Geri Dön

Bileşik yarıiletken HgS'ün ECALE yöntemiyle Au(111) elektrot üzerinde sentezi ve adsorbsiyon-desorbsiyon kinetiğinin incelenmesi

Synthesis of compound semiconductor HgS on single crystal Au(111) electrode by ECALE technique and investigated adsorption-desorption kinetics

  1. Tez No: 105320
  2. Yazar: MURAT ALANYALIOĞLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÜMİT DEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 82

Özet

ÖZET HgS tek tabakasının tek kristal formlu Au(lll) substrat üzerinde elektrodepozisyonu ECALE yöntemiyle çalışıldı. S ve Hg atomik tabakaları, ardışık olarak potansiyel altı depozisyonu (UPD) ile depozit edildi. Adsorbsiyon ve desorbsiyon proseslerinin kinetiği, dönüşümlü voltametri, kronoamperometri ve kronokulometri teknikleri kullanılarak incelendi. Dönüşümlü voltametri deneyleri; S-Au(lll) substrat üzerindeki Hg depozisyonunun çıplak Au(lll) substratma göre daha pozitif potansiyellerde gerçekleştiğini göstermektedir. Bu durum, Hg-Au ve Hg-S atomları arasındaki çekim kuvvetlerinin farklılığından kaynaklanmaktadır. Kronoamperometri çalışmalarına göre; Au(lll) substrat üzerinde S depozisyonu Langmuir tip mekanizmayla ilerlerken, sıyrılması 2- boyutlu ani çekirdek oluşumu ve büyümesine dayalı instantaneous tip mekanizmaya uygunluk göstermektedir. Tek tabaka S depozit edilmiş Au(lll) substrat üzerinde Hg depozisyonu, yine Langmuir tip mekanizmayı izlerken, sıyrılması Langmuir tip mekanizmayı da içeren 2-boyutlu progressive mekanizmaya uygunluk göstermektedir. Bu sonuçlar, S-Au(lll) yüzeyinde Hg'nm önce rasgele olarak adsorblandığım, daha sonra yeniden düzenlenerek tek tabaka ve tek kristal formda film oluşturduğunu göstermektedir.

Özet (Çeviri)

SUMMARY The electrodeposition of HgS monolayers onto single crystal Au(lll) substrate was studied by ECALE. The films were deposited by sequential underpotential deposition (UPD) of partial monolayers of S and Hg atoms onto Au(lll). The kinetics of deposition and desorption processes was investigated by using cyclic voltammetry, chronocoulometry, and chronoamperometry techniques. The potential of Hg deposition on S-Au(lll) has shifted to more positive potentials than on bare Au(lll). This situation results from difference of Hg-Au and Hg-S interatomic attractive forces. The chronoamperometric results at single crystal Au(l 11) electrode indicate that S deposition takes place in a Langmuir-type mechanism while the stripping of sulfide follows two-dimensional instantaneous nucleation and growth mechanism. Hg deposition at S-Au(lll) electrode also takes place in a Langmuir-type mechanism while the stripping of mercury follows two-dimensional progressive nucleation and growth mechanism which is accompanied by a Langmuir-type desorption. Our results suggest that mercury is adsorbed on to S-Au(lll) surface randomly first then it reorganizes itself to form well-ordered structure. Finally, it strips off in a two-dimensional nucleation and growth fashion.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    170573

    Bileşik yarıiletken filmlerde fotoiletkenlik ölçümleri

    Photoconductivity measurements in compound semiconductors

    GÜLÇİM KÖROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. RAMAZAN ESEN

  2. Tez No

    394564

    Üçlü bileşik yarıiletken AgIn5S8 ve dörtlü bileşik yarıiletken TlGaSeS tek kristallerinde ısıl uyarılmış akım ölçümleri

    Thermally stimulated current measurements in ternary compound semiconductor AgIn5S8 and quaternary compound semiconductor TlGaSeS single crystals

    BEKİR SÜLÜNHAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM

  3. Tez No

    534694

    I2-II-IV-VI4 nanokristal bileşik yarıiletken ince filmlerin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural and optical properties of I2-II-IV-VI4 nanocrystalline compound semiconductor thin films

    ZEYNEP KİŞNİŞCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL

    PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU

  4. Tez No

    131471

    II-VI bileşik yarı iletken çinko oksit'te nokta kusurların elektriksel iletkenliğe etkileri

    Effects of point defects on electrical properties of II-VI compound semiconductor zinc oxide

    EMRE GÜR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  5. Tez No

    497657

    Structural and optical properties of bulk and quantum well gaas1-xbix semiconductors

    Bulk ve kuantum kuyu gaas1-xbix yarıiletken alaşımlarının yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

    ELİF KUŞVURAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Mühendislik BilimleriAdana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ

Geri Dön