Geri Dön

Sige HBT prosesinde yüksek performanslı X-bant PIN diyot tasarım ve benzetimi

Design and simulation of a high performance X-band PIN diode in sige HBT process

PDF İndir

  1. Tez No: 860779
  2. Yazar: ENES CESUR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ALİ TANGEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

PIN diyotlar adından kolayca anlaşılacağı gibi bir diyot türüdür. En çok bilinen diyot türlerinden olan PN birleşimli diyottan temel farkı PIN diyotun P_tipi (P_type), Katkısız (Intrinsic) ve N_tipi (N_type) olmak üzere üç bölgeden oluşmasıdır. PIN diyotun adı bu üç bölgenin İngilizce adlarının baş harflerinden gelmektedir. PIN diyotlar RF ve mikrodalga uygulamalarında anahtarlama, faz kaydırma, modülatör, zayıflatma ve limitör devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Bu tez çalışmasında öncelikli olarak PIN diyotlar hakkında genel bilgiler verilmiş, çalışma şekli, diyot fiziği, üretim aşamaları detaylı olarak incelenmiştir. Daha sonra anahtarlama devrelerinde kullanılacak olan PIN diyotlara odaklanılarak, anahtarlama performansı açısından hangi özelliklerde olması gerektiği verilmiştir. Bilim literatüründe bu özelliklerin hangi tasarım parametreleriyle elde edildiği etraflıca araştırılıp gösterilmiştir. Bu tez çalışmasında YİTAL 0,25um SiGe HBT prosesinde tümleşik olarak üretilecek olan yüksek performanslı, yüksek izolasyonlu PIN diyotun tasarım parametreleri detaylı olarak anlatılmıştır. Bu parametrelere göre proses simülasyonu ve elektriksel simülasyonlar yapılıp, SPICE parametreleri çıkartılmıştır. Ardından bu prosesin üretim adımları tek tek görselliğe sunulmuştur. 4x4um2 anot alanlı, düşük giriş kayıplı (30 dB) X bant PIN diyotun standart SiGe proseslerinde MMIC (monolitik mikrodalga tümdevreleri) için müthiş bir potansiyele sahip olduğu açığa kavuşturulmuştur.

Özet (Çeviri)

PIN diode is a type of diodes as can be understood easily from its name. The main difference from the basic PN diode is its junction structure, which has three regions as P_type-Intrinsic-N_type. The acronym PIN comes from capital letters of these three junction materials' names. They are widely used in RF and microwave applications for switching, phase shifting, modulating, attenuating, and limiting purposes. In this thesis study, general information about PIN diodes is presented at the beginning. In addition, principles of operation, diode physics and fabrication steps are addressed in detail. Next, PIN diodes to be used in switching circuits are focused on, and the design parameters from switching performance point of view are presented. By which design parameters in the literature, these specifications are met is also investigated and presented. Moreover, design parameters of a high performance PIN diode having high level isolation property to be fabricated in YİTAL 0.25um SiGe HBT process are explanied in detail. The process simulation and circuit simulations are completed based on these parameters to be able to obtain SPICE model parameters of the PIN diode. All procesing steps are also presented visually. Finally, it is shown that the proposed X-Band PIN diode having anode area of 4x4um2, low insertion loss (30 dB) has a great application potential in MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) in SiGe processes.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    348682

    SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays

    X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri

    TOLGA DİNÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  2. Tez No

    444557

    0.13 µm SiGe BiCMOS W&D-Band receivers for passive millimeter-wave imaging applications

    Milimetre dalga pasif görüntüleme sistemleri için 0.13 µm SiGe BiCMOS W&D-Band alıcılar

    BERKTUĞ ÜSTÜNDAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  3. Tez No

    181984

    Power amplifier improvement techniques/circuits in 0.35 micron sige SiGe HBT Technology for 5 GHz wireless LAN band

    0.35 mikron SiGe HBT Teknolojisi ile, 5 GHz kablosuz iletisim bandinda güç amfisi gelistirme teknikleri ve devreleri

    CANAN KAVLAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN

  4. Tez No

    446613

    Active frequency multiplier by 8 mmic in SiGe HBT technology

    SiGe HBT teknolojisinde aktif frekans çarpıcı

    EMRE APAYDIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU

  5. Tez No

    200350

    Design of combined power amplifier using 0.35 micron SiGe HBT technology for IEEE 802.11a standard

    0.35 mikron SiGe HBT teknolojisi ile IEEE 802.11a standardı için birleştirilmiş güç kuvvetlendiricisi tasarımı

    NİLÜFER TONGA KARAKAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2007

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

    DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN

Geri Dön