INP katotlu mikroplazma hücresinin he plazma ortamında incelenmesi
The investigation of microplasma cell with INP cathode in he plasma media
- Tez No: 795890
- Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE HİLAL KURT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 145
Özet
Bu çalışmada yarıiletken katotlu mikroboşalma düzeneğinin (YKMD) çeşitli parametreler altında akım-voltaj ve ışıma-voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Fotodedektör olarak da kullanılabilen bu tür cihazlarda dışarıdan yapılan müdahalelerin verimlilik açısından etkileri araştırılmıştır. Deneyde Fe katkılı InP yarıiletken kullanılmıştır. Farklı boşalma çaplarında (D = 9 mm, D = 12 mm ve D = 18 mm değerlerinde), farklı elektrotlar arası mesafelerde (d = 50 μm, d = 100 μm, d = 240 μm, d = 340 μm, d = 440 μm ve d = 525 μm değerlerinde), farklı aydınlatma şiddetleri altında (K, A1, A3), geniş bir basınç aralığı için (7 Torr-760 Torr), He gaz ortamında çalışılmış ve ölçümler değerlendirilmiştir. Ayrıca D = 12 mm çap değeri altında hava gazı ortamında da çalışılmış ve bu çap değerinde He ve hava gazları kıyaslanmıştır. Hava gazı plazmasında He gazı plazmasına göre gerek Paschen eğrilerindeki kırılma voltajı (VK) ile basınç arasındaki lineer artış, gerekse akım-voltaj karakteristiklerindeki kararsızlıkların fazlalığı, mikroboşalma hücresinde kullanılan gazın önemli bir parametre olduğu gerçeğini gözler önüne sermektedir. He plazması hava plazmasına göre daha kararlı bir boşalma karakteristiği elde etmemizi sağlamaktadır. Ek olarak boşalma çapının ve katot aydınlatma şiddetinin artmasının akımı arttırdığı, elektrotlar arası mesafenin ve basıncın artmasının ise akım değerlerini düşürdüğü sonucuna genellikle ulaşılmaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, current-voltage and light emission-voltage characteristics of semiconductor cathode microdischarge setup were investigated under various parameters. In such devices, which can also be used as photodetectors, the effects of external interventions in terms of efficiency have been investigated. In the experiment, Fe-doped InP semiconductor was used. The measurements were evaluated at different discharge diameters (D = 9 mm, D = 12 mm and D = 18 mm) and inter-electrode distances (d = 50 μm, d = 100 μm, d = 240 μm, d = 340 μm, d = 440 μm and d = 525 μm), under different lighting intensities (K, A1, A3), for a wide pressure range (7 Torr-760 Torr), in a He gas environment. In addition, air gas environment was also studied under D = 12 mm diameter value and He and air gases were compared at this diameter value. The linear increase between the breakdown-voltage (VB) and pressure in the Paschen curves and the excess of instabilities in the current-voltage characteristics in the air gas plasma compared to the He gas plasma reveal the fact that the gas used in the microdischarge cell is an important parameter. Helium plasma provides a more stable discharge characteristic than air plasma. In addition, it is generally concluded that increasing the discharge diameter and cathode illumination intensity increases the current, while increasing the inter-electrode distance and the pressure decreases the current values.
Benzer Tezler
- Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri
Photoelectric and spectral properties of photosensitive semiconductor gas discharge system
SEMA KARAKÖSE
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV
DOÇ. DR. M.MAHİR BÜLBÜL
- InP tabanlı pasif mod kilitli çok bölümlü diyot lazerlerin tasarımı ve üretimi
Design and fabrication of InP-based passive mode-locked multisection diode lasers
RUKİYE AKSAKAL
Doktora
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- n-InP yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type InP semiconductor and investigating its electrical properties
HÜSEYİN DÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ADİL CANIMOĞLU
- Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors
InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi
OĞUZHAN TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK