İki boyutlu grup IV kalkojenlerde zorlanma etkisinin nümerik olarak incelenmesi
Numerical investigation of the effect of strain on two dimensional group IV chalcogens
- Tez No: 927911
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YEŞİM MOĞULKOÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 51
Özet
Tez kapsamında, Janus γ-Si2XY (X/Y = S, Se, Te) tek katmanlarının çeşitli gerilme koşulları altında elektronik, optik ve mekanik özellikleri araştırılmıştır. Fonon spektrumları ve ab initio moleküler dinamik simülasyonları dinamik ve termal kararlılıklarını doğrularken, mekanik kararlılık Born kriteri ile desteklenmiştir. Bu tek katmanlı iki boyutlu malzemeler, Young modülü ve Poisson oranı gibi ayarlanabilir mekanik özellikler sergileyerek onları esnek uygulamalar için uygun hale getirmiştir. Elektronik yapı, benzersiz yük yoğunluğu davranışını gösteren Meksika şapkası şeklinde bir değerlik bandı ortaya koymuştur. Anizotropik deformasyon potansiyeli taşıyıcı hareketliliğini etkiler; γ-Si2SSe ve γ-Si2SeTe düşük etkin kütle ve artırılmış hareketlilik gösterirken, γ-Si2STe daha yüksek etkin kütlesi ve deformasyon potansiyeli anizotropisi nedeniyle daha düşük hareketlilik sergilediği bulunmuştur. Bu bulgular, γ-Si2XY tek katmanlarının çok işlevli doğasını vurgulamaktadır ve onları ileri teknolojik uygulamalar için umut verici adaylar haline getirmektedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the electrical, optical and mechanical properties of Janus γ-Si2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers were investigated under various stress conditions. Phonon spectra and ab initio molecular dynamics simulations confirm their dynamic and thermal stability, while mechanical stability is supported by the Born criterion. These monolayers exhibit tunable mechanical properties such as Young's modulus and Poisson's ratio, making them suitable for flexible applications. The electronic structure revealed a valence band in the shape of a Mexican hat, indicating the unique charge density behavior. The anisotropic deformation potential affects the carrier mobility; γ-Si2SSe and γ-Si2SeTe show low effective mass and enhanced mobility, while γ-Si2STe is found to exhibit lower mobility due to its higher effective mass and deformation potential anisotropy. These findings highlight the multifunctional nature of γ-Si2XY monolayers and make them promising candidates for advanced technological applications.
Benzer Tezler
- First-principles investigation of novel single-layers and heterostructures of group III-IV elements
Grup III ve IV elementlerinin tek katmanlı ve heteroyapılarının ilk prensipler ile incelenmesi
YANKI ÖNCÜ YAYAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÜMİT HAKAN YILDIZ
PROF. DR. HASAN ŞAHİN
- Tensilely strained germanium nanomembranes for infrared light emitting devices
Kızılötesi ışık saçan aygıtlar için çekme gerinimli germanyum nanozarlar
ÇİÇEK HATİCE BOZTUĞ YERCİ
Doktora
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoston UniversityElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ROBERTO PAİELLA
- First-principles study of binary group IV-V polymorphs in 2D tetrahex structure
Başlık çevirisi yok
SOHEIL ERSHADRAD
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. SEYMUR JAHANGIROV
- Grafenin plazmonik yapılarda aktif ortam olarak kullanılması
Graphene as an active medium in plasmonic structures
TANER TARIK AYTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAMAZAN ŞAHİN
- Functionalization of carbon nanotubes
Karbon nanotüplerinin fonksiyonelleştirilmesi
SEFA DAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. SALİM ÇIRACI