Geri Dön

Tellüroksit (TeO2) arayüzeye sahip MOS yapıların elektriksel özelliklerin incelenmesi

Investigation of electrical properties of MOS structures with telluroxide (TeO2) interface

  1. Tez No: 886609
  2. Yazar: EBRU DÖNMEZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. OSMAN PAKMA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Bu tez çalışmasında tellüroksit (TeO2) malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine termal buharlaştırma metoduyla katkılanarak Al/TeO2/p-Si metal/oksit/yarıiletken (MOS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle TeO2/p-Si oksit tabakasının X-ışını kırınım (XRD) metoduyla kristal yönelimleri tayin edilmiştir. Elde edilen Al/TeO2/p-Si (MOS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,55 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Yapımızın idealite faktörü değerinin 1'den büyük çıkması Al/p-Si arasındaki oksit arayüzey filminin varlığı ve arayüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Norde ve Cheung metoduyla da seri direnç (Rs) analizleri gerçekleştirilmiştir. Ayrıca Al/TeO2/p-Si (MOS) yapımızın frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; tellüroksit (TeO2) oksit malzemesi, aygıt teknolojisinde kullanılan silisyumoksit malzemesine alternatif malzemelere potansiyeldir.

Özet (Çeviri)

In this thesis study, Al/TeO2/p-Si metal/oxide/semiconductor (MOS) structure was obtained by doping telluroxide (TeO2) material to the metal/semiconductor interface by thermal evaporation method. First of all, the crystal orientations of the TeO2/p-Si oxide layer were determined by the X-ray diffraction (XRD) method. Electrical characterization of the obtained Al/TeO2/p-Si (MOS) structure at room temperature and in the dark was carried out by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. From the I-V results, the ideality factor (n) value was calculated as 1.55 and the zero supply barrier height (B) value was calculated as 0.76 eV. The fact that the ideality factor value of our structure is greater than 1 is attributed to the deviation from ideality due to the presence of the oxide interface film between Al/p-Si and the interfacial state distributions, as well as the high series resistance of the neutral region of the p-Si semiconductor layer. Series resistance (Rs) analyzes were also carried out using the Norde and Cheung method. Additionally, frequency-dependent C-V and conductivity-voltage (G-V) changes of our Al/TeO2/p-Si (MOS) structure were examined. All results were interpreted by comparing them with the literature. In conclusion; telluroxide (TeO2) oxide material is a potential alternative material to silicon oxide material used in device technology.

Benzer Tezler

  1. TeO2-Na2O ikili sisteminin camlaşma davranışının ve faz dengelerinin incelenmesi

    Investigation of glass formation behaviour and phase equilibria of the TeO2-Na2O binary system

    KUTLU BERKAY KAVAKLIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜHEYLA AYDIN

  2. TeO2?CdO sisteminde faz dengelerinin tespiti ve sistemin termodinamik?yapısal?mikroyapısal incelenmesi

    Phase studies and thermodynamic?structural-microstructural characterization of TeO2?CdO system

    GÜNKUT KARADUMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NURİ SOLAK

  3. TeO2-ZnO sisteminin termal ve mikroyapısal incelenmesi

    Thermal and microstructural characterization of TeO2-ZnO system

    TÜLAY IRMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜHEYLA AYDIN

  4. Bizmut oksit-kurşun klorür-tellür oksit sisteminin ısıl, optik ve yapısal açıdan incelenerek camlaşma davranışlarının belirlenmesi ve camların radyasyon zırhlama özelliklerinin incelenmesi

    Determination of vitrification behaviour and investigation of radiation shielding properties of bismuth oxide-lead cloride-tellurium oxide system through thermal, optical and structural studies

    VOLKAN AKILLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ ERÇİN ERSUNDU

  5. Tellür oksit esaslı üçlü sistemlerin ısıl, kinetik ve yapısal açıdan incelenerek camlaşma özelliklerinin ve faz dengelerinin tespiti

    Determination of the glass properties and phase equilibria of the ternary tellurium oxide based systems through thermal, kinetic and structural investigations

    ALİ ERÇİN ERSUNDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜHEYLA AYDIN