5G uygulamaları için sinx pasivasyon tabakasının AlGaN/GaN HEMT'lere etkisi
Effect of sinx passivation layer on AlGaN/GaN HEMTs for 5G applications
- Tez No: 860396
- Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ASAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, aynı epitaksiyel yapı ve üretim süreçleri kullanılarak üretilmiş iki farklı silikon nitrat (SiNx) pasivasyon tekniğinin karşılaştırmalı analiz sonuçları sunulmaktadır. AlGaN/GaN yüksek elektron hareketliliği transistörü (HEMT), mükemmel cihaz özellikleri sergileyerek yüksek güç, yüksek frekans ve düşük gürültü uygulamaları için mükemmel adaylar haline gelmiştir. Ancak, GaN HEMT'lerin yüksek frekansta büyük sinyal işlem operasyonundaki tam potansiyeli, epitaksiyel yapı ve pasivasyon katmanı arasındaki tuzak etkileri ve sızıntı akımları tarafından sınırlıdır. Bir SiNx pasivasyon katmanı, yüzeyde elektron tuzaklanmasını önlemek için yüzeydeki tuzağa düşmüş negatif elektronları nötralize etmek için ekstra pozitif yükler sağlayarak yaygın bir şekilde kullanılmıştır. Bu karşılaştırmalı çalışmanın amacı, transistörün DC ve RF performansı üzerinde hem plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) hem de indüktif eşlenmiş plazma kimyasal buhar biriktirme (ICPCVD) teknikleri kullanılarak üretilen 75 nm kalınlığında SiNx pasivasyon katmanlarının etkilerini araştırmaktadır.
Özet (Çeviri)
In this paper, the results of a comparative analysis of two alternative SiNx passivation techniques of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) manufactured using identical epitaxial structure and fabrication processes presented. AlGaN/GaN HEMT has demonstrated excellent device characteristics, making them excellent candidates for high power, high frequency, and low noise applications. However, the full potential of GaN HEMTs in large signal operation at high frequency is limited by trapping effects and leakage currents at the interface between the epitaxial structure and passivation layer. A SiNx passivation layer has commonly been used to prevent electron trapping at the surface by providing extra positive charges to neutralize trapped negative electrons on the surface. This comparative study investigates the effects of a 75 nm SiNx passivation layer fabricated using both plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) techniques on the DC and RF performance of the transistor.
Benzer Tezler
- Prizmatik mafsal içinden kayan elastik çubukların dinamiği
The Dynamics of elastic beams sliding through a prismatic joint
ŞEFAATDİN YÜKSEL
- Wave propagation in lineary tapared homogeneous dielectric waveguides
İki boyutlu homojen dielektrik kama içerisinde dalga propagasyonu
BURAK POLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. ERCAN TOPUZ
- Timaran teknelerde yan teknelerin bilgisayarla konum optimizasyonu
Başlık çevirisi yok
MURAT KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Gemi Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiGemi İnşaatı ve Gemi Makineleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER GÖREN
- Biyomedikal uygulamalarda kullanılan saf titanyum/kobalt ve alaşımlarının toz metalurjisi yöntemi ile üretilmesi ve uygulanabilirliğinin araştırılması
Development of pure titanium / cobalt and their alloys by powder metallurgy method for biomedical applications and investigation of their applicabilities
EBUZER AYGÜL
Doktora
Türkçe
2020
Mekatronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SENAİ YALÇINKAYA
PROF. DR. YUSUF ŞAHİN