5G uygulamaları için sinx pasivasyon tabakasının AlGaN/GaN HEMT'lere etkisi
Effect of sinx passivation layer on AlGaN/GaN HEMTs for 5G applications
- Tez No: 860396
- Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ASAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Bu çalışmada, aynı epitaksiyel yapı ve üretim süreçleri kullanılarak üretilmiş iki farklı silikon nitrat (SiNx) pasivasyon tekniğinin karşılaştırmalı analiz sonuçları sunulmaktadır. AlGaN/GaN yüksek elektron hareketliliği transistörü (HEMT), mükemmel cihaz özellikleri sergileyerek yüksek güç, yüksek frekans ve düşük gürültü uygulamaları için mükemmel adaylar haline gelmiştir. Ancak, GaN HEMT'lerin yüksek frekansta büyük sinyal işlem operasyonundaki tam potansiyeli, epitaksiyel yapı ve pasivasyon katmanı arasındaki tuzak etkileri ve sızıntı akımları tarafından sınırlıdır. Bir SiNx pasivasyon katmanı, yüzeyde elektron tuzaklanmasını önlemek için yüzeydeki tuzağa düşmüş negatif elektronları nötralize etmek için ekstra pozitif yükler sağlayarak yaygın bir şekilde kullanılmıştır. Bu karşılaştırmalı çalışmanın amacı, transistörün DC ve RF performansı üzerinde hem plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) hem de indüktif eşlenmiş plazma kimyasal buhar biriktirme (ICPCVD) teknikleri kullanılarak üretilen 75 nm kalınlığında SiNx pasivasyon katmanlarının etkilerini araştırmaktadır.
Özet (Çeviri)
In this paper, the results of a comparative analysis of two alternative SiNx passivation techniques of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) manufactured using identical epitaxial structure and fabrication processes presented. AlGaN/GaN HEMT has demonstrated excellent device characteristics, making them excellent candidates for high power, high frequency, and low noise applications. However, the full potential of GaN HEMTs in large signal operation at high frequency is limited by trapping effects and leakage currents at the interface between the epitaxial structure and passivation layer. A SiNx passivation layer has commonly been used to prevent electron trapping at the surface by providing extra positive charges to neutralize trapped negative electrons on the surface. This comparative study investigates the effects of a 75 nm SiNx passivation layer fabricated using both plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) techniques on the DC and RF performance of the transistor.
Benzer Tezler
- 5G uygulamaları için 5.2 GHz tek-bant özel yarıklı dikdörtgen yama mikroşerit anten ile 2.4 GHz ve 5.1 GHz çift-bant özel yamalı mikroşerit anten tasarımları
Designs of a 5.2 GHz single-band custom-slotted rectangular patch microstrip antenna and a 2.4 GHz and 5.1 GHz dual-band custom-patch microstrip antenna for 5G applications
ABUBAKER OSMAN AHMED OSMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKütahya Dumlupınar ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BAHADIR HİÇDURMAZ
- Design of a highly efficient and linear driver power amplifier for 5G applications
5G uygulamaları için yüksek verimli ve dogrusal sürücü güç kuvvetlendiricisi tasarımı
YUSUF DENİZ TANDOĞAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- 5G uygulamaları için dizi yama anten tasarımı ve optimizasyonu
Patch grid antenna design and optimization for 5g applications
ALP EREN BAKIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesiİletişim Sistemleri Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SEBAHATTİN EKER
- 5G uygulamaları için DGS kullanılarak mikroşerit yapıların analizi
Analysis of microstrip structures using DGS for 5G applications
BURAK DÖKMETAŞ
Doktora
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURSEL AKÇAM
PROF. DR. ERDEM YAZGAN
- 5G uygulamaları için bant geçiren mikroşerit filtre tasarımı
Microstrip band-pass filter design for 5G application
BURAK AÇIKALIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Mühendislik BilimleriGazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURSEL AKÇAM
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURAK DÖKMETAŞ