5G uygulamaları için sinx pasivasyon tabakasının AlGaN/GaN HEMT'lere etkisi
Effect of sinx passivation layer on AlGaN/GaN HEMTs for 5G applications
- Tez No: 860396
- Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ASAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Bu çalışmada, aynı epitaksiyel yapı ve üretim süreçleri kullanılarak üretilmiş iki farklı silikon nitrat (SiNx) pasivasyon tekniğinin karşılaştırmalı analiz sonuçları sunulmaktadır. AlGaN/GaN yüksek elektron hareketliliği transistörü (HEMT), mükemmel cihaz özellikleri sergileyerek yüksek güç, yüksek frekans ve düşük gürültü uygulamaları için mükemmel adaylar haline gelmiştir. Ancak, GaN HEMT'lerin yüksek frekansta büyük sinyal işlem operasyonundaki tam potansiyeli, epitaksiyel yapı ve pasivasyon katmanı arasındaki tuzak etkileri ve sızıntı akımları tarafından sınırlıdır. Bir SiNx pasivasyon katmanı, yüzeyde elektron tuzaklanmasını önlemek için yüzeydeki tuzağa düşmüş negatif elektronları nötralize etmek için ekstra pozitif yükler sağlayarak yaygın bir şekilde kullanılmıştır. Bu karşılaştırmalı çalışmanın amacı, transistörün DC ve RF performansı üzerinde hem plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) hem de indüktif eşlenmiş plazma kimyasal buhar biriktirme (ICPCVD) teknikleri kullanılarak üretilen 75 nm kalınlığında SiNx pasivasyon katmanlarının etkilerini araştırmaktadır.
Özet (Çeviri)
In this paper, the results of a comparative analysis of two alternative SiNx passivation techniques of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) manufactured using identical epitaxial structure and fabrication processes presented. AlGaN/GaN HEMT has demonstrated excellent device characteristics, making them excellent candidates for high power, high frequency, and low noise applications. However, the full potential of GaN HEMTs in large signal operation at high frequency is limited by trapping effects and leakage currents at the interface between the epitaxial structure and passivation layer. A SiNx passivation layer has commonly been used to prevent electron trapping at the surface by providing extra positive charges to neutralize trapped negative electrons on the surface. This comparative study investigates the effects of a 75 nm SiNx passivation layer fabricated using both plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) techniques on the DC and RF performance of the transistor.
Benzer Tezler
- Compact MIMO Antenna Array for 5G Applications based Novel Modified-Koch Fractal Geometry
5G Uygulamaları için Kompakt MIMO Anten Dizisi tabanlı Roman Modifiye Koch Fraktal Geometri
HASSAN ALI HINDI AL-AMERI
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolAltınbaş ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN NURİ UÇAN
- Improved robustness, stability and linearity in GaN based high electron mobility transistors for 5g applications
5g uygulamaları için GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerde geliştirilmiş sağlamlık, kararlılık, ve doğrusallık
OĞUZ ODABAŞI
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
DR. BAYRAM BÜTÜN
- A compact low sar value circularly polarized wearable antenna design for 5G applications
5G uygulamaları için kompakt düşük sar değerli dairesel polarize giyilebilir anten tasarımı
MELİH GÖKDEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FUNDA AKLEMAN YAPAR
DOÇ. DR. SAEID KARAMZADEH
- 4x1 MIMOompact half duplex RF T / R module with high resolution in 130 nm SiGe BiCMOS for 5G applications
5G uygulamaları için 130 nm SiGe BiCMOS'da yüksek çözünürlüklü 4x1 MIMO kompakt yarım dubleks RF T / R modülü
ABDURRAHMAN BURAK
Doktora
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Cantilever-based RF-MEMS switches for 5G applications
5g uygulamalari için konsol tabanlı RF-MEMS anahtarları
HEBA AHMED HAMED SHAKER SALEH HEBA AHMED HAMED SHAKER SALEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KAYA YAPICI