmaları spin Hall etkisi (SHE) ve ara yüzeysel Rashba etkisi (IRE) olup, bu etkilerin AFM yapılarda (IrMn,FeMn) oluşturduğu manyetik manipülasyon araştırılmıştır. İlk olarak bu etkinin fiziksel özelliklerini ve limitlerini test edebilmek adına ikili yapı halinde HM/AFM elektriksel taşınım ölçümleri yapılmış olup, buradan aldığımız donelerle HM/AFM/HM üçlü yapı deneyleri ve [HM/AFM/HM] x n (n=2,3,4..) çoklu yapı deneyleriyle bu etkinin toplanılabilirlik özellikleri araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

Ferromagnetic spintronics has been a game changer for memory technologies, until it has been understood that at some point ferromagnetic properties of these devices won't be able to compensate for the demand on volume and performance. At this point, antiferromagnetic (AFM) spintronics emerged as the most promising alternative and this accelerated the research and investment on AFM spintronics. AFM materials are known with their magnetic toughness due to zero net magnetization in bulk and promising bit per volume ratio thanks to their two spin lattices pointing in opposite directions. In this study, our aim is to achieve current induced manipulation of antiferromagnetic moments. Though there are multiple suggested ways for AFM magnetization manipulation, we study DC electrical transport experiments where by we utilize spin-orbit torque (SOT) effect on metallic AFM materials (IrMn4,IrMn3,FeMn). The underlying mechanism for spin manipulation is a mixture of Spin Hall Effect (SHE) and interfacial Rashba effect (IRE). We start our investigation with bi-layers of high SOC heavy metals (Pt,Ta) and AFM metal(IrMn4,FeMn) hetero structures of [HM/AFM]. Following these experiments, we also investigate the cumulative properties of SOT effect by demonstrating DC electrical transport experiments on HM/AFM/HM tri-layer hetero structures and stacks of [HM/AFM/HM] x n, (where n=2,3,4 etc.). These results will help to improve understanding of the nature of electrical manipulation of AFM spin and determine the conditions to use them as spintronic devices.

Benzer Tezler

  1. SnO2 karbonmonoksit gaz sensörlerinin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

    Fabricationand electrical characterization of SnO2 carbonmonoxidegas sensors

    MURAT KABAKCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU

  2. A low-noise low-power cmos interface for a GMR biosensor application

    Düşük gürültülü düşük güç harcamalı GMR biyosensör arayüzü tasarımı

    AYDIN KÖKSAL ARDAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜNHAN DÜNDAR

  3. Micromagnetic modeling and demonstration of wide bandwidth and ultralow power skyrmion-based spintronic devices and circuits

    Geniş bantlı ve ultradüşük güç tüketen skyrmion temelli spintronik aygıt ve devrelerin mikromanyetik modellenmesi ve ispatlanması

    ARASH MOUSAVI CHEGHABOURI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. Dr. MEHMET CENGİZ ONBAŞLI

  4. Concentration and detection of bacteria with combined AC electrokinetic and impedance analysis in microfludic systems

    Mikroakışkanlarda AC elektrokinetik tekniklerle empedans tabanlı bakteri algılaması

    KADRİYE ÖLMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSEYİN KIZIL

  5. Nife/X/Irmn (X: cu, cr, pt)-tabanlı planar hall etkisi sensörlerinin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of nife/X/irmn (X: Cu, cr, pt)-based planar hall effect sensors

    HASAN PİŞKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NUMAN AKDOĞAN