Desenlenmiş Si alttaşlar üzerinden III-V grubu esnek güneş hücrelerinin geliştirilmesi
Development of group III-V flexible solar cells on patterned Si substrates
- Tez No: 921071
- Danışmanlar: PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, geniş yasak enerji aralığına sahip GaInP üçlü yarıiletken bileşiği, örgü uyumlu GaAs alttaşların aksine Si alttaşlar üzerine moleküler demet epitaksi sistemi ile büyütülmüş ve esnek tabanlara aktarılarak aygıt haline getirilmiştir. Örgü uyumsuzluğu nedeniyle oluşabilecek kristal kusurların baskılanması için büyütme öncesinde Si alttaşlara düzenli ve düzensiz desenleme işlemi uygulanmıştır. Si alttaşlar, metal destekli kimyasal aşındırma yöntemi kullanılarak nanoküre litografisi ile düzenli ve AgNO3 kullanılarak da düzensiz olacak şekilde iki farklı yöntem ile desenlenmiştir. Desenlenen alttaşlar üzerine büyütülen tampon GaAs katmanının yan-kesit taramalı elektron mikroskobu görüntüleri incelendiğinde, dislokasyonların desenlenmemiş Si alttaşa göre oldukça azaldığı gözlemlenmiştir. Büyütülen tek eklem GaInP güneş hücre yapıları, epitaksiyel lift-off yöntemi ile esnek tabanlara aktarılan aygıt haline getirilmiş ve yapısal/elektro-optik yöntemler ile incelenmiştir. Desenlenmiş Si alttaşlar üzerine büyütülen GaAs tampon katmanının FWHM değeri ~180 arcsec, GaInP ise ~350 arcsec olarak ölçülmüştür. Epitaksiyel lift-off sonrasında esnek tabana aktarılan tek eklem GaInP güneş hücrelerinde, düzenli desenlemede %0,25 ve düzensiz desenlemede %0,39 elektriksel dönüşüm verimi elde edilmiştir. 4o miscut Si alttaş üzerinden geliştirilen hücrelerde ise %1,03 elektriksel dönüşüm verimi elde edilmiştir. Referans olması için GaAs alttaş üzerine büyütülen tek eklem GaInP güneş hücrelerinden ise %7,04 elektriksel dönüşüm verimi elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, a wide bandgap GaInP ternary semiconductor compound was grown on Si substrates by molecular beam epitaxy instead of lattice-matched GaAs substrates. Then the grown GaInP thin films were transferred to flexible carriers. Finally, solar cell devices were fabricated. To suppress crystal defects due to lattice mismatch, ordered and disordered patterning was applied to the Si substrates prior to growth. The Si substrates were patterned by two different methods: ordered patterning using nanosphere lithography and disordered patterning using AgNO3 with metal-assisted chemical etching. Cross-sectional scanning electron microscopy images of the buffer GaAs layer grown on the patterned substrates showed that the dislocations were significantly reduced compared to the growth on the bare Si substrate. The GaInP thin films were transferred to a flexible carrier by epitaxial lift-off method. Single junction GaInP solar cell devices characterized by electro-optic methods. The FWHM of the GaAs buffer layer and GaInP thin films grown on patterned Si substrates were obtained as ~180 and ~350 arcsec, respectively. The electrical conversion efficiencies of ordered and disordered patterned single junction GaInP solar cell devices were obtained as 0.25 and 0.39%, respectively. Also, 1.03% electrical conversion efficiency was obtained from single junction GaInP solar cells grown on 4o miscut Si substrate. As for reference, 7.04% electrical conversion efficiency was obtained from single junction GaInP solar cells grown on GaAs substrate.
Benzer Tezler
- Kalkınmada öncelikli yörelerde görev yapan vali-kaymakam il ve ilçe Milli Eğitim Gençlik ve Spor Müdürlerinin ilköğretim yönetiminde karşılaştıkları güçlükler
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA YALÇINKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Eğitim ve ÖğretimGazi ÜniversitesiEğitim Yönetimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞEGÜL ATAMAN
- Özel düzenlenmiş plyometrik antrenmanların genç basketbolcuların anaerobik güç performansına etkisi
Effects of regular specific plyometric training on anaerobic power of young basketball players
YÜKSEL SAVUCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
SporFırat ÜniversitesiBeden Eğitimi ve Spor Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KUTLU
- Pamukta mixtalol uygulamasının verim ve kaliteye etkisi üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
MERYEM TÜRKOL
- Kentsel yakın çevre alanlarının rekreasyonel amaçlı düzenleme kararlarını belirleyen etmenler ve Antakya (Hatay) kentsel yakın çevresinde uygulanması
The Faktors defininig the recreational planning of the urban nearby regions and the application at Antakya (Hatay) urban nearby regions
ERDOĞAN YAŞLICA