Si zengin pasivasyon malzemesinin GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerin elektriksel özelliklerine etkisi
Effect of si rich passivation material on electrical properties of GaN based high electron mobility transistors
- Tez No: 841979
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 82
Özet
Bu çalışmada GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerde, SiXNY ve Si-zengin SiXNY iki katmanlı pasivasyon malzemesinin, transistörlerin DC elektriksel özelliklerine etkisi incelenmiştir. AlGaN/GaN tabanlı HEMT'lerde kullanılan pasivasyon malzemesi transistörlerin elektriksel özelliklerini etkilemektedir. GaN tabanlı teknolojilerde elektriksel güvenilirlik problemleri görülmektedir. Bu problemi ortadan kaldırabilecek çözümlerden birisi pasivasyon işlemidir. Bu sebeple pasivasyon malzemesi önem taşımaktadır. İki farklı örnek üzerinden gerçekleştirilen çalışmada silisyum nitrür (SiXNY) kullanılmıştır. Pasivasyon malzemesi kaplama işlemleri plazma geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme yöntemi (PECVD) ile gerçekleştirilmiştir. İlk örnekte aygıtlar 70/3 (Silane-SiH4/Ammonia-NH3) oranında gaz akışı ile 75 nm SiXNY pasivasyon malzemesi, ikinci örnek ise aygıtlar 50/1 (SiH4/NH3) gaz akışı ile 15 nm ve sonrasında 70/3 (SiH4/NH3) gaz akışı ile 60 nm pasivasyon malzemesi ile kaplanmıştır. Aygıtların kapı metal prosesleri tamamlandıktan sonra DC elektriksel ölçümleri gerçekleştirilmiş ve sonuçlar karşılaştırılmıştır. Yapılan ölçümler sonucunda Si-zengin iki katmanlı pasivasyon malzemesi kullanılan aygıtlarda akaç (Id) ve kapı (Ig) kaçak akımlarında azalma olduğu, akım yoğunluğunun (Idss) ve geçiş iletkenliğinin (gm) arttığı görülmüşür. Elde edilen sonuçlar dikkate alınarak Si zengin ve çift katmanlı pasivasyon malzemesi kullanılarak elde edilen aygıtların elektriksel anlamda iyileştiği görülmüştür. Ayrıca iki katmanlı pasivasyon malzemesi kullanılan aygıtların üretim prosesleri tamamlanarak, aygıtların DC elektriksel ölçümleri gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the effect of SiXNY and Si-rich SiXNY bilayer passivation material on DC electrical properties of transistors in GaN-based high electron mobility transistors were investigated. The passivation material used in AlGaN/GaN based HEMTs affects the electrical properties of transistors. Electrical reliability problems are seen in GaN-based technologies. One of the solutions that can eliminate this problem is the passivation process. For this reason, the passivation material is important. Silicon nitride (SiXNY) was used in this study carried out on two different samples. The passivation material coating processes were carried out by the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. In the first sample, the devices were coated 75 nm SiXNY passivation material with a gas flow of 70/3 (Silane-SiH4/Ammonia-NH3), and in the second sample, the devices were coated with a gas flow of 50/1 (SiH4/NH3) at 15 nm and then 70/3 (SiH4/ NH3) were coated with 60 nm passivation material by gas flow. After the gate metal processes of the devices were completed, DC electrical measurements were carried out and the results were compared. As a result of the measurements, it was observed that there was a decrease in leakage currents (Id) and gate (Ig) in devices using Si-rich bilayer passivation materials, and the current density (Idss) and transition conductivity (gm) increased. Considering the results obtained, it was observed that the devices obtained by using Si-rich and bilayer passivation materials improved electrically. In addition, the fabrication processes using bilayer passivation material were completed and DC electrical measurements of the devices were carried out.
Benzer Tezler
- A systematic research on rational design and synthesis of innovative materials for developing high-performance perovskite solar cells
Yüksek performans perovskit güneş hücresi geliştirilmesi için yenilikçi malzemelerin mantıksal tasarımı ve sentezi üzerine sistematik bir araştırma
ALİEKBER KARABAĞ
Doktora
İngilizce
2023
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFen Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
DOÇ. DR. SAFACAN KÖLEMEN
- Si nanocrystals in SiC matrix and infrared spectroscopy of nanocrystals in a dielectric matrix
SiC matris içindeki Si nanokristaller ve dielektrik içindeki nanokristallerin kızıl ötesi spektroscopisi
ARİFE GENCER İMER
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Si ve Si(1-x)Ge(x) nanocrystals: Synthesis, structural characterization, and simultaneous observation of quantum confined and interface related photoluminescence
Si ve Si(1-x)Ge(x) nanokristalleri: Sentezlenmesi, yapısal karakterizasyonu ve quantum hapsolma ve arayüzey kaynakli fotolüminesansinin ayni anda gözlenmesi
NADER ASGHAR POUR MOGHADDAM
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Hadis şerhçiliğinde sosyokültürel yapıya ilişkin bilgilerin hadisin anlaşılmasına etkisi -Fethu'l-Bârî bağlamında-
The effect of knowledge on sociocultural structure in hadith interpretativeness on the understanding of hadith -İn the context of Fath al-Bari-
FATİME GÜLDAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
DinAkdeniz ÜniversitesiTemel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİŞAN TÜRCAN
- Ayvalık ve Edremit yöresinde yetiştirilen Ayvalık zeytin çeşidinin beslenme statüsü ile kimi kalite öğeleri arasındaki ilişkiler
Başlık çevirisi yok
SAİME SEFEROĞLU