Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılarının yoğunluk mobilite ölçümleri ve modellenmesi
Density, mobility measurements and modellings of charge carriers in semiconductors
- Tez No: 112507
- Danışmanlar: PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yan İletkenler, CdS, Kimyasal Depolama Yöntemi, Mobilite, İletkenlik, Hareketlilik, Hareketlilik ölçümleri, Kadmiyum sülfür, Yarı iletkenler, Yük taşımacılığı, Semiconductors, CdS, Chemical Bath Deposition, Mobility, Conductivity. «SESSK?» ^kOmaktasyon, Mobility measurements, Cadmium sulfide, Freight transportation, Conductivity
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
CdS yarı iletken malzemeler; güneş pilleri, fotovoltaik ve fotoiletken dedektör, fotosensör, transistor yapımında kullanılan yarıiletken ince filmler içinde oldukça fazla oranda çalışılmaktadır. Aynı zamanda heteroeklem güneş pillerinde, dar band aralıklı CU2S ve InP gibi yarıiletkenlerde pencere katmanı olarak kullanılmaktadır.Yan iletken materyalin elektriksel ve optiksel özelliklerini karakterize eden en önemli büyüklükler; iletkenlik, serbest taşıyıcı yoğunlukları, elektron ve deşik mobiliteleri /4 ve //p, geçirgenlik ve yasak enerji aralığı Eg dir. Bu çalışmada CdS ince filmler cam alt tabakalar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle oluşturuldu ve geçirgenlik, band aralığı, iletkenlik, serbest taşıyıcı yoğunlukları ve mobilite çalışıldı. Bu filmlerin özellikleri, aygıt performansını belirleyen kalınlık, optik soğurma, yasak enerji aralığı, iletkenlik ve mobilite cinsinden belirlendi ve ölçümlerin, daha önce yayınlanmış sonuçlarla uyum içinde olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
Among the thin films CdS has been the one which has been extensively studied in order to make solar cells, photovoltaic and photoconductive dedectors, photosensors, transistors. Also it has been used as a window material in heterojunction solar cells together with narrow band gap semiconductors like CU2S and InP. The most important quantities characterizing the electrical and optical properties of semiconductor materials are the conductivity, the concentrations of free carriers, the carrier mobilities /^ and jup, transmission and band gap (Eg). In the present work CdS thin films were deposited on to glass substrates by chemical bath deposition and transmission, band gap, conductivity, density of free carriers and mobility were studied. These film properties investigated in terms of thickness, optical absorbtion, band gap, conductivity and mobility. It is observed that our measurements are in accordance with the published values.
Benzer Tezler
- Computer based modelling and simulation of electronic and optical properties of CdSe and ZnSe based heterostructure quantum dots
CdSe ve ZnSe tabanlı heteroyapılı kuantum noktaların elektronik ve optik özelliklerinin bilgisayar tabanlı modellenmesi ve benzetimi
DERYA MALKOÇ
Doktora
İngilizce
2025
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Yeşil sentez metodu ile hazırlanan Ag2S temelli nanokompozitlerin fotokatalitik hidrojen üretiminde kullanılması
The use of Ag2S based nanocomposites prepared by green synthesis method in photocatalytic hydrogen production
AYDIN BARIŞ ŞİMŞİR
- Ground state properties of double-wire semiconducting systems
Çift kuantum tellerinde taban enerji seviyesi özellikleri
NİHAL MUTLUAY MÜSTECAPLIOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiYRD. DOÇ. DR. BİLAL TANATAR
- Yarı iletkenlerde yük taşıyıcılarının taşınım denklemlerinin Monte Carlo Yöntemiyle çözümü
The solution of carrier transport equations in semiconductors by using Monte Carlo Method
EVREN KALAYCIKLIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. KADİR AKGÜNGÖR