Geri Dön

Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde fotoiletkenlik çalışmaları

Photoconductivity studies of hydrogenated amorphous silicon solar cells

  1. Tez No: 83894
  2. Yazar: MEHMET ŞAHİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

ÖZET Bu tezde, hidroj enlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) p-i-n (Casio ve Sanyo tipleri) ve Schottky güneş pillerinde, fotoakımın uygulanan gerilimin, uyarıcı ışık şiddetinin ve dalga boyunun ve sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçülmüştür. Karşılaştırma amacı için aynı zamanda karanlık akım-gerilim (I-V) ölçümleri de yapıldı. Uyarıcı ışığın farklı dalga boyu ve şiddetlerinde, ve değişik sıcaklıklarda ölçülen I-V karakteristiklerinden dolum (fiil) faktörleri belirlendi. Hesaplanan tüm dolum faktörü değerleri kullanılan ışık şiddetine, dalga boyuna ve sıcaklığa bağlı olarak 0,29 ve 0,53 arasında bulunmuştur. Spektral foto tepki ölçümleri, Casio ve Sanyo güneş pillerinde 590 nm civarında, Schottky güneş pilinde ise 670 nm'de maksimum değerler vermektedir. Casio ve Sanyo güneş pilleri, Schottky güneş pilinden daha geniş bir spektruma sahiptir. Fotoakımın, uyarıcı ışık şiddetine bağlı ölçümlerinden, IocGv güç-yasasındaki v üstel terim değerleri farklı besleme (ileri ve ters) gerilimlerinde ve sıcaklıklarda hesaplandı. Üstel terim v değerlerinin uygulanan gerilime ve sıcaklığa bağlı olduğu bulunmuştur. Ancak v nün hesaplanan tüm değerleri 0,21 ile 0,96 arasında değişmektedir. Fotoakımın sıcaklığa bağlı ölçümlerinden Schottky güneş pilinin aktivasyon enerji değerleri ileri ve ters beslemin değişik değerleri için belirlendi. Elde edilen sonuçlar ayrıntılı bir şekilde analiz edildi ve literatürde önerilen fotoakım modelleriyle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

VI SUMMARY In this thesis, we have measured photocurrents of hydrogenated amorphous silicon (a- Si:H) p-i-n (Casio and Sanyo types) and Schottky solar cells as a function of bias voltage, excitation light intensity and wavelength, and temperature. The dark current was also measured for comparison purposes. From the current-voltage (I-V) characteristics, the fill factors were determined for various illumination intensities and wavelengths, and temperature. All values of fill factors were found to be between 0.29 and 0.53 depending on illumination, wavelength and temperature. Spectral photoresponse measurements give maximum currents at around 590 nm for Casio and Sanyo, and at 670 nm for Schottky type solar cells. Casio and Sanyo type solar cells have a broad spectra than that of Schottky solar cell. From the intensity dependence of photocurrent, the exponent v values in the power-law relationship IoGv, were calculated for different bias voltages (forward and reverse) and temperatures. The v values are found to be dependent on bias voltage and temperature. All its calculated values are between 0.2 and 0.96. Activation energy values of Schottky cell were determined from the temperature-dependent photocurrent measurements for various values of applied forward and reverse voltages. All results were analysed in detail and compared with the proposed photocurrent models in the literature.

Benzer Tezler

  1. Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde frekans bağımlı foto-akım ölçümleri

    Frequency dependent photo-current measurements on hydrogenated amorphous silicon solar cells

    MEHMET YANAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ. HAZİRET DURMUŞ

  2. Yenilenebilir enerji kaynaklarnın fen eğitimindeki önemi

    Importance of renewable energy resources in science education

    ESRA ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    EnerjiMersin Üniversitesi

    İlköğretim Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RUHİ KAPLAN

  3. Production of amorphous silicon /p-type crystalline silicon heterojunction solar cells by sputtering and PECVD methods

    Amorf silisyum/p-tipi kristal silisyum heteroeklem güneş gözelerinin saçtırma ve PECVD tekniği ile üretilmesi

    ZEYNEP DENİZ EYGİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  4. Plazma ile büyütülmüş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin fotolüminesans özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of photoluminescence properties of plasma deposited hydrogenated amorphous silicon carbide thin films

    İBRAHİM GÜNEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. KIVANÇ SEL

  5. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU