Geri Dön

Organik ışık yayan diyotların üretilmesi ve karakterizasyonu

Production and characterization of organic light emitting diodes

  1. Tez No: 899264
  2. Yazar: ZAFER GÜLTEKİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MÜRSEL ALPER
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Bursa Uludağ Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 129

Özet

Bu tez çalışmasında, OLED'ler ve spin-OLED'leri ve bu yapılarda ETL ve HTL katmanlar olarak kullanılan sırası ile (ZnO ve Mn-ZnO) ve (NiO ve Mn -NiO) filmleri üretmek ve analiz etmek amacıyla çeşitli cihazlar geliştirildi. Üretim aşamasında spin kaplayıcı ve manyetik karıştırıcı/ısıtıcı, analiz aşamasında ise akım-voltaj ölçüm cihazı ve temas açısı ölçüm cihazı kullanıldı. Sol-jel spin kaplama tekniği ile ZnO, Mn-ZnO, NiO ve Mn-NiO ince filmler başarıyla kaplanıp ve Mn katkısının bu filmlerin yapısal (XRD, SEM-EDX), optik (UV-Vis Spektrofotometre), elektriksel (akım-voltaj ölçer) ve manyetik (VSM) özelliklerine etkileri kapsamlı bir şekilde incelendi. Mn katkısının ZnO'nun kristal yapısında küçük değişikliklere, NiO'nun kristal yapısında ise anlamlı bir değişiklik yaratmadığı, ancak yüzey morfolojisi ve tane yapılarında belirgin değişikliklere yol açtığı tespit edildi. Mn katkısının, ZnO ve NiO'nun bant aralıklarını azalttığı, elektriksel iletkenliklerini artırdığı ve manyetik özelliklerini iyileştirdiği gözlemlendi. Standart OLED cihazları (ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/Al) yapısında, farklı ETL katmanlarına sahip OLED cihazları ise (ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/ZnO/Al ve ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/Mn-ZnO/Al) yapısında üretildi. ETL katmanların OLED'lerin açılma voltajını düşürdüğü, parlaklık ve elektroluminesans yoğunluğunu artırdığı belirlendi. Spin-OLED cihazları, ITO/HTL/MEH:PPV/ETL/Al yapısında üretildi ve en düşük açılma voltajının NiO/ZnO HTL/ETL katmanlı cihazda olduğu saptandı. Mn katkısının artmasıyla spin-OLED'lerin açılma voltajlarının arttığı ve elektriksel performansının azaldığı görüldü. Bu sebep ile parlaklık ve EL ölçümleri alınamadı. Elde edilen sonuçlar, bu HTL/ETL katmanlar ile spin-OLED cihazlarının üretilebileceğini ve bu yapının potansiyel olarak kullanılabileceğini gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, various devices were developed to produce and analyze OLEDs and spin-OLEDs. The focus was on ETL and HTL layers using ZnO, Mn-ZnO, NiO, and Mn-NiO films. During production, a spin coater and a magnetic stirrer/heater were used. For analysis, current-voltage and contact angle measurement devices were utilized. ZnO, Mn-ZnO, NiO, and Mn-NiO thin films were successfully coated using the sol-gel spin coating technique. The effects of Mn doping on the structural (XRD, SEM-EDX), optical (UV-Vis Spectrophotometer), electrical (current-voltage meter), and magnetic (VSM) properties of these films were thoroughly examined. Mn doping caused minor changes in the crystal structure of ZnO and significant changes in NiO. Noticeable changes were observed in surface morphology and grain structures. Mn doping decreased the band gaps of ZnO and NiO, increased their electrical conductivity, and enhanced their magnetic properties. Standard OLED devices were produced with the structure (ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/Al). OLED devices with different ETL layers were produced with the structures of (ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/ZnO/Al and ITO/PEDOT:PSS/MEH:PPV/Mn-ZnO/Al). ETL layers reduced the turn-on voltage of the OLEDs and increased brightness and electroluminescence intensity. Spin-OLED devices were produced with the structure of (ITO/HTL/MEH:PPV/ETL/Al). The lowest turn-on voltage was found in the device with NiO/ZnO HTL/ETL layers. Increasing Mn doping raised the turn-on voltages of the spin-OLEDs and decreased their electrical performance. Consequently, brightness and EL measurements could not be obtained. The results indicated that spin-OLED devices could be produced with these HTL/ETL layers, showing potential for future use.

Benzer Tezler

  1. Organik ışık yayan diyotların imali ve karakterizasyonu

    The production and characterization of organic light emitting diodes

    GÜLŞEN KÖSOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL

    YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  2. Effect of phosphorescent iridium dopant on characteristics of organic light emitting diodes

    Organik ısık yayan diyotlara fosforesan iridyum katkılanmasının aygıt karakteristiğine etkisi

    AHU GALEN ALTAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN KARATEPE YAVUZ

    DOÇ. DR. EMİNE TEKİN

  3. Design, characterization,and performance tests of nanofibrous filter for removal of volatile organic compounds (VOCs) by photocatalytic oxidation (PCO) for aircraft cabin air filtration applications

    Uçak kabini içerisindeki uçucu organik bileşiklerin fotokatalitik oksidasyon yöntemi ile giderilmesi amacıyla nano fibroz yapılı filtrelerin üretimi, karakterizasyonu ve filtrelerin performans testleri

    ARDA KÜÇÜKSARI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HÜLYA CEBECİ

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KILIÇ

  4. Boya hassasiyetli güneş pilleri için D-π-D türevli ftalosiyaninlerin sentezlenmesi, spektroskopik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The synthesis of D-π-D derivated phthalocyanines for dye-sensitized solar cell, investigation of spectroscopic and electrical properties

    KAAN ÇAKTI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İBRAHİM ERDEN

  5. Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films

    Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları

    SAMİ BOLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY