Geri Dön

CdZnTe A6 high energy ploton detector

CdZnTe yüksek enerji foton dedektörü

  1. Tez No: 93096
  2. Yazar: BURÇİN DÖNMEZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AKİF ESENDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: X-ışını dedektörleri, CdZnTe, I-V özelliği iv, X-ray detectors, CdZnTe, I-V characteristics in
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

oz CdZnTe YÜKSEK ENERJİ FOTON DEDEKTÖRÜ DÖNMEZ, Burçin Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Akif Esendemir Eylül 2000, 55 sayfa. Bu tezde kısaca X-ışını ve 7- ışını dedektör özellikleri tartışıldı. Ayrıca değişik sıcaklıklarda iki Cd(i_z)ZnxTe (x = 0.1) dedektörünün akım- voltaj (I- V) karak teristikleri de çalışıldı. Detektörlerin özdirençleri bulundu ve bu sonuçlar kul lanılarak dedektörlerin aktivasyon enerjileri hesaplandı. Sonuçlar kristallerin dışsal yarı-iletkenler olduklarını gösterdi. Son olarak, tek yarı-iletken dedektörleri- nin yük hareket özellikleri tartışıldı. Yüklerin oluşması için gereken süre hesap landı. Gelen fotonun enerjisini bulmak için izlenecek yöntem tartışıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT CdZnTe AS A HIGH ENERGY PHOTON DETECTOR DÖNMEZ, Burçin M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Akif Esendemir September 2000, 55 pages. In this thesis the X-ray and 7- ray detector properties are discussed briefly. Also, current- voltage (I-V) characteristics of two Cd(i_z)ZnxTe (x = 0.1) detectors are studied at different temperatures. The resistivity of the samples are found and using these results the activation energies are calculated. These results show that the crystals are extrinsic semiconductors. Finally the charge transport properties of a single semiconductor detector are discussed. A computer program is written to find the event duration during the production of an electron-hole pair. Using this result the way to determine the incident photon energy is discussed.

Benzer Tezler

  1. CdZnTe ve CdZnS ince filmlerin hazırlanması ve incelenmesi

    Preparation and investigation of CdZnTe and CdZnS thin films

    FATİH ONGÜL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMEL ÇINGI

  2. Growth, characterization and device applications of cadmium zinc telluride thin films

    Kadmiyum çinko tellür ince filmlerin büyütülmesi, karakterizasyonu ve aygıt uygulamaları

    ÇİĞDEM DOĞRU BALBAŞI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  3. Characterization of Cd1-X ZnX Te single crystals

    Cd1-X ZnX Te tek kristalinin karakterizasyonu

    BENGİSU YAŞAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUNUS EREN KALAY

  4. Sürüklemeli şerit CdZnTe dedektörleri için compton kamera simülasyonu

    Compton camera simulation for drift strip CdZnTe detectors

    EZGİ GÖKÇE DİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Astronomi ve Uzay BilimleriAkdeniz Üniversitesi

    Uzay Bilimleri ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURÇİN DÖNMEZ

  5. Caharacterization of cadmiun zinc telluride thin films prepared by magnetron sputtering from asingle target

    Püskürtme yöntemiyle tek targettan büyütülen kadminyum çinko teleryum ince filminin karakterizasyonu

    ALİ AKGÖL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Atom ve Molekül Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ERCAN YILMAZ