Yarıiletken gunn lazerlerin fabrikasyonu için ileri litografik yöntemlerin uygulamaları
Applications of advanced lithographic techniques for the fabrication of semiconductor gunn lasers
- Tez No: 496236
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 150
Özet
Çalışma kapsamında, külçe n-tipi GaAs ve kuantum kuyulu p-tipi GaInNAs/GaAs ile çalışıldı. Gunn osilasyonlarının gözlenmesinde örnek katkı konsantrasyonu, geometrisi ve fabrikasyon aşaması önemli yer tutar. Bu sebeple, örnek yapılarının ve geometrisinin belirlenmesinin ardından, ileri litografik yöntemler kullanılarak örnekler mikron boyutunda basit ve Hall bar olmak üzere temiz odada şekillendirildi. Deneysel aşamadan önce süreklenme hızının elektrik alana bağlı değerlerini belirlemek için külçe yapılarda Monte Carlo yöntemi; kuantum kuyulu yapılarda ise, RST modeli kullanılarak simülasyon çalışması yapıldı ve deneysel sonuçlarla karşılaştırıldı. Örnekler üzerinde 77-300 K sıcaklık aralıklarında Hall ölçümleri ve yüksek hızlı akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V ölçümlerinden sürüklenme hızı-elektrik alan grafikleri elde edildi. SPCEM metodu kullanılarak kuantum kuyusu ve bariyerdeki taşıyıcı konsantrasyonları sıcaklığa bağlı olarak ayrı ayrı belirlendi. Bu değerler, RST modelinde kullanılarak elektrik alana bağlı sürüklenme hız değerleri hesaplandı. Gunn osilasyonun gözlendiği örneklerde elektrolüminesans (EL) ölçümleri yapıldı. Buna bağlı olarak EDS sonuçları incelendi.
Özet (Çeviri)
In this study, bulk n-type GaAs and p-type quantum well GaInNAs/GaAs structures were studied. Sample doping concentration, geometry and fabrication process are important in observation of Gunn oscillations. For this reason, following the determination of the sample structure and geometry, micron-sized samples were fabricated in the clean room conditions by using advanced lithographic methods. To determine the drift velocity via electric field, Monte Carlo method was used for bulk structures and RST model for quantum well structures; and these results were compared with the experimental results. Hall measurements and high-speed current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 77-300 K. From the I-V measurements, drift velocity-electric field graphs have been found. The SPCEM method was used to determine the concentration of carriers in the quantum well and barrier as functions of temperature. These values were used in the RST model to find the drift velocity values than depend on the electric field. Electroluminescence (EL) measurements were done on samples which show Gunn oscillations. The results of the EDS have been examined accordingly.
Benzer Tezler
- InGaAs Gunn diyodu tabanlı ışık yayan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterisation of InGaAs Gunn diode-based light emitting device
GÖKSENİN KALYON
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HATİCE HİLAL YÜCEL
- The bound exciton to an ionized donor impurity in semiconductor spherical quantum dot
Yarıiletken küresel kuantum noktasında iyonize olmuş bir verici safsızlığına bağlı exciton
BAHADIR OZAN AKTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. HAKAN EPİK
- Yarı iletken kristallerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of semiconductors
UFUK DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. AYDIN ULUBEY
- Au/p-Si yapılarının elektriksel özellikleri üzerine arayüzey tabakasının etkisi
The effect of interface layer on the electrical characteristics of au / p-Si structures
MİNE KESKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ