Yüksek performanslı, yüksek hızlı InP tabanlı ıngaas fotodedektör proses geliştirme
High-performance, high-speed inp based InGaAs photodedector process development
- Tez No: 444620
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2016
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 123
Özet
Bu çalışma, uzun mesafe iletişim sistemlerinde yoğun bir şekilde kullanılan fotodedektörlerin tasarlanma aşamalarını ve üretim aşamalarını kapsamaktadır. InP tabanlı InGaAs aktif katmanlı fotodedektörler imal edilip bu fotodedektörlerin karakterizasyonu yapılarak yüksek hızlı bir fotodedektör üretimi hedeflenmiştir. Bu süre boyunca yapılan fabrikasyonlardan elde edilen ölçüm sonuçlara göre fabrikasyon ve tasarım adımlarında değişiklikler yapılıp yüksek hızlı bir fotodedektör elde edilmiştir. Aynı zamanda farklı eşörgüsel yapılar kullanılarak elde edilen fotodedektörlerin karanlık akım, kapasitans ve hız özelliklerinin iyileştirilmesi amaçlanmıştır. Fotodedektörlerin akım/gerilim, kapasitans ölçümleri ve hız ölçümleri yüksek duyarlılıklı cihazlar ile yapılmıştır. Yapılan fabrikasyonlar sonunda ise eşörgüsel yapının katmanları ve fabrikasyonda kullanılan kontak metalleri arasındaki kapasitans etkinin fotodedektörlerin hız değerinin artması için mümkün mertebe azaltılması gerektiği, aynı zamanda kullanılan kontak metallerin seri dirençlerinin azaltılmasının dedektörün hız değerini arttırdığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
This work includes the design methods and fabrication methods of the photodetectors which are used often in long-distance communication systems. The aim of this thesis is that fabricating a high performance and high speed InP based InGaAs photodetectors. At the same zamanı this thesis includes the characterization of the photodetectors. During this work a high speed InP based InGaAs photodetector was made with changing the design methods and fabrication methods according to the characterization results. In other words, different epitaxial structures were used for decreasing the dark current and capacitance, increasing the speed of phototodetectors. The characterization of the photodetectors was made with various systems. It was observed that changing of capacitance between layers of epitaxial structure and the contact metals of photodetectors affect the speed of the photodetectors, as this capacitance decreasing, the speed of the photodetectors increases. At the same zamanı another result of the thesis is that changing of the serial resistivity of the contact metals affect the speed of the photodetectors, as this resisitivity decreasing, the speed of the photodetectors increases.
Benzer Tezler
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays
X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri
TOLGA DİNÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Alkylacrylamide-based semi-interpenetrating networks for temperature-sensitive smart systems
Sıcaklığa duyarlı akıllı sistemler için alkilakrilamid bazlı yarı iç içe geçmiş ağyapılar
BİRGÜL KALKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NERMİN ORAKDÖĞEN
- Design of differential transimpedance amplifier in SiGe BiCMOS for 10 Gbit/s fiber optical receivers
10 Gbit/s fiber optik alıcılar için SiGe BiCMOS farksal geçiş-empedansı kuvvetlendiricisi tasarımı
YUNUS AKBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI