Geri Dön

An efficient flash translation layer implementation for nor flash memory

Nor flash bellekler için verimli bir flash çeviri katmanı uygulaması

  1. Tez No: 792632
  2. Yazar: FATİH ÇAM
  3. Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ İSMAİL FAİK BAŞKAYA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

Teknoloji her geçen gün geliştikçe elektronik sistemlerin yönetmesi gereken veri miktarı da doğru orantılı bir şekilde artmaktadır. Özellikle gömülü sistemlerde, alanı verimli kullanma zorunluluğu depolama birimi olarak kullanılan flash belleklerin belli bir boyutu geçmesine izin vermemektedir. Flash belleklerin üzerine inşa edildiği teknolojinin belli bir kullanım ömrünün olması bu teknolojilerin en efektif bir şekilde kullanımını zorunlu hale getirmiştir. Bu probleme çözüm olarak geliştirilen algoritma flash çeviri katmanıdır (FTL). Yıllar boyunca farklı FTL algoritmaları önerilmiş ve bu algoritmalar birçok avantajla beraber bazı dezavantajlara da yol açmıştır. Bu tezin amacı daha önce önerilen kompleks algoritmalardan farklı olarak çok daha basit ve implement edilebilir aynı zamanda yüksek başarı gösteren bir FTL algoritması sunmaktır. Okuma ve yazma işlemleri için hedef sayfa adresi direkt olarak eşleme tablosundan bulununmakta ve operasyon gerçekleştirilir. Yazma operasyonunda ise hedef sayfa adresi rastgele sayı üreticisinden gelen değer ile belirlenir. Eğer bu flah adresine daha önceden veri yazılmışsa bu adresteki veri bir sonraki boş flash adresine taşınır ve yazılacak veri rastegele sayı üreticinden gelen sayfa adresine yazılır. Bu yöntemle sayfa yazma işlemi hızlı ve efektif olarak gerçekleştirilmektedir. Algoritma FPGA üzerinde implement edilmiş ve bilgisayar üzerinde tasarlanan bir test yazılımı ile UART üzerinden test edilmiştir. Test uygulamasının sonuçları göstermiştir ki tasarlanan algoritma flash bellek sayfalarını düzenli bir dağılımla kullanmış ve başarı oranı %98 olmuştur. Ayrıca bu algoritmanın kullanılması için sadece bir flash bellek sayfasının ayrılması yetmiştir. Böylelikle bu çalışma diğer algoritmaların aksine flash bellekte alan kaybına sebep olmamıştır.

Özet (Çeviri)

As technology develops day by day, the amount of data that electronic systems need to manage is increasing in direct proportion. Especially in embedded systems, the necessity to use space efficiently does not allow flash memories used as storage units to exceed a certain size. The fact that the technology on which flash memories are built has a certain lifetime has made it necessary to use these technologies in the most effective way. The algorithm developed as a solution to this problem is the flash translation layer (FTL). Different FTL algorithms have been proposed over the years, and these algorithms have led to some disadvantages along with many advantages. The aim of this thesis is to present a much simpler and implementable FTL algorithm, which is different from the complex algorithms proposed before, and which also shows high success. For read and write operations, the target page address is found directly from the mapping table and the operation is performed. In the write operation, the target page address is determined by the value from the random number generator. If data has been written to this flash address before, the data at this address is moved to the next free flash address and the data to be written is written to the page address from the random number generator. With this method, page writing is carried out quickly and effectively. The algorithm was implemented on the FPGA and tested over UART with test software designed on the computer. The results of the test application showed that the designed algorithm used flash memory pages with a regular distribution and the success rate was 98%. In addition, only one flash memory page sacrifice was sufficient to use this algorithm. Thus, this study did not cause space loss in flash memory, unlike other algorithms.

Benzer Tezler

  1. La3Lu2Ga3O12: Cı3+: Nd3+ lazer kristallerinde sıcaklığın Cr3+-Nd3+ enerji transferine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    GÜLEFŞAN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÖNÜL ÖZEN

  2. Electric and magneto-transport properties of magnetic and superconductive iron pnictide and skutterudite compounds

    Magnetik ve süperiletken demir pniktid ve skutterudit bileşiklerinin elektrik ve magneto-transport özellikleri

    MURAT SERTKOL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER

  3. Atık polietilentereftalattan özel blok kopolimerler ve çevre dostu alkid reçine üretimi

    Production of special block copolymers and environmental friendly alkyd resins from PET wastes

    OĞUZ MECİT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. AHMET AKAR

  4. Sanayide enerji verimliliğinin modellenmesi

    Modelling of energy efficiency in industry

    NESLİN HASAR OCAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiKarabük Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİ CAN

  5. Türkiye'nin enerji arz talep dengesi ve bu bağlamda enerji politikalarının analizi

    Analysis of Turkey's energy supply-demand balance and energy policies in this context

    FATMA İLKCAN AKSU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET FATİH IŞIK