InP tabanlı pasif mod kilitli çok bölümlü diyot lazerlerin tasarımı ve üretimi
Design and fabrication of InP-based passive mode-locked multisection diode lasers
- Tez No: 919757
- Danışmanlar: PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erzurum Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
İletilmek istenen mesajların en güvenli ve en hızlı şekilde karşı tarafa iletilmesi etkin iletişimdeki en temel amaçtır. Fiber optik haberleşme sistemlerinde yarı iletken (diyot) lazerlerin ışık kaynağı olarak kullanılmaya başlanmasının en önemli sebeplerinden biri, iletilen bilgide bozulma ve zayıflamayı en aza indirerek, çok kısa süreli ve yüksek güçlü optik darbelerle bilgi aktarımı sağlanmaktadır. Bu zayıflama 1350 nm'de 0,5 dB/km olarak elde edilirken 1550 nm'de 0,2 dB/km'dir. Kısa süreli ve yüksek güçlü optik darbe çıkışı veren diyot lazerler üretmek için, kavite üzerinde farklı işlevlere sahip çok bölümlü yapılar üretilir. Fiber optik haberleşme sistemlerinde, yüksek güçlü lazerler sayesinde tekrarlayıcıların sayısı azaltılmakta ve optik bilginin dispersiyona uğraması minimuma indirilmektedir. Bununla birlikte, çok kısa süreli optik darbeler üreterek daha fazla optik bilginin iletilmesi yani bant genişliğinin artması sağlanmaktadır. Bu tezde, kavite uzunluğu kısa (
Özet (Çeviri)
The primary aim of effective communication is to deliver the intended messages to the other party in the most secure and fastest way possible. In optoelectronic communication, semiconductor (diode) lasers have begun to be used as light sources, and one reason these lasers are significant light sources in fiber optic communication systems is that they enable information transfer through very short and high-power optical pulses, minimizing distortion in the transmitted data. While an attenuation of 0,5 dB/km is achieved at 1350 nm, it is 0,2 dB/km at 1550 nm. To produce diode lasers that emit short-duration and high-power optical pulses, multi-section structures with different functions are developed over the cavity. In fiber optic communication systems, the number of repeaters is reduced by using high-power lasers, thereby minimizing the dispersion of optical information. Additionally, by generating very short optical pulses, it is possible to transmit more optical information, which increases bandwidth. In this thesis, different configurations of diode lasers with gain and absorption sections were designed and fabricated by keeping the cavity length short (
Benzer Tezler
- InP tabanlı kuantum kuyulu kızılötesi dedektör dizinlerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared detector arrays
TOLGA YELBOĞA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- InP Quantum Dot based Light-emitting and Neuro-stimulating Optoelectronic Devices
InP kuantum nokta tabanlı ışık yayıcı ve sinir uyarıcı optoelektronik aygıtlar
ONURALP KARATÜM
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SEDAT NİZAMOĞLU
- Novel InP-based quantum dots via ZnO shelling and ruthenium doping for lighting and antibacterial applications
Aydınlatma ve antibakteriyel uygulamalar için ZnO kabuk kaplamalı ve rutenyum doplu yeni InP tabanlı kuantum noktalar
GÜNCEM ÖZGÜN EREN
Doktora
İngilizce
2023
KimyaKoç ÜniversitesiBiyomedikal Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEDAT NİZAMOĞLU
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Yüksek performanslı, yüksek hızlı InP tabanlı ıngaas fotodedektör proses geliştirme
High-performance, high-speed inp based InGaAs photodedector process development
OKAN ATEŞAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET RECAİ ELLİALTIOĞLU