Geri Dön

5G uygulamaları için sinx pasivasyon tabakasının AlGaN/GaN HEMT'lere etkisi

Effect of sinx passivation layer on AlGaN/GaN HEMTs for 5G applications

  1. Tez No: 860396
  2. Yazar: YAĞMUR GÜLER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ASAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Bu çalışmada, aynı epitaksiyel yapı ve üretim süreçleri kullanılarak üretilmiş iki farklı silikon nitrat (SiNx) pasivasyon tekniğinin karşılaştırmalı analiz sonuçları sunulmaktadır. AlGaN/GaN yüksek elektron hareketliliği transistörü (HEMT), mükemmel cihaz özellikleri sergileyerek yüksek güç, yüksek frekans ve düşük gürültü uygulamaları için mükemmel adaylar haline gelmiştir. Ancak, GaN HEMT'lerin yüksek frekansta büyük sinyal işlem operasyonundaki tam potansiyeli, epitaksiyel yapı ve pasivasyon katmanı arasındaki tuzak etkileri ve sızıntı akımları tarafından sınırlıdır. Bir SiNx pasivasyon katmanı, yüzeyde elektron tuzaklanmasını önlemek için yüzeydeki tuzağa düşmüş negatif elektronları nötralize etmek için ekstra pozitif yükler sağlayarak yaygın bir şekilde kullanılmıştır. Bu karşılaştırmalı çalışmanın amacı, transistörün DC ve RF performansı üzerinde hem plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) hem de indüktif eşlenmiş plazma kimyasal buhar biriktirme (ICPCVD) teknikleri kullanılarak üretilen 75 nm kalınlığında SiNx pasivasyon katmanlarının etkilerini araştırmaktadır.

Özet (Çeviri)

In this paper, the results of a comparative analysis of two alternative SiNx passivation techniques of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) manufactured using identical epitaxial structure and fabrication processes presented. AlGaN/GaN HEMT has demonstrated excellent device characteristics, making them excellent candidates for high power, high frequency, and low noise applications. However, the full potential of GaN HEMTs in large signal operation at high frequency is limited by trapping effects and leakage currents at the interface between the epitaxial structure and passivation layer. A SiNx passivation layer has commonly been used to prevent electron trapping at the surface by providing extra positive charges to neutralize trapped negative electrons on the surface. This comparative study investigates the effects of a 75 nm SiNx passivation layer fabricated using both plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) techniques on the DC and RF performance of the transistor.

Benzer Tezler

  1. Compact MIMO Antenna Array for 5G Applications based Novel Modified-Koch Fractal Geometry

    5G Uygulamaları için Kompakt MIMO Anten Dizisi tabanlı Roman Modifiye Koch Fraktal Geometri

    HASSAN ALI HINDI AL-AMERI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN NURİ UÇAN

  2. Improved robustness, stability and linearity in GaN based high electron mobility transistors for 5g applications

    5g uygulamaları için GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerde geliştirilmiş sağlamlık, kararlılık, ve doğrusallık

    OĞUZ ODABAŞI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

    DR. BAYRAM BÜTÜN

  3. A compact low sar value circularly polarized wearable antenna design for 5G applications

    5G uygulamaları için kompakt düşük sar değerli dairesel polarize giyilebilir anten tasarımı

    MELİH GÖKDEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FUNDA AKLEMAN YAPAR

    DOÇ. DR. SAEID KARAMZADEH

  4. 4x1 MIMOompact half duplex RF T / R module with high resolution in 130 nm SiGe BiCMOS for 5G applications

    5G uygulamaları için 130 nm SiGe BiCMOS'da yüksek çözünürlüklü 4x1 MIMO kompakt yarım dubleks RF T / R modülü

    ABDURRAHMAN BURAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  5. Cantilever-based RF-MEMS switches for 5G applications

    5g uygulamalari için konsol tabanlı RF-MEMS anahtarları

    HEBA AHMED HAMED SHAKER SALEH HEBA AHMED HAMED SHAKER SALEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KAYA YAPICI