Yarıiletken aletlerin nümerik modellemesi
Numerical modelling of semiconductor devices
- Tez No: 88081
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, Monte Carlo Metodu, Saçılma mekanizmaları, Simülasyon, Modelleme, Semiconductor, Monte Carlo Method, Scattering mechanism, Simulation, Modeling. II
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
oz YÜKSEK LİSANS TEZİ YARIİLETKEN ALETLERİN NÜMERİK MODELLEMESİ M. izzettin YILMAZER ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Danışman: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDEMİR Yıl: 1999, Sayfa: 98 Jüri: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDEMİR : Prof. Dr. Yüksel UFUKTEPE : Doç. Dr. Ramazan ESEN Yarıiletken aygıtlar endüstrinin bir çok alanında kullanılmaktadır. Aygıtların elektrik ve optik özelliklerinin bilinmesi, kullanım alanlarının gelişmesine yardımcı olacaktır. Bu özelliklerin araştırılması laboratuar çalışmaları ile yapılabileceği gibi bilgisayar simülasyon yöntemleri kullanılarak da yapılabilir. Bu çalışmada yarıiletken malzemelerin nümerik olarak simülasyonunun nasıl yapılabileceğinin araştırılması ve böylece modelleme yardımı ile verilen bir yarıiletken aygıtın çeşitli koşullar altında karakteristiklerinin bulunması amaçlanmıştır. Ayrıca çeşitli malzeme parametrelerinin ve ortam koşullarının etkisi de incelenmiştir. Nümerik simülasyon yöntemi olarak Monte Carlo yöntemi kullanılmıştır. Bu yöntemi kullanmak için yarıiletken malzeme içerisindeki yük taşıyıcılarının malzeme içindeki çeşitli merkezlerle olan etkileşme biçimi bilinmeli ve böylece aygıt Monte Carlo yöntemi ile etkin şekilde modellenebilmektedir. Bu modelleme ile aygıtın performansının ve temel karakteristiklerinin taşıyıcı yoğunluğu; malzemenin safsızlık konsantrasyonu, modellemede kullanılan parçacık sayısı, ortamın sıcaklığı gibi parametrelere bağlılığı da araştırılmıştır. Ayrıca bu işlemler için gerekli olan Fortran programları da yazılmıştır. Monte Carlo yöntemi, birden fazla parçacığın aynı anda simule edilmesini sağladığı, malzeme özelliklerinin kolayca simülasyon programına eklenebilmesine izin verdiği ve ayrıca bütün uzayda çözülmesi gereken bir dalga fonksiyonu yazılmasını gerektirmediğinden uygun ve hızlı bir çözüm yöntemidir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT MSc THESIS NUMERICAL MODELING OF SEMICONDUCTOR DEVICES M. izzettin YILMAZER DEPARTMENT OF PHYSICS INSTITUTE OF NATURAL AND APPLIED SCIENCES UNIVERSITY OF ÇUKUROVA Supervizor: Assist. Prof. Metin ÖZDEMİR Year: 1999, Pages: 98 Jury: Assist. Prof. Metin ÖZDEMİR : Prof. Yüksel UFUKTEPE : Assoc. Prof. Ramazan ESEN Semiconductor devices are used in many different fields in industry. It is important to know the electrical and optical properties of these devices for both their optimum use and for new areas of applications. These properties can be investigated in laboratory studies as well as using computer simulation techniques. The aim of the present study is first to investigate the. methods of numerical simulation of semiconductor devices and then to find the characteristics of a given semiconductor device under various conditions. The effects of environmental conditions and some material parameters on device characteristics are also to be studied. The Monte Carlo Method is used as the numerical simulation technique. In order to use this method effectively, the details of interaction between the charge carriers and the various imperfections in the crystal (phonons, ions, dislocations, impurities etc.) must be known and these interactions should be able to be simulated by the Monte Carlo technique. In this modelling process, the effects of parameters such as temperature, carrier density, impurity concentration on the performance and basic characteristics of the device are also analysed. The required computer programs are written in Fortran language. The Monte Carlo Method is a suitable and fast method to solve many body problems such as transport of charge carriers because it provides simultaneous simulation of many particles, and permits an easy addition of material properties to the simulation program. More importantly it does not require the solution of a wave function for each carrier in the whole space, which would require a tremendous amount of computation time.
Benzer Tezler
- Characterization of conductive properties of thin films in terahertz region
İnce filmlerin iletkenlik özelliklerinin terahertz bölgesinde karakterizasyonu
MERVE AKKAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ALTAN
DOÇ. DR. CUMALİ SABAH
- Talyum galyum disülfid (TlGaS2) ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Thallium gallium disulfide (TlGaS2) thin films
ZEYNEP ÇİÇEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HULUSİ KEMAL ULUTAŞ
- TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi
Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals
EMİN YAKAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- Katkılanmış yarı iletken nanoyapıların geometrik ve elektronik özellikleri
Geometric and electronic properties of doped semiconductor nanostructures
HARUN ÖZKİŞİ
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- TiO2 ile kaplanmış iletken camların optik ve yapısal karakterizasyonları
Optical and structural characterization of conductive glasses coadted TiO2
TUĞBA BİLGİÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR