The effect of high thermal budget on crystalline silicon solar cell bulk quality
Yüksek termal bütçenin kristal silikon güneş hücre kütle kalitesi üzerindeki etkisi
- Tez No: 824068
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN, DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
- Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Güneş hücresi üretimi için uygulanan ısıl işlemler nedeniyle Si dilimlerinin bozunması, yüksek dönüşüm verimliliği değerlerine ulaşmayı engelleyen en önemli sorunlardan biridir. Cz büyümesi sırasında, Si külçesine farklı türden kirlilikler girer ve birçok türde kusur oluşur. Güneş hücresinin üretimi için gerekli olan işlemler sırasında kusurlar, uygulanan termal bütçeye bağlı olarak biçim değiştirir ve daha sonra yük taşıyıcılar için yeniden birleşim merkezleri olarak davranırlar. Bu tezde, 0°C ile 1050°C sıcaklık aralığındaki ısıl işlemlerin n-tipi Cz-Si dilimlerinin kütle ömür süresi üzerindeki etkileri incelenmiştir. Yük taşıyıcı ömür süresinin, farklı kirlilik türlerinin yük taşıyıcı ömür süresinde rol oynayabileceği sıcaklık aralıklarına oldukça duyarlı olduğu gözlemlenmiştir. Oksijen çökeltilerinin oluşumuna atfedilen 950oC'nin üzerindeki bozunma, FTIR spektroskopi yöntemiyle ölçülen arayer oksijen yoğunlaşmasındaki azalma ile doğrulandı.
Özet (Çeviri)
Degradation of the Si wafers due to the thermal processes for solar cell fabrication is one of the most significant problems that restrain reaching high conversion efficiency values. During Cz growth, different kinds of impurities enter the Si ingot and many types of defects are created. During the processes that are required for the fabrication of the solar cell, the defects change form depending on the applied thermal budget, which later act as recombination centers for photo-generated charge carriers. In this thesis, the effects of the heat treatment on the bulk lifetime of n-type Cz-Si wafers were investigated in a temperature range of 0°C to 1050°C. It has been observed that, carrier lifetime is highly sensitive to temperature intervals in which different impurity types can take a role in the carrier lifetime. The degradation above 950oC attributed to the formation of the oxygen precipitates was confirmed with the decrease in the concentration of oxygen interstitial measured by the FTIR spectroscopy method.
Benzer Tezler
- Ovulasyon indüksiyonu tedavisinde folliküler gelişimin ultrasonografik takibi
Başlık çevirisi yok
MERİH BAYRAM
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM
- Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi
Başlık çevirisi yok
NACİYE TÜRKEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
BAHAR TÜRKYILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
- Atherosklerotik kalp hastalıklarında risk faktörleri
Risk factors in the coronary artery disease
MURAT SUHER