Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes
Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 79312
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Rezonant Kavite, Rezonant Kavite İle Güçlendirilmiş, Fotodiyot, Schottky Eklemi, Kuvantum Verimliliği, Yüksek Hız. iv, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Photodiode, Schottky Contact, Schottky Photodiode, Quantum Efficiency, High-Speed
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Özet RESONANT KAVITE İLE GÜÇLENDİRİLMİŞ, YÜKSEK HIZLI VE YÜKSEK VERİMLİ, SCHOTTKY FOTODİYOT ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Erhan Polatkaıı Ata Fizik Doktora Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ekmel Özbay 10 Temmuz 1998 Hızla gelişen“photonics”teknolojisi, diğer teknolojilerin vaadetmiş olduğundan daha yüksek bant genişlikleri vaadetraektedir. Artan iletişim, sadece bilim ve teknolojiyi geliştirmekle kalmayıp, aynı zamanda tarihteki en önemli devrimler den birini, küresel kültür alışverişini sağlamaktadır. Optolektroniğin yaşamsal elemanlarından olan fotodetektörler, artan iletişim talebini karşılayabilecek performanslara ulaşabilmek için hala geliştirilmektedir. 800-850 nm dalgaboyları için yüksek verimli ve yüksek hızlı, rezonant kavite ile güçlendirilmiş (RCE) Schottky fotodiyotlar tasarladık ve ürettik. Yüksek performans elde ettiğimiz GaAs/AlGaAs temelli iki ayrı yapı kullandık. Bu yapılardan birisinden verimlilikleri %50, 3-dB bant genişlikleri de 80 GHz olan fotodiyotlar ürettik. Öteki yapının tasarımı üretim öncesi dalgaboyu ve aktif katman kalınlık ayarı yapmaya uygun idi. Bu yapı üzerinde %20 kuvantum verimliliği ve RCE fotodiyotlar için dünya rekoru olan, 110 GHz öngörülen 3- dB bant genişliği elde ettik. Aktif katmanın, yüzeydeki Au katmanının ve silikon nitrat katmanının ıııkalınlıklarının RCE aygıtlar üzerindeki etkilerini de inceledik. Aynı zamanda, teori ve deney arasındaki farklılıkları da kısaca açıkladık. Fotodiyotların performanslarını arttırmaya yönelik teknikler, olası gelecek çalışması olarak önerdik. Ayrıca, konu ile ilgili edindiğimiz tecrübenin kullanılabileceği olası uygulamalara da değindik.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH-SPEED, HIGH QUANTUM EFFICIENCY, RESONANT CAVITY ENHANCED SCHOTTKY PHOTODIODES Erhan Polatkaıı Ata Ph. D. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Ekmel Ozbay 10 July 1998 Rapidly developing“photonics”technology promises higher bandwidths of communication than any other technique did ever. The increasing rate of communication not only alters science and technology, but brings a global cultural exchange, which seems to be one of the most important revolutions in the history. Photodetectors, as vital components of optoelectronics, are still being developed to achieve satisfying performances for the increasing communication demands. We have designed and fabricated high-speed, high efficiency resonant cavity enhanced (RCE) Schottky photodiodes, suitable for 800-850 nm operation wavelengths. We have used two different GaAs/AlGaAs based epitaxial structures to achieve high performance. From one of these structures, we fabricated photodiodes with 50% quantum efficiency and 80 GHz 3-dB bandwidth. The other structure had a design suitable for prefabrication wavelength tuning and adjustable active layer thickness. On this structure, we achieved 20% quantum efficiency along with, world record for RCE photodiodes, over 110 GHz 3-dB estimated bandwidth.We investigated effects of active layer, top Au layer, and silicon nitride coating layer thicknesses on the RCE devices. Discrepancy between theory and experiments were also explained briefly. Methods for improving performances of photodiodes has been proposed as possible future work. Possible applications, which may make use of current know- how on the subject, have also been mentioned.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of high speed resonant cavity enhanced schottky photodiodes
Resonant boşluk destekli yüksek hızlı schottky fotodedektörlerinin yapımı ve karakterizasyonu
M.SAİFUL İSLAM
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiY.DOÇ.DR. EKMEL ÖZBAY
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Fabrication and characterization of superconducting Bi2212 bolometer for the detection of THz waves
THz dalgalarının algılanması için süperiletken Bi2212 bolometrenin üretimi ve karakterizasyonu
METİN KURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER
PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER