Geri Dön

Yarıiletken gunn lazerlerin fabrikasyonu için ileri litografik yöntemlerin uygulamaları

Applications of advanced lithographic techniques for the fabrication of semiconductor gunn lasers

  1. Tez No: 496236
  2. Yazar: LEYLA BAŞAK BÜKLÜ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 150

Özet

Çalışma kapsamında, külçe n-tipi GaAs ve kuantum kuyulu p-tipi GaInNAs/GaAs ile çalışıldı. Gunn osilasyonlarının gözlenmesinde örnek katkı konsantrasyonu, geometrisi ve fabrikasyon aşaması önemli yer tutar. Bu sebeple, örnek yapılarının ve geometrisinin belirlenmesinin ardından, ileri litografik yöntemler kullanılarak örnekler mikron boyutunda basit ve Hall bar olmak üzere temiz odada şekillendirildi. Deneysel aşamadan önce süreklenme hızının elektrik alana bağlı değerlerini belirlemek için külçe yapılarda Monte Carlo yöntemi; kuantum kuyulu yapılarda ise, RST modeli kullanılarak simülasyon çalışması yapıldı ve deneysel sonuçlarla karşılaştırıldı. Örnekler üzerinde 77-300 K sıcaklık aralıklarında Hall ölçümleri ve yüksek hızlı akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V ölçümlerinden sürüklenme hızı-elektrik alan grafikleri elde edildi. SPCEM metodu kullanılarak kuantum kuyusu ve bariyerdeki taşıyıcı konsantrasyonları sıcaklığa bağlı olarak ayrı ayrı belirlendi. Bu değerler, RST modelinde kullanılarak elektrik alana bağlı sürüklenme hız değerleri hesaplandı. Gunn osilasyonun gözlendiği örneklerde elektrolüminesans (EL) ölçümleri yapıldı. Buna bağlı olarak EDS sonuçları incelendi.

Özet (Çeviri)

In this study, bulk n-type GaAs and p-type quantum well GaInNAs/GaAs structures were studied. Sample doping concentration, geometry and fabrication process are important in observation of Gunn oscillations. For this reason, following the determination of the sample structure and geometry, micron-sized samples were fabricated in the clean room conditions by using advanced lithographic methods. To determine the drift velocity via electric field, Monte Carlo method was used for bulk structures and RST model for quantum well structures; and these results were compared with the experimental results. Hall measurements and high-speed current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 77-300 K. From the I-V measurements, drift velocity-electric field graphs have been found. The SPCEM method was used to determine the concentration of carriers in the quantum well and barrier as functions of temperature. These values were used in the RST model to find the drift velocity values than depend on the electric field. Electroluminescence (EL) measurements were done on samples which show Gunn oscillations. The results of the EDS have been examined accordingly.

Benzer Tezler

  1. InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device

    GÖKSENİN KALYON

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  2. Wigner crystallization in semiconductor quantum wires and model calculations for 3HE-4HE mixture

    Yarıiletken kuvantum tellerindeki wigner kristalleşmesi ve sıvı 3HE-4HE karışımları için model hesaplamaları

    IMAD AL-HAYEK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  3. Yarıiletken aletlerin nümerik modellemesi

    Numerical modelling of semiconductor devices

    M. İZZETTİN YILMAZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR

  4. Yarıiletken elektrotlu iyonizasyon sisteminin karakteristik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    SELVA (YAVUZ) BÜYÜKAKKAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU

  5. Bazı amin-metal komplekslerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The Investigation of electrical properties of some amine-metal complexes

    FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. YILDIRIM AYDOĞDU