Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures
- Tez No: 528838
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Bu çalışmada, Ga_(1-x) Al_x As/GaAs ve Ga_(1-x) In_x As/GaAs yapılardan oluşan hem simetrik-asimetrik çift kuantum kuyuları hem de asimetrik üçlü kuantum kuyularının elektronik özellikleri (enerji özdeğer ve özfonksiyonları, olasılık yoğunlukları), sistemin ayarlanabilir fiziksel parametreleri (kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığı) bağlı olarak araştırılmıştır. Etkin kütle yaklaşımı kullanılarak, potansiyel profili tasarlanan sistemin enerji seviyeleri ve dalga fonksiyonları, Schrödinger dalga denkleminin çözümüyle hesaplanmış ve ilgili yapıların elektronik özellikleri karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre; GaAlAs/GaAs yapıların elektronik özelliklerinin değişimi, sistemdeki fiziksel parametrelere GaInAs/GaAs yapısından daha duyarlıdır. Yapı parametrelerine bağlı olarak sistemlerin elektronik yapılarının değişimi, kuyu genişliği, potansiyel yüksekliği ve engel kalınlığının amaca yönelik ayarlanabilir parametreler biçiminde değerlendirilmesine olanak sağlar.
Özet (Çeviri)
In this study, the electronic properties (energy eigenvalues and eigenfunctions, probability densities) of both symmetric-asymmetric double quantum wells and asymmetric triple quantum wells consisting of Ga_(1-x) Al_x As/GaAs and Ga_(1-x) In_x As/GaAs structures have been investigated depending on the adjustable structure parameters (well width, potential height and barrier thickness) of the system. Using the effective mass approach, the energy levels and wave functions of the system with the potential profile are calculated by solving the Schrödinger wave equation and the electronic properties of the related structures are compared. According to the results obtained; the change of electronic properties of GaAlAs/GaAs structure is more sensitive than GaInAs/GaAs structure to the physical parameters in the system. The variation of electronic structures of the systems as depending on the structure parameters allows the evaluation of well width, potential height and barrier thickness in the form of adjustable parameters for the purpose.
Benzer Tezler
- Üçlü kuantum kuyularındaki hidrojenik sistemlerin elektronik ve optik özelliklerinin dış alanlar altındaki değişimi
The variation under the external fields of the electronic and optical properties of the hydrogenic systems in triple quantum wells
YASEMİN ADIBELLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ESİN KASAPOĞLU
- Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotların kuantum verimi ve değerlerinin belirlenmesi
Determination of quantum yield values of GaAlAs/GaAs transmission mode photocathodes
ÖMER FARUK FARSAKOĞLU
Doktora
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ZENGİN D. MEHMET
- Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields
FARUK BAŞPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR
- Identification of epigenetic factors that will overcome therapy resistance in triple-negative breast cancer
Üçlü negatif meme kanserinde tedavi direncini kırabilecek epigenetik faktörlerin belirlenmesi
ÖZLEM YEDİER BAYRAM
Doktora
İngilizce
2022
BiyolojiKoç ÜniversitesiMoleküler Biyoloji ve Genetik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TUĞBA BAĞCI ÖNDER
- Hiperbolik Pöschl-Teller potansiyel üçlü kuantum bariyerlerinin rezonant tünelleme özelliklerinin incelenmesi
Investigation of resonant tunneling properties of Hyperbolic Pöschl-Teller potential triple quantum barriers
ABDURRAHMAN UKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET BATI