Amorf yarı iletken a-Si:H/a- SİNx:H çokkatlı filimlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of amorphous semiconducting a-Si i H/a-SİNx:H multilayer films
- Tez No: 105586
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf Silisyum, amorf silisyum azot alaşımı, a-Si:H/ a-SiNx:H çokkatlı filmler, bant geçiren filtre, Fabry-Perot filtre, Film, İletkenlik, İnce filmler, Amorphous silicon, amorphous silicon nitride alloys, a-Si:H/ a~SiNx:H multilayer films, bandpass filter, Fabry-Perot filter, Amorphous silicon nitrogen alloy, Film, Conductivity, Thin films
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz Bu çalışmada, RF plazma biriktirme sisteminde hidrojenlendirilmiş amorf silisyumun (a-Si:H) ve hidrojenlendirilmiş amorf silisyum- azot alaşımı (a-SiNx:H) tekkatlı filmlerin ve bunların ardışık olarak üst üste büyütülmesi ile elde edilen çokkatlı ince filmlerin elektronik ve optik özelliklerini belirlemek için karanlık iletkenlik, aydınlık iletkenlik ve optik geçirgenlik deneyleri yapılmıştır. Karanlık iletkenlik deneyleri sonucunda; tekkatlı ve çokkatlı filmlerin karanlık öziletkenlikleri arasında ilişki kurulmuş ve çokkatlı filmlerin karanlık öziletkenliklerinin tekkatlı filmlerle aynı davranışı gösterdiği tespit edilmiştir. Çokkatlı filmlerin a-Si:H katmanını oluşturan tekkatlı yarım saatlik saf filme göre daha yüksek karanlık öziletkenlikleri vardır ve katman sayısı karanlık öziletkenliği çok belirgin bir şekilde değiştirmemiştir. Aydınlık iletkenlik deneyleri sonucunda; tekkatlı ve çokkatlı filmlerin fotoöziletkenlikieri arasında ilişki kurulmuş çokkatlı filmlerin fotoöziletkenliklerinin karanlık öziletkenlikte olduğu gibi tekkatlı filmlerle aynı davranışı gösterdiği tespit edilmiştir. Katman sayısı ve katmanların büyüme süresi fotoöziletkenliği etkilemekte ve artan azot oranı ile fotoöziletkenlik artmaktadır. Optik geçirgenlik deneylerinin sonucunda; çokkatlı filmlerin, katman sayısı, azot oranı ve katmanların büyüme süresine bağlı olarak görünür bölgeyi çok iyi kesen yakın infrared bölgeyi (NIR) geçiren bant filtre özelliği gösterdiği tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, multilayer films consisting of sequential layers of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and insulating amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) were prepared on glass substrates by plasma decomposition, using SihU for the undoped a-Si:H and SiH4 / NH3 for nitride layer. The dark conductivity and the steady-state photoconductivity and their dependence on light intensity were investigated in multilayer films as a function of temperature between 420 and 100 K. Optical transmission measurements were carried out on a spectrometer in the wavelength range from 400 nm to 1 100 nm. Dark conductivity measurements showed that the conductivity was thermally activated with a single activation energy as in the case of single-layer films. The activation energy was measured to be ~ 0.5 eV. The temperature and the light intensity dependence of photoconductivity of multilayer films behaved like single-layer films. Optical transmission measurements displayed that some multilayer films behaved as a Fabry-Perot bandpass filter in the near-infrared region.
Benzer Tezler
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Analyset of silicon based thin films by fourier transfer infrared spectroscopy
Silikon tabanlı yarı iletken filmlerin kızılötesi spectrometre ile analizi
ÖZCAN BAZKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Fabrication and characterization of a-Si:H based top-gate and bottom-gate thin-film transistors (TFTs)
A-Si:H tabanlı üst-kapı ve alt-kapı ince film transistörlerin (TFTs) fabrikasyonu ve karakterizasyonu
ELÇİN MERT
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİGÜL BÜYÜKAKSOY
DR. ÖĞR. ÜYESİ TURGUT TUT
- Surface preparation passivation and patterning techniques used in silicon based heterojunction solar cells
Silisyum tabanlı hetero-eklem güneş gözelerinde kullanılan yüzey hazırlama, pasivasyon ve patern oluşturma teknikleri
ERGİ DÖNERÇARK
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Amorf silisyum ve alaşımları heteroeklemlerin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Electronic and optical properties of heterostructures fabricated by using a-Si:H and its alloys
İLKER AY
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN TOLUNAY