Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
- Tez No: 85073
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 73
Özet
ÖZET Monokristalik n-tipi silisyumun yüzey bölgesinde, elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum tabakası hazırlandı. Silisyum altlıktan ayrılmış ince tabakalı (yaklaşık 10 um kalınlıkta) gözenekli silisyumun iletkenliği p-tipi, özdirenci p=1.8xlOĞ Q.cm, deliklerin konsantrasyonu p=9.6xl012 cm"3 ve mobilitesi u=0.36 cm /V.s olarak oda sıcaklığında Van der Pauw Yöntemi ile ölçüldü. Elektron bombardımanıyla buharlaştırma yöntemi ile metal (Ag veya Cu)-gözenekli silisyum (GS)- silisyum eklemleri hazırlandı. Eklemlerin farklı şartlarda akım-gerilim karakteristikleri (karanlıkta,aydınlıkta,nem ortamında), fotoakımın spektral dağılımı ve kapasitans-gerilim karakteristikleri incelendi. Ag-GS, GS-Si ve Ag-GS-Si eklemlerin doğrultma katsayısı sırasıyla Kı=40, K2=54 ve K3=196 olarak bulundu. Bu eklemlerdeki potansiyel engel yüksekliği sırasıyla cpKl=0.6 V,
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Porous silicon (PS) has been obtained by electrochemical method at surface region by n- type monocrystalline silicon. The conductivity, resistivity,concentration of pores and mobility of thin PS layer (the thickness is about 10 um) separated from silicon substrate have been measured by Van der Pauw method at room temperature p-type, p=1.8xl06 n.cm, p=9.6xl012 cm"3 and u=0.36 cmVv.s, respectively. The metal(Ag or Cu)-porous silicon(PS)-silicon junctions have been obtained by evaporating method with bombing electrons at vacuum. The current-voltage characteristics at different conditions (in the light, in the dark,at different humidity conditions), the spectral dispersion of photo-current and capacitance-voltage characteristics of junctions have been investigated. The rectification coefficients of Ag-PS, PS-Si, Ag-PS-Si junctions have been calculated Ki=40, K2=54, K3=196, respectively. The potential barrier height of this junctions have been obtained K2=0A, cpK3=0.7, respectively. The photo-sensibility of Ag- PS-Si junctions has been found at the gap of X=300-l 100 nm wavelength. The current-voltage characteristics of Ag-PS-Si junctions have been investigated at different humidity conditions and the increase of reverse current depending on the humidity in comparison to forward current has been observed. For the first, forming of open current voltage depending on the humidity has been observed and the voltage has been obtained about 300 mV [at the relative humidity (Rh2o~85%)] at the best sample. The forming model of open circuit voltage depending on the humidity has been proposed at Ag-PS-Si structures. Using the obtained results and the parameters depending on PS in literatures, the energy band diagram of Ag-PS-Si junctions has been drawn. IX
Benzer Tezler
- Metal (Cu, Au)-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The electrical properties of metal (Cu, Au)-porous silicon junctions
ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Gözenekli silisyum/organik yarıiletken eklemlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of physical properties of porous silicon/organic semiconductor junction
ORHAN ŞENTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- TiO2 - gözenekli silisyum eklemelerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TiO2 - porous silicon joint
MUSTAFA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
EnerjiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Development of brazing process in ceramic matrix composites for in-space applications
Uzay uygulamalarında kullanılan seramik matrisli kompozitlerin sert lehimleme proseslerinin geliştirilmesi
EBRAR ÖZBEK EKİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER SERDAR ÖZGEN