Yarıiletken gunn lazerlerin fabrikasyonu için ileri litografik yöntemlerin uygulamaları
Applications of advanced lithographic techniques for the fabrication of semiconductor gunn lasers
- Tez No: 496236
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 150
Özet
Çalışma kapsamında, külçe n-tipi GaAs ve kuantum kuyulu p-tipi GaInNAs/GaAs ile çalışıldı. Gunn osilasyonlarının gözlenmesinde örnek katkı konsantrasyonu, geometrisi ve fabrikasyon aşaması önemli yer tutar. Bu sebeple, örnek yapılarının ve geometrisinin belirlenmesinin ardından, ileri litografik yöntemler kullanılarak örnekler mikron boyutunda basit ve Hall bar olmak üzere temiz odada şekillendirildi. Deneysel aşamadan önce süreklenme hızının elektrik alana bağlı değerlerini belirlemek için külçe yapılarda Monte Carlo yöntemi; kuantum kuyulu yapılarda ise, RST modeli kullanılarak simülasyon çalışması yapıldı ve deneysel sonuçlarla karşılaştırıldı. Örnekler üzerinde 77-300 K sıcaklık aralıklarında Hall ölçümleri ve yüksek hızlı akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V ölçümlerinden sürüklenme hızı-elektrik alan grafikleri elde edildi. SPCEM metodu kullanılarak kuantum kuyusu ve bariyerdeki taşıyıcı konsantrasyonları sıcaklığa bağlı olarak ayrı ayrı belirlendi. Bu değerler, RST modelinde kullanılarak elektrik alana bağlı sürüklenme hız değerleri hesaplandı. Gunn osilasyonun gözlendiği örneklerde elektrolüminesans (EL) ölçümleri yapıldı. Buna bağlı olarak EDS sonuçları incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, bulk n-type GaAs and p-type quantum well GaInNAs/GaAs structures were studied. Sample doping concentration, geometry and fabrication process are important in observation of Gunn oscillations. For this reason, following the determination of the sample structure and geometry, micron-sized samples were fabricated in the clean room conditions by using advanced lithographic methods. To determine the drift velocity via electric field, Monte Carlo method was used for bulk structures and RST model for quantum well structures; and these results were compared with the experimental results. Hall measurements and high-speed current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 77-300 K. From the I-V measurements, drift velocity-electric field graphs have been found. The SPCEM method was used to determine the concentration of carriers in the quantum well and barrier as functions of temperature. These values were used in the RST model to find the drift velocity values than depend on the electric field. Electroluminescence (EL) measurements were done on samples which show Gunn oscillations. The results of the EDS have been examined accordingly.
Benzer Tezler
- InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device
GÖKSENİN KALYON
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Wigner crystallization in semiconductor quantum wires and model calculations for 3HE-4HE mixture
Yarıiletken kuvantum tellerindeki wigner kristalleşmesi ve sıvı 3HE-4HE karışımları için model hesaplamaları
IMAD AL-HAYEK
Doktora
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Yarıiletken aletlerin nümerik modellemesi
Numerical modelling of semiconductor devices
M. İZZETTİN YILMAZER
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
- Yarıiletken elektrotlu iyonizasyon sisteminin karakteristik özellikleri
Başlık çevirisi yok
SELVA (YAVUZ) BÜYÜKAKKAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU
- Bazı amin-metal komplekslerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical properties of some amine-metal complexes
FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. YILDIRIM AYDOĞDU