Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
- Tez No: 93295
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MODFET, HEMT, TEGFET, DX CENTER, PPC, ALGAAS/GAAS, GAINP/INGAAS/GAAS. vı, MODFET, HEMT, TEGFET, DX CENTER, PPC, ALGAAS/GAAS, GAINP/INGAAS/GAAS. IV
- Yıl: 2000
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
oz Gao.51Ino.49P/I1tGa1-sAs/GaAs MODÜLE KATKILI ALAN ETKİLİ TRANSİSTORLERİN FABRİKASYONU VE KARAKTERİZASYONU Yalçın, Tolga Yüksek lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Gengiz Beşikçi Nisan 2000, 64 sayfa ALGaj-jAs/InGaj-yAs/GaAs malzeme sistemine alternatif olarak Gao51In049P/ Inx^Ga1-xAs/GaAs malzeme sisteminin MODFET uygulamaları için fizibilitesi Ga0,51In0,49p.^P/Inx^Ga1-x^As/GaAs direçlerin ve Ga0.51In 0.49P/In 0.15Ga O.85As/ GaAs MODFETlerin I-V karakterizasyonu yoluyla incelendi. Heteroyapılar Gaz Kaynaklı Işın Epitaksisi tekniği ile büyütüldü. Elde edilen sonuçlar Ga 0.51^Ino.49^P katmanında DX merkezi benzeri özellikler gösteren doğal bir tuzak olduğunu ve bu tuzağın tavlanmış örneklerde daha etkili hale geldiğini gösterdi. Ga0.51^InO.49^P/ In0.15Gao.85As/GaAs MODFETlerde görülen süreğen fotoiletkenliğe (PPC) ve eşik voltajındaki kaymalara bu tuzağın sebebiyet verdiği düşünülmektedir. Gao.51Ino.49^P/Inx^Ga1-x^^As/GaAs sistemi oldukça yüksek iki boyutlu elektron gazı yoğunluğu ve MODFET transkondüktansı (7um kapı uzunluğu için 229 mS/mm) ¦sec ıfe§M(§ĞRirrfei wwutvermesine rağmen, Ga^In^P malzemesinde aygıt üretimi sırasında oluşan bozulmalar önemli bir sorun teşkil edebilmektedir. Bununla birlikte, A^Gaj-^As/IriyGaj-yAs/ GaAs malzeme sistemiyle karşılaştırıldığında, Ga05îlıa0A9P/ Ir^Ga^j^As/GaAs malzeme sisteminin büyütülmesi ve MöDFET uygulamalarında kullanılması üzerine sınırlı sayıda çalışma yapılmıştır. Bu çalışmada elde edilen sonuçlar bu malzeme sisteminin şu anda gördüğünden daha fazla ilgiyi hak ettiğini göstermektedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF Ga0,51In0,49P/InxGa1-xAs/GaAs MODULATION DOPED FIELD EFFECT TRANSISTORS Yalçın, Tolga M.S., The Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Cengiz Beşikçi April 2000, 64 pages The feasibility of the Ga051In049P/InxGa1_xAs/GaAs material system for MODFET applications as an alternative to A1x^Ga1-x As/InxGa1-xAs/GaAs system is investigated through I-V characterization of Ga0,51In0,49P/InxGa1-xAs/GaAs lateral resistors and Ga0,51In0,49P/InxGa1_xAs/GaAs MODFETs. The heterostructures have been grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy technique. The results show that a native trap with DX center like properties is present in Ga0.51In0.49P and effects of this trap become more apparent when the material is annealed. This trap seems to be responsible for the persistent photoconductivity (PPC) and threshold shift observed in the fabricated Ga0.51In0.49P/In0.15Ga0.85As/GaAs MODFETs. While theGa051In system yields reasonablly high two dimensional electron gas concentration and substantially large MODFET transconductance (229 mS/mm for 7jim gate length), degradation of Ga0.51In0.49P at temperatures typically used during fabrication seems to be an important problem. However, when compared with the AlxGa1-xAs/InxGa1-xAs/GaAs material system, limited amount of work has been done on the growth and use of G%51In049P/In015Ga085As/GaAs material system for MODFET applications. The results of this work show that this material system deserves more attention then it is currently receiving.
Benzer Tezler
- Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
ORAY ORKUN CELLEK
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess
Başlık çevirisi yok
HALİT CELALEDDİN DURAN
Doktora
İngilizce
1998
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEidgenössische Technische Hochschule Zürich (ETH)Prof. WERNER BäCHTOLD
Prof. H. MELCHIOR
- Fabrication and characterisation of InP and GaAs based optoelectronic components
Başlık çevirisi yok
BÜLENT ÇAKMAK
- Fabrication and characterization of ZnO nanoparticle/nanorod based photovoltaic cells and gas sensors and a software application for automated data acquisition
ZnO nanoparçacık/nanoçubuk tabanlı fotovoltaik hücreler ve gaz sensörlerinin üretimi, karakterizasyonu ve otomatik veri toplama yöntemine yönelik bir yazılım uygulaması
DORUK YILDIZTEKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Fabrication and characterization of semiconductor double quantum well diode lasers
Çift kuvantum kuyulu yarıiletken lazerlerinin yapımı ve incelenmesi
BÜLENT EROL SAĞOL
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL