Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde fotoiletkenlik çalışmaları
Photoconductivity studies of hydrogenated amorphous silicon solar cells
- Tez No: 83894
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
ÖZET Bu tezde, hidroj enlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) p-i-n (Casio ve Sanyo tipleri) ve Schottky güneş pillerinde, fotoakımın uygulanan gerilimin, uyarıcı ışık şiddetinin ve dalga boyunun ve sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçülmüştür. Karşılaştırma amacı için aynı zamanda karanlık akım-gerilim (I-V) ölçümleri de yapıldı. Uyarıcı ışığın farklı dalga boyu ve şiddetlerinde, ve değişik sıcaklıklarda ölçülen I-V karakteristiklerinden dolum (fiil) faktörleri belirlendi. Hesaplanan tüm dolum faktörü değerleri kullanılan ışık şiddetine, dalga boyuna ve sıcaklığa bağlı olarak 0,29 ve 0,53 arasında bulunmuştur. Spektral foto tepki ölçümleri, Casio ve Sanyo güneş pillerinde 590 nm civarında, Schottky güneş pilinde ise 670 nm'de maksimum değerler vermektedir. Casio ve Sanyo güneş pilleri, Schottky güneş pilinden daha geniş bir spektruma sahiptir. Fotoakımın, uyarıcı ışık şiddetine bağlı ölçümlerinden, IocGv güç-yasasındaki v üstel terim değerleri farklı besleme (ileri ve ters) gerilimlerinde ve sıcaklıklarda hesaplandı. Üstel terim v değerlerinin uygulanan gerilime ve sıcaklığa bağlı olduğu bulunmuştur. Ancak v nün hesaplanan tüm değerleri 0,21 ile 0,96 arasında değişmektedir. Fotoakımın sıcaklığa bağlı ölçümlerinden Schottky güneş pilinin aktivasyon enerji değerleri ileri ve ters beslemin değişik değerleri için belirlendi. Elde edilen sonuçlar ayrıntılı bir şekilde analiz edildi ve literatürde önerilen fotoakım modelleriyle karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
VI SUMMARY In this thesis, we have measured photocurrents of hydrogenated amorphous silicon (a- Si:H) p-i-n (Casio and Sanyo types) and Schottky solar cells as a function of bias voltage, excitation light intensity and wavelength, and temperature. The dark current was also measured for comparison purposes. From the current-voltage (I-V) characteristics, the fill factors were determined for various illumination intensities and wavelengths, and temperature. All values of fill factors were found to be between 0.29 and 0.53 depending on illumination, wavelength and temperature. Spectral photoresponse measurements give maximum currents at around 590 nm for Casio and Sanyo, and at 670 nm for Schottky type solar cells. Casio and Sanyo type solar cells have a broad spectra than that of Schottky solar cell. From the intensity dependence of photocurrent, the exponent v values in the power-law relationship IoGv, were calculated for different bias voltages (forward and reverse) and temperatures. The v values are found to be dependent on bias voltage and temperature. All its calculated values are between 0.2 and 0.96. Activation energy values of Schottky cell were determined from the temperature-dependent photocurrent measurements for various values of applied forward and reverse voltages. All results were analysed in detail and compared with the proposed photocurrent models in the literature.
Benzer Tezler
- Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde frekans bağımlı foto-akım ölçümleri
Frequency dependent photo-current measurements on hydrogenated amorphous silicon solar cells
MEHMET YANAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ. HAZİRET DURMUŞ
- Yenilenebilir enerji kaynaklarnın fen eğitimindeki önemi
Importance of renewable energy resources in science education
ESRA ÇELİK
- Production of amorphous silicon /p-type crystalline silicon heterojunction solar cells by sputtering and PECVD methods
Amorf silisyum/p-tipi kristal silisyum heteroeklem güneş gözelerinin saçtırma ve PECVD tekniği ile üretilmesi
ZEYNEP DENİZ EYGİ
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Plazma ile büyütülmüş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin fotolüminesans özelliklerinin incelenmesi
Investigation of photoluminescence properties of plasma deposited hydrogenated amorphous silicon carbide thin films
İBRAHİM GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KIVANÇ SEL
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU