S-katkılı GaAs yapılarda elektronik yapı
Electronic structure of S-doped GaAs
- Tez No: 98105
- Danışmanlar: PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 123
Özet
m ÖZET Doktora Tezi 8-KATKILI GaAs YAPILARDA ELEKTRONİK YAPI Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmada, Si £ -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini ve dinamik band yapısını, Schrödinger ve Poisson denklemlerinin self- consistent (kendi-içinde tutarlı) çözümüyle hesapladık. İlk olarak, tek Si 8- katkılı GaAs yapısının katkılama konsantrasyonu, katkılama kalınlığı, sıcaklık ve uygulanan elektrik alana bağlı olarak belirgin bir biçimde değiştiğini gösterdik. İkinci olarak da, çift Si 8 -katkılı GaAs yapısının, katkılı bölgeler arasındaki uzaklık, katkılama konsantrasyonu ve elektrik alanla önemli oranda değiştiğini ortaya koyduk. Ayrıca, elde ettiğimiz sonuçlar hem simetrik hem de asimetrik çift 8 -katkılı yapılardaki altband enerji seviyeleri ve yerleşimlerinin, katkılama kalınlığına duyarsız olduğunu belirtmektedir. ANAHTAR KELİMELER : Tek-çift Si £ -katkılama, GaAs yapısı, self- consistency, potansiyel profili, altband yapısı
Özet (Çeviri)
IV SUMMARY PhD. Thesis ELECTRONIC STRUCTURE OF 8-DOPED GaAs Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Dr. Ismail SÖKMEN In this study, we have calculated the potential profile and the dynamic band structure of Si S -doped GaAs structure by solving the Schrödinger and the Poisson equations self-consistently. Firsty, we show that single Si S -doped GaAs structure exhibites dramatic changes with the doping concentration, the doping thickness, temperature, and the applied electric field. Secondly, we demonstrate that double Si S -doped GaAs structure displays significant changes with the separation between the doped layers, the doping concentration, and the electric field. Furthermore, the results we obtained reveal that the subband energy levels and the subband occupations in both symmetric and asymmetric double S -doped structures are not sensitive to the doping thickness. KEY WORDS : Single-double Si S -doping, GaAs structure, self- cosistency, potential profile, subband structure
Benzer Tezler
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi
SELÇUK ÖZER
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi
Başlık çevirisi yok
YENER ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Gaxın1-xnyas1-y/gaas kuantum kuyusunda özkutuplanma
Self-polarization in gaxin1-xnyas1-y/gaas quantum well
SELMA AĞILLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN SARI