Effects of ionizing radiation on the memory–based device with Yb2O3 as a charge trapping layer
İyonize radyasyonun Yb2O3 yük tutucu katmanalı bellek tabanlı aygıt üzerindeki etkisi
- Tez No: 807494
- Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Sensör Teknolojileri Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
Bu tezde tavlama sıcaklığı ve gama ışınlamasının Al/Al2O3/Yb2O3/Al2O3/n-Si yük yakalama belleği (CTM) cihazları üzerindeki etkisini inceledik. Al2O3 oksit, sırasıyla tünel açma oksit ve bloke edici oksit olarak kullanılırken, Yb2O3 yük tutucu oksit olarak kullanıldı.İnce filmler RF püskürtme makinesi ile biriktirildi. Daha sonra numuneler 200oC, 400oC, 600oC ve 800oC'de N2 ortamında 40 dakika tavlanırken, bir numune depolandığı şekilde tutuldu. İnce filmlerin kristallik yapısı ve yüzey morfoloj2ileri, X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) teknikleri ile analiz edildi. Ortalama karekök (RMS) değeri, tavlama sıcaklığındaki artışla birlikte yükseldi. Cihazların elektriksel özellikleri de kapasitans-Gerilim(C-V) eğrileri ile analiz edilmiştir. Yığılım bölgesindeki kapasitans değeri, tavlama sıcaklığındaki artışla azalmıştır. -10V-+10V aralığında geriye doğru süpürme gerilimi ile birkaç tavlama sıcaklığında bellek penceresi (∆Vfb ) de incelenmiştir. 200℃'de tavlanan cihaz, diğer cihazlara göre en büyük ∆Vfb8.60V'a ve birikim bölgesinde en yüksek kapasitansa sahipti. Bu, CTM cihazının daha iyi şarj depolama kapasitesi ile ilgili olabilir.Öte yandan, ±8V ve ±10V arasında farklı süpürme voltajındaki ∆Vfb, çeşitli tavlama sıcaklıkları için incelenmiştir. Ayrıca 4 Gy den 128'e Gy kadar doz aralığında Cs-137 gama ışını kaynağı kullanılarak CTM cihazındaki radyasyon yanıtı C-V karakteristikleri üzerinden yoğun bir şekilde incelenmiştir. C-V eğrileri hem pozitif hem de negatif voltaj yönünde hafifçe kaymıştır. Bu, tuzaklanmiş oksit (ΔNot) ve arayüz tuzaklanmiş (ΔNit) yüklerinin ışınlama ile indüklendiğini düşündürmektedir. Radyasyonun bellek penceresi üzerinde önemli bir etkisinin olmadığı da gösterilmiştir. ANAHTAR KELİMELER: CMT cihazları, İnce filmler, PDA, Gama ışınlaması, hafıza penceresi
Özet (Çeviri)
In this thesis, we have studied the effect of annealing temperature and gamma irradiation on the Al/Al2O3/Yb2O3/Al2O3/n-Si charge trapping memory (CTM) devices. The Al2O3 oxide was utilized as the tunneling oxide and blocking oxide respectively, while Yb2O3 was used as charge trapping oxide. The thin films were deposited by sputtering technique. The samples were then annealed at 200oC 400oC, 600oC, and 800oC in N2 ambient for 40 min, while one sample was kept as-deposited. The crystallinity stucture and surface morphologies of thin films were analysed by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) techniques. The value of root mean square (RMS) increased with an increase in the annealing temperature. The electrical characteristics of the devices were also analysed through capacitance-voltage(C-V) curves. The capacitancevalue in the accumulation region decreased with an increase in the annealing temperature. The memory window (∆𝑉𝑓𝑏) at several annealing temperature by sweeping voltage of -10V to +10V and back forth has also been studied. The device which was annealed at 200℃ had a largest ∆𝑉𝑓𝑏 8.60 and the highest capacitance at accumulation region than other devices. This could be related to the better charge storage capability of the CTM device. On the other hand, the ∆𝑉𝑓𝑏 at different sweeping voltage between ±8V and ±10V were investigated for several annealing temperature. In addition, the radiation response on CTM device has also been studied intensively through C-V characteristics by using Cs-137 gamma ray source in the dose range of 4Gy to 128Gy. The C-V curves slightly shifted both in the positive and negative voltage direction. This suggesting oxide trapped(ΔNot) and interface trapped(ΔNit) charges were induced by irradiation. It has also been shown that radiation has no significant impact on the memory window. KEYWORDS:CMTdevices, Thinfilms, PDA, Gamma irrradiation, memorywindow.
Benzer Tezler
- Design of a si-pin based gamma detector used for the assessment of environmental radioactivity
Çevresel radyasyon seviyesinin ölçümü için kullanılabilecek sı-pın bazlı bir gama dedektörünün tasarımı
GÖKÇEN TATAROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP ŞAHABETTİN ÖZBEN
- İyonize edici radyasyonun neden olduğu nöral hücre hasarının bağışıklık yanıtı ile onarılması
Repairing the neuronal cell damage induced by ionising radiation via immune response
AYLA BATU ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2023
Histoloji ve EmbriyolojiMersin ÜniversitesiHistoloji ve Embriyoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BANU COŞKUN YILMAZ
- Microwave imaging of breast cancer with contrast agents
Meme kanserinin kontrast ajanlarla mikrodalga görüntülemesi
SEMA YILDIRIM
Doktora
İngilizce
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ÇAYÖREN
- İyonize radyasyonun fare beyni üzerine olan etkilerinin epigenetik olarak değerlendirilmesi
Epigenetic evaluation of the effects of cranial irradiation on mice brain
TURAN KOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
AnatomiMersin ÜniversitesiAnatomi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ÖZTÜRK
YRD. DOÇ. DR. NAİL CAN ÖZTÜRK
- Gama ışınlarına maruz kalan sıçanlarda myricitrin ve chebulinic asitin hipokampusa etkilerinin stereolojik, histokimyasal ve biyokimyasal yöntemlerle belirlenmesi
Determining effects of myricitrin and chebulinic acid to hippocampus on the rats that exposed to gamma rays, BY stereologic, histochemical and biochemical methods
SÜMEYYE GÜMÜŞ UZUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Histoloji ve EmbriyolojiOndokuz Mayıs ÜniversitesiHistoloji ve Embriyoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BERRİN ZÜHAL ALTUNKAYNAK