Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
- Tez No: 85073
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gözenekli silisyum, Metaller, Nem, Silisyum, Porous silicon, Metals, Moisture, Silicon
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Monokristalik n-tipi silisyumun yüzey bölgesinde, elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum tabakası hazırlandı. Silisyum altlıktan ayrılmış ince tabakalı (yaklaşık 10 um kalınlıkta) gözenekli silisyumun iletkenliği p-tipi, özdirenci p=1.8xlOĞ Q.cm, deliklerin konsantrasyonu p=9.6xl012 cm"3 ve mobilitesi u=0.36 cm /V.s olarak oda sıcaklığında Van der Pauw Yöntemi ile ölçüldü. Elektron bombardımanıyla buharlaştırma yöntemi ile metal (Ag veya Cu)-gözenekli silisyum (GS)- silisyum eklemleri hazırlandı. Eklemlerin farklı şartlarda akım-gerilim karakteristikleri (karanlıkta,aydınlıkta,nem ortamında), fotoakımın spektral dağılımı ve kapasitans-gerilim karakteristikleri incelendi. Ag-GS, GS-Si ve Ag-GS-Si eklemlerin doğrultma katsayısı sırasıyla Kı=40, K2=54 ve K3=196 olarak bulundu. Bu eklemlerdeki potansiyel engel yüksekliği sırasıyla cpKl=0.6 V, <Pk2 =0.4 V ve Co =0.7 V olarak elde edildi. Ag-GS-Si eklemlerin A=300-l 100 nm dalga boyu aralığında fotoduyarlılığı bulundu. Ag-GS-Si eklemlerin akım-gerilim karakteristikleri farklı nem ortamında incelendi ve nemin etkisiyle ters akımın, doğru akıma kıyasla daha fazla arttığı gözlendi. İlk defa nemin etkisiyle Ag-GS-Si yapılarda açık devre geriliminin oluştuğu gözlendi. En iyi örnekte % 85 nispi nem'de V=300 mV kadar gerilim elde edildi. Ag-GS-Si yapılarda, nem ortamında açık devre geriliminin oluşma modeli ileri sürüldü. Elde edilen sonuçlar ve literatürdeki gözenekli silisyuma bağlı parametreler kullanılarak, Ag-GS-Si eklemlerin enerji bant diyagramı çizildi. vııı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Porous silicon (PS) has been obtained by electrochemical method at surface region by n- type monocrystalline silicon. The conductivity, resistivity,concentration of pores and mobility of thin PS layer (the thickness is about 10 um) separated from silicon substrate have been measured by Van der Pauw method at room temperature p-type, p=1.8xl06 n.cm, p=9.6xl012 cm"3 and u=0.36 cmVv.s, respectively. The metal(Ag or Cu)-porous silicon(PS)-silicon junctions have been obtained by evaporating method with bombing electrons at vacuum. The current-voltage characteristics at different conditions (in the light, in the dark,at different humidity conditions), the spectral dispersion of photo-current and capacitance-voltage characteristics of junctions have been investigated. The rectification coefficients of Ag-PS, PS-Si, Ag-PS-Si junctions have been calculated Ki=40, K2=54, K3=196, respectively. The potential barrier height of this junctions have been obtained <Pki =0.6, q>K2=0A, cpK3=0.7, respectively. The photo-sensibility of Ag- PS-Si junctions has been found at the gap of X=300-l 100 nm wavelength. The current-voltage characteristics of Ag-PS-Si junctions have been investigated at different humidity conditions and the increase of reverse current depending on the humidity in comparison to forward current has been observed. For the first, forming of open current voltage depending on the humidity has been observed and the voltage has been obtained about 300 mV [at the relative humidity (Rh2o~85%)] at the best sample. The forming model of open circuit voltage depending on the humidity has been proposed at Ag-PS-Si structures. Using the obtained results and the parameters depending on PS in literatures, the energy band diagram of Ag-PS-Si junctions has been drawn. IX
Benzer Tezler
- Metal (Cu, Au)-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The electrical properties of metal (Cu, Au)-porous silicon junctions
ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Gözenekli silisyum/organik yarıiletken eklemlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of physical properties of porous silicon/organic semiconductor junction
ORHAN ŞENTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- TiO2 - gözenekli silisyum eklemelerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TiO2 - porous silicon joint
MUSTAFA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL