GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığına etkisi
The effect of annealing process on hot electron in GaInNAs/GaAs structures
- Tez No: 855276
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ ŞÜKRÜ ARDALI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada, radyo frekanslı plazma kaynağı ile donatılmış katı kaynaklı Moleculer beam epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş, farklı sürelerde tavlanmış Ga0,68In0,32N0,017As0,983/GaAs kuantum kuyusu (QW) yapılarında magnetotransport ölçümleri yapıldı. GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığı, güç kaybı ve enerji durulma zamanları üzerindeki etkisi sıcaklığın ve elektrik alanın fonksiyonu olarak ölçülen Shubnikov-de Haas (SdH) osilasyonlarının bağıl genliklerinin karşılaştırılması yöntemiyle incelendi. Deneyler karanlık ortamda 1,8-40 K sıcaklık aralığında ve 11 T'ya kadar manyetik alan altında, 0,165-5,276 kV/m elektrik alan uygulanarak gerçekleştirildi. Düşük sıcaklık bölgesinde elde edilen deneysel güç kaybı verileriyle teorik güç kaybı modelleri karşılaştırılarak sıcak elektronların soğuma mekanizmaları incelendi. Sıcak elektronların kristal örgüyle perdelenmemiş piezoelektrik ve deformasyon potansiyeli etkileşmesi sonucunda soğudukları gözlemlendi. Ayrıca teorik güç kaybı hesaplamalarında bir uyum parametresi olarak seçilen piezoelektrik gerginlik sabiti (e14) hesaplandı.
Özet (Çeviri)
In this study, magnetotransport measurements were performed in Ga0.68In0.32N0.017As0.983/GaAs quantum well (QW) structures, which were grown by solid-source Molecular beam epitaxy (MBE) technique equipped with radio frequency plasma source. The effect of annealing time on the electron temperature, power loss and energy relaxation rates in GaInNAs/GaAs samples were investigated by comparing the relative amplitudes of Shubnikov-de Haas oscillations as a function of temperature and electric field. Experiments were carried out by applying an electric field between 0.165-5.276 kV/m at a temperature range between 1.8 and 40 K under magnetic up to 11 T in dark medium. The cooling mechanisms of hot electrons were examined by comparing the theoretical power loss models with the experimental power loss data obtained in the low-temperature regime. It was observed that hot electrons cooled as results of unscreened piezoelectric and deformation potential interactions with crystal lattice. Additionally, the piezoelectric stress constant (e14) chosen as a fit parameter in the theoretical power loss calculations was found.
Benzer Tezler
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen
BATTAL GAZİ YALÇIN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL
- Yarıiletken gunn lazerlerin fabrikasyonu için ileri litografik yöntemlerin uygulamaları
Applications of advanced lithographic techniques for the fabrication of semiconductor gunn lasers
LEYLA BAŞAK BÜKLÜ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇETİN ARIKAN
- Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures
OZAN ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ