Characterization of Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films with Cu- and Zn-poor composition deposited by one-step thermal evaporation
Tek adımlı termal buharlaştırma yöntemiyle biriktirilen Cu- ve Zn-fakir bileşimli Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) ince filmlerin karakterizasyonu
- Tez No: 992367
- Danışmanlar: PROF. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2026
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Günümüzde artan enerji ihtiyacı ve fosil yakıtların yoğun bir şekilde tüketilmesine bağlı olarak meydana gelen çevre kirliliği ve küresel ısınma, yenilenebilir ve sürdürülebilir enerji kaynaklarına yönelimi kaçınılmaz hale getirmiştir. Bu kaynaklar arasında güneş enerjisi, temiz ve sürdürülebilir olmasıyla öne çıkan en önemli alternatiflerden birisidir. Güneşten elde edilen enerji, düşük sıcaklıklarda doğrudan elektrik enerjisine dönüştürülebilmekte ve bu dönüşüm fotovoltaik teknolojiler aracılığıyla gerçekleştirilmektedir. Günümüzde kullanılan fotovoltaik aygıtların büyük bir kısmı silikon bazlı güneş hücrelerinden oluşmaktadır. Ancak daha yüksek ışık soğurma kapasitesine sahip aygıtlar üretilebilmesi için daha ince katmanlara ihtiyaç duyulmaktadır. Silikon bazlı sistemlerde bu inceltilmiş yapılar, üretim maliyetlerini önemli ölçüde artırmaktadır. Bu bağlamda, ince film bazlı yarı iletken malzemeler öne çıkmaktadır. İnce film teknolojileri, daha az malzeme kullanımı, düşük üretim maliyeti, hafiflik ve esneklik gibi avantajlarıyla dikkat çekmektedir. Bu malzemeler arasında, yaklaşık 1.0 eV değerinde doğrudan bir enerji bant aralığına sahip olması, yüksek soğurma katsayısı (>10⁴ cm⁻¹) ve p-tipi iletkenlik özelliği sayesinde, güneş hücrelerinde kullanılmak üzere ideal bir soğurucu katman adayı olan CZTSe (Cu₂ZnSnSe₄) bileşiği, silikonun kristal yapısına olan benzerliği ve yüksek teorik enerji verimliliği potansiyeli nedeniyle dikkat çekmektedir. CdTe tabanlı güneş hücrelerinde kullanılan elementlerin toksik olması ve benzer kristal yapıya sahip kalkopiritlerden oluşan CIGS tabanlı güneş hücrelerinde ise In ve Ga elementlerinin yeryüzünde nadir bulunması, bu teknolojilerin önemli dezavantajları arasındadır. Buna karşılık CZTSe, kesterit kristal yapısına sahip dört bileşenli bir malzeme olup toksik olmayan ve doğada bol miktarda bulunan bakır (Cu), çinko (Zn), kalay (Sn) ve selenyum (Se) elementlerinden oluşmaktadır. Bu yönüyle çevresel sürdürülebilirlik ve düşük maliyet açısından önemli bir potansiyele sahiptir. Cu₂ZnSnSe₄ (CZTSe) kesterit yapılı yarı iletkenlerin stokiyometrik oranı Cu:Zn:Sn:Se = 2:1:1:4'tür. Bu oranın korunması, kaplanan filmin yapısal ve elektriksel özelliklerinin istenilen düzeyde olabilmesi açısından kritik öneme sahiptir. Stokiyometriden sapmaların olduğu kompozisyonlarda, Cu₂Se, SnSe₂ ve ZnSe gibi istenmeyen ikincil fazların oluşabilir. Bu fazlar, güneş hücresinin ışık soğurma katsayısını ve genel verimliliğini azaltarak aygıt performansını olumsuz yönde etkiler. Bunun yanı sıra, stokiyometrik sapmalar; yer değiştirmeler (antisite kusurları), boşluklar (vakanslar) ve arayer atomları gibi yapısal kusurların oluşmasına neden olabilir. Bu kusurlar, elektron-deşik çiftlerinin oluşumu, ayrılması ve yeniden birleşmesi süreçlerinde önemli rol oynar ve bu süreçler doğrudan güneş hücresinin verimliliğini belirler. Dolayısıyla, stokiyometrik oran ile kristal içindeki kusur yapıları arasındaki ilişkinin iyi anlaşılması, yüksek verimli güneş hücrelerinin tasarımı için büyük önem taşımaktadır. CZTSe ince filminde bulunan kusurlar, filmin Cu/(Zn+Sn) ve Zn/Sn oranlarıyla yakından ilişkilidir. Bu oranlar dikkate alındığında, bakır bakımından fakir ve çinko bakımından zengin kompozisyonlardan elde edilen güneş hücrelerinde, bakır fakirliğinin etkisiyle VOC değerlerinin iyileştiği ve bakır boşluklarının p-tipi iletkenliğe sağladığı katkıların arttığı görülmektedir. Öte yandan çinko zengin kompozisyonlarda meydana gelen ZnSn yer değiştirmeleri, düşük iyonizasyon enerjisine ve akseptör kusur karakterine sahip olmaları nedeniyle hem güneş hücresinin daha verimli çalışmasına olanak tanımakta hem de p-tipi iletkenliğe katkı sağlamaktadır. Bu nedenle literatürde ağırlıklı olarak bu tür kompozisyonlardan elde edilen çalışmalara yer verilmiştir. Ancak çinko bakımından zengin kompozisyonların kaçınılmaz sonuçlarından birisi de, ZnSe ikincil fazının oluşmasıdır. Bu ikincil faz, güneş ışığının aktif tabakaya ulaşmasını engellemekte ve seri direnci artırarak güneş hücresinin verimliliğini ve çalışma performansını olumsuz yönde etkilemektedir. Buna karşılık, alternatif kompozisyonlarda sentezlenen ve karakterize edilen CZTSe ince filmler literatürde oldukça sınırlı sayıda çalışmada ele alınmıştır. Literatürdeki boşluğu doldurmak ve anlamlı bir karşılaştırma yapılabilmesi adına Cu-fakir/Zn-fakir bir kompozisyona sahip filmin büyütülerek karakterizasyonunun yapılması amaçlanmıştır. Böylece, güneş hücrelerinde soğurucu katman olarak kullanılmaya aday olan bu malzemenin, söz konusu koşullar altında da özgün özelliklerini koruyup korumadığı araştırılmıştır. CZTSe ince filmleri, oda sıcaklığında tek aşamalı termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak, iyice temizlenmiş cam altlıklar üzerine kaplanmıştır. Toz malzeme, yüksek saflıktaki Cu, Zn, Sn ve Se elementlerinin kuvars tüp içerisinde 1050 °C'de 48 saat boyunca vakum ortamında ısıtılmasıyla sentezlenen sinterlenmiş CZTSe çok kristalli külçesinden elde edilmiştir. İlk kaplama işleminde 0.05 g CZTSe tozu kullanılmıştır; ancak kaplama sonrası elde edilen film yaklaşık %1.4 oranında Zn içermesi nedeniyle, ikinci bir kaplama işlemi gerçekleştirilmiş ve buharlaştırılan toz malzemeye 0.0025 g Zn eklenmiştir. Film kalınlıkları, Veeco Dektak 150 profilometresi kullanılarak 500–550 nm arasında ölçülmüştür. Tavlama sıcaklığının etkisini araştırmak amacıyla, kaplama sonrası filmlere 200 °C, 300 °C, 400 °C ve 500 °C sıcaklıklarda, her biri 20 dakika süren tavlama işlemleri atmosferik koşullarda uygulanmıştır. Bu işlemin amacı; kristalliği artırmak, ikincil fazları ortadan kaldırmak ve stokiyometrik kompozisyonu iyileştirmektir. Tavlama işlemi sonrası filmlerin kimyasal, yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özelliklerini incelemek üzere çeşitli karakterizasyon teknikleri uygulanmıştır. Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji Dağılımlı X-ışını Spektroskopisi (EDS) kullanılarak yüzey morfolojisi ve elementel dağılım analizleri yapılmıştır. X-ışını Kırınımı (XRD) yöntemi ile oluşan fazlar belirlenmiş ve filmlerin kristalliği incelenmiştir. XRD ile tespit edilemeyen olası ikincil fazları saptamak amacıyla Raman spektroskopisi gerçekleştirilmiştir. Yüzey morfolojisindeki değişimi gözlemlemek için Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) kullanılmıştır. UV-Vis-NIR spektroskopisi ile 350–1000 nm aralığında optik geçirgenlik ve yansıma ölçümleri alınmış, bu sayede enerji bant aralığı ve soğurma katsayısı hesaplanmıştır. Son olarak, farklı sıcaklıklarda elde edilen filmlerin direnç ölçümleri yapılmıştır. EDS analizleri, kaplama işleminde kullanılan tozun ideal stokiyometrik Cu:Zn:Sn:Se oranı olan 2:1:1:4'ten saparak, bakır açısından zengin ve çinko açısından fakir bir bileşime sahip olduğunu ortaya koymuştur. Buharlaştırılan toza çinko eklenerek gerçekleştirilen ikinci kaplama işleminin ardından, CZTSe bileşenlerini oluşturan elementlerin farklı buhar basınçlarına sahip olması ve tozun elde edildiği külçenin çok kristalli yapısı nedeniyle, kaplanan filmlerin stokiyometrik değerlerden sapması beklenen bir durumdur. Bu sapma, özellikle ısıl işlem uygulanmamış filmlerde belirgin şekilde gözlemlenmiştir. Buna karşın, 400 °C'de tavlanan filmin bileşimi iyileşmiş ve ideal değerlere oldukça yaklaşmıştır; ancak yine de beklendiği üzere Cu-fakir ve Zn-fakir bir kompozisyona sahiptir. Bu stokiyometrik sapmalar, bakır boşlukları (VCu), çinko boşlukları (VZn) ve SnZn⁴⁺ gibi yer değiştirme (antisite) kusurlarının oluşmasına neden olmaktadır. Ayrıca, ısıl işlemle birlikte, en düşük buhar basıncına sahip olması nedeniyle kaplama işlemi sırasında film yüzeyine en son ulaşan element olan bakırın film içerisine doğru difüzyonunun belirgin bir şekilde gerçekleştiği gözlemlenmiştir. X-ışını kırınımı (XRD) analizleri incelendiğinde, ısıl işlem uygulanmamış filmin amorf bir yapıya sahip olduğu ve kristal yapının oluşması için yeterli enerjiye sahip olmadığı gözlemlenmiştir. Isıl işlemle birlikte, arzu edilen dörtlü kesterit CZTSe fazının oluştuğu ve kristalliğin sıcaklığın artmasıyla birlikte önemli ölçüde iyileştiği tespit edilmiştir. (112) düzlemine karşılık gelen ana kırınım piki, 400 °C'de en yüksek şiddetine ulaşarak kristalliğin bu sıcaklıkta en iyi seviyeye geldiğini göstermiştir. EDS sonuçlarından görüldüğü üzere film kompozisyonunun selenyum bakımından zengin, kalay bakımından da zengin olması, kalay bazlı ikincil fazların da oluşumunun gözlemlenmesi muhtemeldir. Bu doğrultuda; tercih edilen kaplama metodunun bir sonucu olarak ısıl işlem uygulanmamış filmde Cu2-xSe ve sonrasında SnSe ve SnSe₂ gibi ikincil fazlar farklı sıcaklıklarda tespit edilmiş; ancak bu fazların varlığı, ısıl işlemle birlikte azalmıştır. 500 °C'de ise, (112) düzlemine karşılık gelen ana kırınım pkinin şiddetinin azalması, yüksek sıcaklığa bağlı olarak selenyumun uçuculuğu ve kalay kaybı nedeniyle yapının bozulduğunu ortaya koymaktadır. CZTSe ve ZnSe fazlarının benzer kristal yapılara sahip olması nedeniyle ZnSe fazı XRD verilerinde ayırt edilememektedir. Buna karşılık, özellikle yüzey yapısına duyarlı sonuçlar veren Raman spektroskopisi sayesinde, XRD analizlerinde tespit edilemeyen ZnSe ikincil fazının varlığı gözlemlenmiştir. Raman spektrumuna göre, kaplama sonrası elde edilen filmde 260 cm⁻¹'de belirgin bir tepe oluşmuş ve bu tepe Cu2-xSe fazının varlığını işaret etmiştir. Beklenildiği üzere, kaplama işlemi sırasında film yüzeyine en son ulaşan bakırın, selenyum ile düşük sıcaklıklarda bağ yapması sonucunda bu ikincil faz oluşumu gözlemlenmiştir. 400 °C'de bu tepe kaybolmuş, yerine 195 cm⁻¹'deki karakteristik CZTSe tepe noktası baskın hale gelmiştir. Ayrıca, SnSe₂'ye karşılık gelen 185 cm⁻¹ bölgelesinde zayıf bir tepe de gözlenmiştir. Amorf yapıdan çoklu kristal yapıya evrilen filmin, ısıl işlemle birlikte filmin yüzeyine doğru bakır difüzyonu neticesinde CZTSe çoklu fazına dönüşüm sürecinin başladığı, yüzey hassasiyetine sahip Raman spektroskopisi verileriyle de doğrulanmıştır. 400 °C'de ısıtılan filmin yüzeyinde bakır bazlı ikincil bir fazın bulunmaması, bakırın film içerisine difüze olduğunu göstermektedir. Bu bulgular, tavlama işleminin ikincil fazları azaltarak arzu edilen dörtlü CZTSe fazının oluşumuna etki ettiğini açıkça ortaya koymaktadır. AFM ve SEM görüntüleri, ısıl işlemle birlikte tanecik boyutunun arttığını ve yüzey morfolojisinin daha homojen bir yapıya dönüştüğünü göstermiştir. Işık geçirgenliği ve yansıtma ölçümleri, görünür bölgede güçlü bir ışık soğurumu olduğunu ortaya koymuştur. 400 °C'ye kadar olan sıcaklıklarda geçirgenlik azalmış ve soğurma katsayısı artmıştır. Ancak, 500 °C'de film yapısında meydana gelen bozulmalar nedeniyle geçirgenlik yeniden artış göstermiştir. Tauc yöntemi kullanılarak belirlenen enerji bant aralığı değerleri, tane büyümesi neticesinde kuantum ölçeğindeki etkilerinin azalmasına bağlı olarak, ısıl işlem görmemiş filmde 1.64 eV iken, 400 °C'de tavlanan filmde 1.15 eV'ye kadar düşmüştür. 400 °C'de elde edilen 1.15 eV'lik enerji bant aralığı değeri, bu malzemenin fotovoltaik uygulamalar için uygun bir aday olduğunu doğrulamaktadır. Son olarak, dört uçlu problama yöntemiyle gerçekleştirilen elektriksel direnç ölçümleri, kaplama sonrası elde edilen filmin en düşük özdirence (4.1 × 10⁻³ Ω·cm) sahip olduğunu ve bunun başlıca nedeninin yarı-metalik Cu2-xSe fazının varlığı olduğunu ortaya koymuştur. Tavlama işlemi süresince iletken ikincil fazların azalması ve CZTSe fazının baskın hale gelmesiyle birlikte direnç değerleri önemli ölçüde artmış ve 400 °C'de en yüksek değere (4.8 × 10⁻¹ Ω·cm) ulaşmıştır. Sonuç olarak, bu çalışma, tek aşamalı termal buharlaştırma yöntemiyle büyütülen CZTSe ince filmlerin, uygun tavlama sıcaklıklarıyla kristallik, yüzey morfolojisi, optik ve elektriksel özellikler açısından önemli ölçüde iyileştirilebileceğini ortaya koymuştur. Özellikle 400 °C'de tavlanan film, uygun enerji bant aralığı, yüksek ışık soğurma katsayısı ile güneş hücresi uygulamaları için en elverişli özellikleri sergilemiştir. Ayrıca, Cu-fakir ve Zn-fakir kompozisyona sahip olan bu film, stokiyometrik esnekliği sayesinde karakteristik özelliklerini koruyabilmiştir.
Özet (Çeviri)
The global increase in energy demand has accelerated fossil fuel consumption, leading to serious environmental problems such as pollution and especially global warming. As a result, the need for sustainable and eco-friendly energy sources has become more vital. Among renewable energy technologies, solar energy stands out due to its abundance and its nature as a clean energy source. Conventional photovoltaic (PV) technologies are commonly based on crystalline silicon but their light absorption capability is limited. In order to increase the absorption, thicker layers are needed. However, the high production cost of thicker layers of silicon-based photovoltaics has encouraged researchers to focus on alternative solutions. In this context, thin-film solar cells based semiconductors like Cu2ZnSnSe₄ (CZTSe), with a kesterite structure, have attracted significant attention due to their lightweight nature, cost-effectiveness, high absorption coefficient, durability and reduced material requirements. CZTSe has emerged as a promising absorber material for solar cell applications due to its high absorption coefficient exceeding 10⁴ cm-1, a direct band gap energy close to 1.0 eV, and an intrinsic p-type conductivity. It consists of earth-abundant, environmentally benign, and cost-effective elemental constituents, making CZTSe an attractive candidate for sustainable photovoltaic applications. It is known that the chemical composition of CZTSe plays a critical role in defining its electrical, optical, and structural properties. The performance and efficiency of CZTSe solar cells may be negatively impacted by the formation of undesired secondary phases, such as Cu₂Se, SnSe₂, and ZnSe, which can result from deviations from the optimal stoichiometry. An effective CZTSe absorber layer for thin-film solar cell applications must thus be achieved by fabricating thin films with a homogeneous microstructure and optimal stoichiometry. In kesterite-type semiconductors such as CZTSe, deviations from stoichiometry give rise to a variety of intrinsic point defects, including vacancies (e.g., VCu, VZn), interstitials (e.g., Cuᵢ, Znᵢ), and antisite defects (e.g., CuZn, ZnSn). The formation and distribution of these intrinsic defects are strongly influenced by the film's Cu/(Zn+Sn) and Zn/Sn compositional ratios. In general, among the various stoichiometric configurations, the Cu-poor/Zn-rich composition is favored for the manufacture of CZTSe based thin film solar cells due to its multiple advantages, such as the mitigation of detrimental point defects, suppression of secondary phase formation, improved electrical conductivity, and enhanced crystallinity of the absorber layer. Therefore, a review of the literature reveals that most studies have focused on the characterization of CZTSe films prepared with this composition and the fabrication of solar cells based on such films. In contrast, investigations involving the synthesis and characterization of CZTSe thin films with alternative stoichiometries remain relatively scarce. Accordingly, the primary objective of this study is to address this gap. To achieve this, CZTSe thin films exhibiting a Cu-poor/Zn-poor stoichiometry were successfully synthesized, and their structural, optical, and electrical properties were systematically examined in detail. CZTSe thin films were deposited onto soda-lime glass substrates at room temperature via a one-step thermal evaporation process. The evaporation source consisted of CZTSe powder derived from a sintered polycrystalline CZTSe ingot, which was synthesized by heating high-purity elemental Cu, Zn, Sn, and Se in a vacuum-sealed quartz tube at 1050 °C for 48 hours. An analysis of the chemical composition of CZTSe films fabricated by evaporating a portion of powder extracted from the synthesized ingot in a one-step evaporation process revealed that the Zn content in the deposited films was notably low (1.4%). To address this issue and enhance the Zn concentration within the film structure, an additional amount of Zn was incorporated into the extracted powder prior to re-depositing the CZTSe thin films. The resulting CZTSe thin film thicknesses were measured to be between 500–550 nm. To reveal the effect of annealing temperature on physical properties of the deposited films, post-deposition heat treatments were conducted at 200 °C, 300 °C, 400 °C, and 500 °C for 20 minutes each under an inert gas flow (N2). A comprehensive set of characterization techniques was employed to evaluate the structural, electrical, optical, and morphological properties of the films following post-annealing treatment. These included Scanning Electron Microscopy (SEM) combined with Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), X-ray Diffraction (XRD), four-point probe measurements, Raman spectroscopy, Atomic Force Microscopy (AFM), and UV-Vis-NIR spectroscopy. The EDS analysis revealed that the starting CZTSe powder's chemical composition was Cu-rich and Zn-poor, which was deviated from the stoichiometric Cu:Zn:Sn:Se ratio of 2:1:1:4. However, the elemental composition of the resultant CZTSe film significantly improved after more Zn was added to the precursor powder and a subsequent deposition operation, reaching close to the nominal stoichiometry. Nonetheless, as expected, the film remained Cu-poor and Zn-poor. This non-stoichiometric deviation is known to give rise to intrinsic point defects such as copper vacancies (VCu), zinc vacancies (VZn) and antisite defects like SnZn4+. The desired quaternary kesterite CZTSe phase was successfully formed, as validated by the XRD analyses, and annealing resulted in a significant increase in crystallinity. An annealing temperature of 400°C resulted in a sharper and more intense main diffraction peak that corresponded to the (112) reflecting plane, suggesting enhanced crystal quality. Secondary phases, including Cu2-xSe, SnSe, and SnSe2, were detected at different annealing temperatures, however their presence decreased with increasing annealing temperature. An observed decrease in the intensity of the (112) peak at 500°C suggested structural deterioration, which was attributed to the high volatility of selenium and the corresponding loss of tin during the annealing process. The XRD study failed to detect the ZnSe secondary phase, but Raman spectroscopy allowed for its detection and provided useful information about the development of crystalline phases close to the film surface. Raman spectra analysis showed that the as-deposited film exhibited a distinct peak at approximately 260 cm-1, which is associated with Cu₂₋ₓSe secondary phase. While the distinctive CZTSe peak at 195 cm-1 became more prominent, suggesting better phase formation, the intensity of the peak at 260 cm-1 significantly reduced at an annealing temperature of 400 °C. Furthermore, minor peaks around 250 cm-1 and 185 cm-1 were found to be associated with ZnSe and SnSe₂ seconday phases, respectively. These results imply that post-annealing minimizes the presence of secondary phases while promoting the transition toward the intended quaternary CZTSe phase. AFM and SEM analyses revealed that grain size increased progressively with higher annealing temperatures, accompanied by a transition in surface morphology toward a more uniform and homogeneous structure. The CZTSe thin films exhibited significant light absorption in the visible range, according to transmittance and reflectance analyses. Improved optical performance was deduced by observing a decrease in transmittance and an increase in absorption as the annealing temperature increased to 400 °C. Transmittance, however, raised once again at 500 °C, most likely as a result of the film's structural deterioration at high temperatures. The optical band gap values, extracted from Tauc plots, exhibited a redshift from 1.64 eV to 1.15 eV with increasing annealing temperature up to 400 °C, which can be attributed to grain growth, enhanced crystallinity, and the reduction of quantum confinement effects. This observed band gap range highlights the material's suitability for photovoltaic applications. Electrical resistivity measurements showed that the as-grown film had the lowest resistivity (4.1 × 10-3 Ω·cm), mainly due to the semi-metallic Cu2-xSe phase. During the post-annealing, resistivity increased significantly, reaching the highest value (4.8 × 10-1 Ω·cm) at 400 °C, correlating with the reduction of conductive secondary phases and domination of quaternary CZTSe phase. Among the investigated samples, the film annealed at 400°C demonstrated the best overall performance, with optimal composition, highest crystallinity, minimal secondary phases and optimum energy band gap value. It can be concluded that, despite stoichiometric deviations, the CZTSe film with a Cu-poor and Zn-poor composition maintained its characteristic properties, demonstrating both its suitability for photovoltaic applications and its stoichiometric flexibility.
Benzer Tezler
- Characterization of Cu-Zn-Sn-Se (CZTSe) thin films deposited by one-step thermal evaporation
Tek aşamalı ısısal buharlaştırma yöntemiyle kaplanmış Cu-Zn-Sn-Se (CZTSe) ince filmlerin karakterizasyonu
MELİKE ŞENSOY
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Magnetron sputtering growth of AZO/ZnO /Zn(O,S) multilayers for Cu2ZnSnS4 thin film solar cells: Material and device characterization
Cu2ZnSnS4 ince film güneş hücreleri için AZO/ZnO /Zn(O,S) çoklu katmanlarının mıknatıssal saçtırma ile büyütülmesi: Malzeme ve aygıt karakterizasyonu
FULYA KÖSEOĞLU
Doktora
İngilizce
2017
Enerjiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER
DOÇ. DR. GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER
- Fotovoltaik uygulamalar için CZTS (Cu2SnZnS4) ince filmlerin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of CZTS (Cu2SnZnS4) thin films for photovoltaic applications
ALİ RIZA YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
EnerjiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN
- ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları
Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films
ZEKİYE ABA
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ
- Deposition and characterization of CZTS thin film for solar cell applications
Güneş pili uygulamaları için CZTS ince filmlerinin biriktirilmesi ve karakterizasyonu
ALI FLAYYIH HASAN HASAN
Doktora
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT KALELİ