Analytical investigation of free energy and entropy of semiconductors by using einstein-debye approach
Yarı iletkenlerin serbest enerjisi ve entropisinin Einstein-Debye yaklaşımı kullanılarak analitik olarak incelenmesi
- Tez No: 829677
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Modern elektronik teknolojinin hızlı gelişimini belirleyen yarıiletkenlerin neredeyse tüm dikkate değer özelliklerinin incelenmesi günümüzün önemli çalışma alanı olduğu bilinmektedir. Küçük boyutları ve orta düzeyde güç tüketimi nedeniyle, yarıiletken transistörleri giderek daha büyük mikro devrelere ve daha sonra mikro işlemcilere bağlamak mümkün hale geldi. Bu nedenle, yarıiletkenlerin fiziksel, kimyasal ve diğer özelliklerinin incelenmesi günümüzün aktüel konularından biridir. Bilindiği gibi yerıiletkenlerin elektronik yapısına göre elektrik, termodinamik, manyetik özellikler gibi birçok özellikleri teorik ve deneysel yöntemlere göre incelene bilinir. Bu özelliklerin en önemlilerinden biride termodinamik açıdan kristal yapıda kaçınılmaz olarak kusur oluşum süreçleri ve ilgili elektronik süreçler, malzemenin fiziksel özellikleri üzerindeki istenmeyen etkisinin incelenmesi önemli bir rol oynar. Yarıiletkenleri termodinamik özeliklerini incelenmesi önemli teorik yaklaşımlar önerilmiştir. Bu yöntemlerden birside son dönemlerde önerilen amma çok uygulaması olmayan Einstein-Debye yaklaşımıdır. Yapılan incelemeler sonucunda Einstein-Debye yaklaşımına göre yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerinin sıcaklığa göre değişmesinden alınan sonuçların daha hassas olduğu görülmüştür. Bu tezde, Einstein-Debye yaklaşımına göre entropi ve Gibbs enerjisini için analitik ifade oluşturularak, tüm sıcaklık aralığında InP,InAs,GeS ve ZnO yarı iletkenlerinin entropi ve Gibbs enerjisinin hesaplama sonuçları farklı deneysel-teorik çalışmaların sonuçları ile karşılaştırmalı olarak incelenmiştir. Alınan sonuçlar sıcaklığın farklı değerlerine göre grafik ve tablo olarak verilmiş ve incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
It is known that the study of almost all remarkable properties of semiconductors, which determine the rapid development of modern electronic technology, is today's important field of study. Due to their small size and moderate power consumption, it has become possible to connect semiconductor transistors to increasingly larger microcircuits and later microprocessors. Therefore, the study of physical, chemical and other properties of semiconductors is one of today's hot topics. As it is known, many properties of semiconductors such as electrical, thermodynamic and magnetic properties according to their electronic structure can be studied by theoretical and experimental methods. One of the most important of these properties is the inevitable defect formation processes in the crystal structure from the thermodynamic point of view and the related electronic processes play an important role in the study of the undesirable effect on the physical properties of the material. Important theoretical approaches have been proposed to study the thermodynamic properties of semiconductors. One of these methods is the Einstein-Debye approach, which has been proposed recently but has not been widely applied. As a result of the investigations, it has been observed that the results obtained from the temperature dependence of the thermodynamic properties of semiconductors are more sensitive than the Einstein-Debye approach. In this thesis, an analytical expression for the entropy and Gibbs energy according to the Einstein-Debye approach is established and the results of the calculation of the entropy and Gibbs energy of InP, InAs, GeS and ZnO semiconductors over the entire temperature range are compared with the results of different experimental-theoretical studies. The results are presented and analyzed graphically and tabularly for different values of temperature.
Benzer Tezler
- Bazı B12-tabanlı bileşiklerin elektronik, mekanik, dinamik ve optik özelliklerinin basınç altında incelenmesi: AB initio hesabı
Investigation of electronic, mechanical, dynamic and optical properties of some B12 -based compounds under pressure: AB initio calculation
MERVE ÖZCAN
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÇABUK
- Quantum shape effects
Kuantum şekil etkileri
ALHUN AYDIN
Doktora
İngilizce
2020
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HACI OSMAN ALTUĞ ŞİŞMAN
- Fındık ve ceviz kabuğundan üretilen aktif karbon ile diklofenak sodyum, siprofloksasin ve sülfametoksazol adsorpsiyonunun incelenmesi
Investigation of the adsorption of diclofenac sodium, ciprofloxacin and sulfahmetoxazole by activated carbon produced from hazelnut and walnut shell
SEDA TÜNAY
Doktora
Türkçe
2023
Çevre MühendisliğiSakarya ÜniversitesiÇevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ RABİA KÖKLÜ
PROF. DR. MUSTAFA İMAMOĞLU
- Çift yaklaşımı ile Ising modelinin termodinamik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of thermodynamic properties of the Ising model with pair approximation of cluster variational method
ÜMİT BAYAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAdnan Menderes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CESUR EKİZ
- Kendiliğinden ilerleyen yüksek sıcaklık sentezi yöntemi ile yeni ve özel alaşımların üretimi ve geliştirilmesi
Investigation of new and noble alloys productions by self-propagating high-temperature synthesis method
MURAT ALKAN
Doktora
Türkçe
2014
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL
DOÇ. DR. CEVAT BORA DERİN