Geri Dön

Yüksek performanslı, yüksek hızlı InP tabanlı ıngaas fotodedektör proses geliştirme

High-performance, high-speed inp based InGaAs photodedector process development

  1. Tez No: 444620
  2. Yazar: OKAN ATEŞAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET RECAİ ELLİALTIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 123

Özet

Bu çalışma, uzun mesafe iletişim sistemlerinde yoğun bir şekilde kullanılan fotodedektörlerin tasarlanma aşamalarını ve üretim aşamalarını kapsamaktadır. InP tabanlı InGaAs aktif katmanlı fotodedektörler imal edilip bu fotodedektörlerin karakterizasyonu yapılarak yüksek hızlı bir fotodedektör üretimi hedeflenmiştir. Bu süre boyunca yapılan fabrikasyonlardan elde edilen ölçüm sonuçlara göre fabrikasyon ve tasarım adımlarında değişiklikler yapılıp yüksek hızlı bir fotodedektör elde edilmiştir. Aynı zamanda farklı eşörgüsel yapılar kullanılarak elde edilen fotodedektörlerin karanlık akım, kapasitans ve hız özelliklerinin iyileştirilmesi amaçlanmıştır. Fotodedektörlerin akım/gerilim, kapasitans ölçümleri ve hız ölçümleri yüksek duyarlılıklı cihazlar ile yapılmıştır. Yapılan fabrikasyonlar sonunda ise eşörgüsel yapının katmanları ve fabrikasyonda kullanılan kontak metalleri arasındaki kapasitans etkinin fotodedektörlerin hız değerinin artması için mümkün mertebe azaltılması gerektiği, aynı zamanda kullanılan kontak metallerin seri dirençlerinin azaltılmasının dedektörün hız değerini arttırdığı görülmüştür.

Özet (Çeviri)

This work includes the design methods and fabrication methods of the photodetectors which are used often in long-distance communication systems. The aim of this thesis is that fabricating a high performance and high speed InP based InGaAs photodetectors. At the same zamanı this thesis includes the characterization of the photodetectors. During this work a high speed InP based InGaAs photodetector was made with changing the design methods and fabrication methods according to the characterization results. In other words, different epitaxial structures were used for decreasing the dark current and capacitance, increasing the speed of phototodetectors. The characterization of the photodetectors was made with various systems. It was observed that changing of capacitance between layers of epitaxial structure and the contact metals of photodetectors affect the speed of the photodetectors, as this capacitance decreasing, the speed of the photodetectors increases. At the same zamanı another result of the thesis is that changing of the serial resistivity of the contact metals affect the speed of the photodetectors, as this resisitivity decreasing, the speed of the photodetectors increases.

Benzer Tezler

  1. Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates

    InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri

    SÜLEYMAN UMUT EKER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  2. SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays

    X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri

    TOLGA DİNÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  3. Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors

    Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu

    NECMİ BIYIKLI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR

  4. Alkylacrylamide-based semi-interpenetrating networks for temperature-sensitive smart systems

    Sıcaklığa duyarlı akıllı sistemler için alkilakrilamid bazlı yarı iç içe geçmiş ağyapılar

    BİRGÜL KALKAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NERMİN ORAKDÖĞEN

  5. Design of differential transimpedance amplifier in SiGe BiCMOS for 10 Gbit/s fiber optical receivers

    10 Gbit/s fiber optik alıcılar için SiGe BiCMOS farksal geçiş-empedansı kuvvetlendiricisi tasarımı

    YUNUS AKBEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI