InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of InSe and InSe:Bi semiconductors
- Tez No: 105262
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BAHATTİN ABAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel özellikler, Kristal büyütme, Yarı iletkenler, Electrical properties, Crystal growth, Semiconductors
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET InSe ve InSe:Bi (%0.05 ve 0.5) yarıiletken bileşikleri. Stockbarger tekniğine dayah Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Büyütülen kristallerin elektriksel özellikleri, sıcaklığa bağlı Hail ve özdirenç ölçümleri ile araştırıldı. Katkılı numunelerde incelenen sıcaklık aralığında özdirencin arttığı, taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin azaldığı gözlendi. Katkısız ve katkılı numunelerdeki aktif merkezlerin iyonizasyon enerjileri sırasıyla ikili donor ve tek donor-tek akseptör modelleri kullanılarak tayin edildi. Yüksek ve alçak sıcaklıklarda taşıyıcı hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının sırasıyla homopolar optik fonon saçılması ve iyonize olmuş kirlilik saçılması olduğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
SUMMARY InSe and InSe:Bi (0.05 and 0.5 wt.%) semiconducting compounds were grown using Directional Freezing method which modified form of Stockbarger technique. Electrical properties of grown crystals were determined as a function of temperature by using Hall effect and resistivity measurements. It was observed that the resistivity increases and the carrier concentration and the mobility decreases for the doped samples in the whole investigated temperature region. Ionization energies of active centers in the undoped and doped samples were determined using double donor and single donor-single acceptor models, respectively. Scattering mechanisms affecting the carrier mobility at the high and low temperature regions were determined to be homopolar optical scattering and ionized impurity scattering, respectively.
Benzer Tezler
- GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi
Investigation of growth, structural, optical and electrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors
AFSOUN ASHKHASI
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Saf ve bor katkılı indiyum selenit (InSe) tek kristallerinin bridgman yöntemiyle büyütülmesi, yapısal, optik, elektriksel ve fotolüminesans özelliklerinin araştırılması
Growth of undoped and boron doped indium selenit (InSe) single crystals by bridgman method, investigation of structural, optical, electrical and photoluminescence properties
HÜSEYİN ERTAP
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT
- Gaspare ve Giuseppe Fossati'nin İstanbul H.Sophia kilisesindeki mozaik onarım çalışmaları
Başlık çevirisi yok
GÜLSÜM ASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Sanat TarihiHacettepe ÜniversitesiArkeoloji ve Sanat Tarihi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. S. YILDIZ ÖTÜKEN
- BI-RADS 3 ve BI-RADS 4A lezyonlarda shear wave veserbest el us (strain) elastografi yöntemlerinin etkinliğinin karşılaştırılması
Comparison of the diagnostic performance of shear waveelastography and freehand (strain) elastography i̇n BI-RADS 3 and BI-RADS 4A breast lesions
SELEN YAKIŞTIRAN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2025
Radyoloji ve Nükleer TıpSağlık Bilimleri ÜniversitesiRadyolojik Bilimler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. PELİN SEHER ÖZTEKİN