Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes
Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 79312
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Rezonant Kavite, Rezonant Kavite İle Güçlendirilmiş, Fotodiyot, Schottky Eklemi, Kuvantum Verimliliği, Yüksek Hız. iv, Schottky diyodları, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Photodiode, Schottky Contact, Schottky Photodiode, Quantum Efficiency, High-Speed, Schottky diodes
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet RESONANT KAVITE İLE GÜÇLENDİRİLMİŞ, YÜKSEK HIZLI VE YÜKSEK VERİMLİ, SCHOTTKY FOTODİYOT ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Erhan Polatkaıı Ata Fizik Doktora Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ekmel Özbay 10 Temmuz 1998 Hızla gelişen“photonics”teknolojisi, diğer teknolojilerin vaadetmiş olduğundan daha yüksek bant genişlikleri vaadetraektedir. Artan iletişim, sadece bilim ve teknolojiyi geliştirmekle kalmayıp, aynı zamanda tarihteki en önemli devrimler den birini, küresel kültür alışverişini sağlamaktadır. Optolektroniğin yaşamsal elemanlarından olan fotodetektörler, artan iletişim talebini karşılayabilecek performanslara ulaşabilmek için hala geliştirilmektedir. 800-850 nm dalgaboyları için yüksek verimli ve yüksek hızlı, rezonant kavite ile güçlendirilmiş (RCE) Schottky fotodiyotlar tasarladık ve ürettik. Yüksek performans elde ettiğimiz GaAs/AlGaAs temelli iki ayrı yapı kullandık. Bu yapılardan birisinden verimlilikleri %50, 3-dB bant genişlikleri de 80 GHz olan fotodiyotlar ürettik. Öteki yapının tasarımı üretim öncesi dalgaboyu ve aktif katman kalınlık ayarı yapmaya uygun idi. Bu yapı üzerinde %20 kuvantum verimliliği ve RCE fotodiyotlar için dünya rekoru olan, 110 GHz öngörülen 3- dB bant genişliği elde ettik. Aktif katmanın, yüzeydeki Au katmanının ve silikon nitrat katmanının ıııkalınlıklarının RCE aygıtlar üzerindeki etkilerini de inceledik. Aynı zamanda, teori ve deney arasındaki farklılıkları da kısaca açıkladık. Fotodiyotların performanslarını arttırmaya yönelik teknikler, olası gelecek çalışması olarak önerdik. Ayrıca, konu ile ilgili edindiğimiz tecrübenin kullanılabileceği olası uygulamalara da değindik.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH-SPEED, HIGH QUANTUM EFFICIENCY, RESONANT CAVITY ENHANCED SCHOTTKY PHOTODIODES Erhan Polatkaıı Ata Ph. D. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Ekmel Ozbay 10 July 1998 Rapidly developing“photonics”technology promises higher bandwidths of communication than any other technique did ever. The increasing rate of communication not only alters science and technology, but brings a global cultural exchange, which seems to be one of the most important revolutions in the history. Photodetectors, as vital components of optoelectronics, are still being developed to achieve satisfying performances for the increasing communication demands. We have designed and fabricated high-speed, high efficiency resonant cavity enhanced (RCE) Schottky photodiodes, suitable for 800-850 nm operation wavelengths. We have used two different GaAs/AlGaAs based epitaxial structures to achieve high performance. From one of these structures, we fabricated photodiodes with 50% quantum efficiency and 80 GHz 3-dB bandwidth. The other structure had a design suitable for prefabrication wavelength tuning and adjustable active layer thickness. On this structure, we achieved 20% quantum efficiency along with, world record for RCE photodiodes, over 110 GHz 3-dB estimated bandwidth.We investigated effects of active layer, top Au layer, and silicon nitride coating layer thicknesses on the RCE devices. Discrepancy between theory and experiments were also explained briefly. Methods for improving performances of photodiodes has been proposed as possible future work. Possible applications, which may make use of current know- how on the subject, have also been mentioned.
Benzer Tezler
- Kam yapma aparatı
Cam milling attachment
ORHAN UZUN
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Makine MühendisliğiGazi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FEVZİ ERCAN
- Orisini özellikleri, oranları farklı L. bulgaricus ve s.thermophilus bakterileri içeren sıvı, dondurulmuş ve liyotilize kültürler ile yapılan yoğurtların nitelikleri üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
SEVDA KILIÇ
Doktora
Türkçe
1986
Gıda MühendisliğiEge ÜniversitesiSüt Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN YAYGIN
- Halı ipliği yapımında kullanılan yünlerin teknolojik özellikleri üzerinde araştırmalar
Investigations on the technological properties of wools which are used in woollen carpet yarn production
BEKİR YILMAZ
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA HARMANCIOĞLU
- Düşük tenörlü pirolüzit cevherlerinden yeni bir MnSO4-H2O üretim metodu
Başlık çevirisi yok
MAHMUT BAYRAMOĞLU
Doktora
Türkçe
1983
Kimya Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiKimya Mühendisliği Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÜNAL SANIGÖK