Dedektör kristal boyutunun compton bastırma faktörleri üzerindeki etkisi
Effect of detector crystal size on compton supression factors
- Tez No: 799855
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ SELİM KAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gümüşhane Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bir HPGe-NaI için bastırma faktörünü etkileyen geometrik parametreler Compton bastırma spektrometresi, EGS4 ile Monte Carlo simülasyonları tarafından incelenmiştir. Spektrumlar, 200 keV ile 2 MeV arasında değişen 5 enerji değeri için sandıklanmıştır. Compton bastırma faktörleri (CSF'ler), sistem performansını karakterize eden parametreler, farklı HPGe kristal parametreleri için hesaplanmıştır. Laboratuvar eldesi 400 keV'a kadar olan gama enerji değerleri için daha iyi Compton bastırılmış faktörler elde etmesi için mümkün olduğunca küçük HPGe kristali seçiminin gerektiği gözlendi. Ancak, 2 MeV'e kadar olan daha yüksek enerjiler için daha büyük HPGe kristallerin Compton bastırması açısından daha etkin olduğu ortaya çıkarıldı.
Özet (Çeviri)
The geometrical parameters which affect the suppression factor for an HPGe-NaI Compton suppression spectrometer were studied by a Monte Carlo simulations with the EGS4 system. The spectrums were crated for 5 energy values ranging from 200 keV to 2 MeV. Compton suppression factors (CSFs), the parameters characterizing the system performance, were calculated for different HPGe crystal parameters. It was observed that in order to obtain better Compton suppressed factors, a laboratory must choose as small HPGe crystal as possible for energy values up to 400 keV. However, for higher energies up to 2 MeV, larger HPGe crystals provide better Compton suppression systems.
Benzer Tezler
- PbS colloidal quantum dots based photodetectors for integrated swir detection
Kısa dalga kızılötesi algılama için PbS koloidal kuantum nokta bazlı fotoalgılayıcılar
EMRE HEVES
Doktora
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
YRD. DOÇ. DR. CEM ÖZTÜRK
- InP tabanlı kuantum kuyulu kızılötesi dedektör dizinlerinin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of InP based quantum well infrared detector arrays
TOLGA YELBOĞA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Mikro işlenmiş kristal silisyum yüzeyinde gözenekli silisyum üretilmesi ve karakterizasyonu
Formation and characterization of porous silicon on a micro-machined monocrystalline silicon surface
KUTAY APAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- Kızılötesi dedektör uygulamaları için ınassb ve gaınassb bileşiklerinin gaas alttaş üzerine mbe tekniği ile büyütülmesi
Growth of inassb and gainassb compounds on gaas substrate by mbe technique for infrared detector applicatons
MEHMET ERKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Dalgaboyu genişletilmiş swır dedektör uygulaması için (100) InP alttaş üzerine büyütülen zengin indiyum içerikli InxGa1-xAs epitaksiyel katmanların karekterizasyonu
Characterization of indium rich InxGa1-xAs epitaxial layers grown on (100) InP substrate for extended wavelength swir detector application
REYHAN KEKÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ALTUNTAŞ