AU/(Fe3O4 -katkılı pva)/n-si schottky diyotlarda (Sds) temel elektriksel parametrelerin arayüzey tuzaklarının yoğunluğunun (dit) ve bunların gevşeme sürelerinin frekans ile gerilime bağlı incelenmesi
The investigation of basic electrical parameters of the AU/(Fe3O4 -doped pva)/n-si schottky diodes (Sds), density of interface traps (Dit) and their relecxation times depend on frequency and voltage
- Tez No: 938796
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu YL tez çalışmada, Au/(Fe 3 O 4 :PVA)/n-Si (MPS) tipi Schottky diyotlar (SDs) hazırlandı ve empedans-voltaj-frekans (Z-V-f) ölçümleri 0,1kHz-1MHz arasında ve ±3V aralığında ölçüldü. Schottky diyotunun difüzyon potansiyel (V D ), Fermi enerji (E F ), engel yüksekliği ( B ), tükenim katmanının (W D ) genişliği ve maksimum elektrik alan (Em) gibi temel elektronik parametreleri ters beslem C -2 -V grafiklerinin voltaj ekseni kestiği nokta (V o ) ve eğimlerinden frekansa bağlı elde edildi. Arayüzey durumlarının (N ss ) voltaja bağlı dağılımı, düşük-yüksek frekans kapasitans (C LF -C HF ) ve paralel iletkenlik (Gp/ w -f) modelleri kullanılarak elde edilerek birbirleriyle karşılaştırıldı. Diyot resistansının (R i ) voltaja bağlı değişim profili ise her frekans için Nicollian-Brews metodundan elde edildi. Bu parametrelerden gözlenen değişmeler; N ss tuzaklarının varlığına, onaların ömürlerine (), organik arayüzey tabakası ile seri direncin (Rs), yüzey ve dipol polarizasyonlarına atfedildi. Ancak Nss değerleri hem tükenme hem de inversiyon bölgelerinde etkili iken, R s kuvvetli yığılım bölgesinde yeterince yüksek frekanslarda etkilidir.
Özet (Çeviri)
In this article, the impedance-voltage-frequency (Z-V-f) measurements of the fabricated Au/(PVA-Fe 3 O 4 ) /n-Si SDs have been performed between 0.1kHz and 1MHz, and in the ±3V range. Main important electronic parameters of the Schottky diode (SD) like diffusion- potential (V D ), Fermi- energy (E F ), barrier- height (F B ), depletion layer (W D ), and max. electric field (E m ) were extracted from the reverse bias 1/C 2 - V plots in a wide frequency range. The voltage-reliant variations of the surface states (N ss ) have been calculated by using low – high frequency capacitance (C LF -C HF ), and parallel conductance or admittance models and compared to each other. The voltage-reliant resistance profile of R i has also been obtained from the Nicollian Brews method for all frequencies. All these results indicate that these main electrical parameters are strongly dependent on voltage and frequency due to the existence of N ss , their lifetimes (t), interfacial organic layer, R s , interface, and dipole polarizations. Formal, while N ss is effective, both in depletion and inversion regions, R s is efective at strong-accumulation region at high frequency.
Benzer Tezler
- Arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi
Preparation of interface layer metal-semiconductor (MS) structures and analysis of electrical characteristics depending on temperature and frequency
AYSUN ARSLAN ALSAÇ
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
- Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
ERGUN DURAN
- Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZPULAT
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İstatistikEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FİKRET İKİZ
- Landsat uydusu aracılığı ile elde edilen görüntülerin sınıflandırılmaları ve bunlara ilişkin bilgisayar programlarının hazırlanması
Başlık çevirisi yok
G. FERZAN KÜÇÜKA
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİS PÜSKÜLCÜ
- Dokuma kumaşlarda örgü tipinin ham kumaşın boyutları ve geometrik özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması
Başlık çevirisi yok
EMEL ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU