CNTFET kullanılarak düşük gerilim düşük güçlü üniversal aktif eleman tasarımı
Low voltage and low power universal active element design using CNTFET
- Tez No: 921614
- Danışmanlar: PROF. DR. MUSTAFA ALÇI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Üniversal Aktif Elemanlar, CNTFET VDGA, CNTFET VDIBA, CNTFET CBTA, Aktif Filtre Tasarımı, Universal Active Elements, CNTFET VDGA, CNTFET VDIBA, CNTFET CBTA, Active Filter Design
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 113
Özet
CMOS teknolojisinin hızla nanometrik boyutlara ölçeklendirilmesiyle birlikte bu durum birçok ciddi problemi de beraberinde getirmiştir. Bu problemlerin üstesinden gelmek amacıyla birçok farklı teknoloji önerilmesine karşın en iyi çözüm sunan Karbon Nanotüp Alan Etkili Transistör (CNTFET) yapısı olmuştur. CNTFET yapısı üstün ölçeklenebilirliği, daha iyi kanal elektrostatiği ile CMOS'un yerini alabilecek iyi bir alternatif olarak görülmektedir. Böylelikle daha iyi performans sağlayan CNTFET yapısı kullanılarak farklı üniversal aktif elemanların önerilmesi amaçlanmıştır. Sunulan bilgiler ışığında bu tez çalışmasında CNTFET kullanılarak düşük voltajlı, düşük güçlü ve yüksek bant genişliğine sahip Voltaj Farkı Alan Eviren Tamponlanmış Kuvvetlendirici (VDIBA) yapısı, Voltaj Farkı Alan Kazanç Kuvvetlendirici (VDGA) yapısı ve Akım Geri Yönlü Geçiş İletkenliği Kuvvetlendirici (CBTA) yapıları tasarlanmıştır. Bu yapılar tasarlanırken 32 nm CNTFET kullanılmıştır. Ayrıca yapıların benzetim çalışmaları sırasında ±0.3 V'luk düşük besleme gerilimi ve 1 µA'lik düşük kutuplama akımı ile çalışılmıştır. Bunlara ek olarak 32 nm CNTFET kullanılarak gerçekleştirilen bu yapıların başarımı çeşitli filtre yapılarına uygulanarak verdikleri cevaplar incelenmiş, bazıları CMOS yapılarla karşılaştırılmış ve değerlendirilmiştir. Böylece, CNTFET'in geleceğin mikro ve nano elekronik dünyası için iyi bir alternatif olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
With the rapid scaling of CMOS technology to nanometric dimensions, this situation has brought many serious problems. Although many different technologies have been proposed to overcome these problems, the best solution has been the Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) structure. The CNTFET structure is seen as a good alternative to CMOS with its superior scalability and better channel electrostatics. Thus, it is aimed to propose different universal active elements using the CNTFET structure, which provides better performance. In the light of the information presented in this thesis, low voltage, low power and high bandwidth Voltage Differencing Inverting Buffered Amplifier (VDIBA), Voltage Differencing Gain Amplifier (VDGA) and Current Backward Transconductance Amplifier (CBTA) structures were designed using CNTFET. 32 nm CNTFET was used in the design of these structures. In addition, during the simulation studies of the structures, a low supply voltage of ±0.3 V and a low bias current of 1 µA were used. In addition, the performance of these structures using 32 nm CNTFET was investigated by applying them to various filter structures, and some of them were compared and evaluated with CMOS structures. Thus, it was seen that CNTFET is a good alternative for the future micro and nanoelectronic world.
Benzer Tezler
- Düşük güçlü ve gerilimli transistörler kullanarak lojik devre tasarımı
Logic circuit design using low power and voltage transistors
RECEP EMİR
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEZAİ ALPER TEKİN
- Carbon nanotube field effect transistors and applications
Karbon nanotüp alan etkili tranzistörler ve uygulamaları
ISLOMBEK MAMATOV
Doktora
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi-CerrahpaşaElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YASİN ÖZÇELEP
- Development of ab inition models for carbon nanotube technology
Karbon nanotüp teknolojisi için ab ınition modellerin geliştirilmesi
SERHAN YAMAÇLI
Doktora
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. MUTLU AVCI
- Nanoscale wireless optical communication receivers with graphene and carbon nanotube
Grafen ve karbon nanotüp ile nanoölçekli kablosuz optik haberleşme alıcıları
BURHAN GÜLBAHAR
Doktora
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGÜR BARIŞ AKAN