Geri Dön

Farklı iyon demeti karışımıyla hedefleri bombalayacak şekilde iyon kaynağını geliştirerek bu iyonların hedeflerin çekirdek ve atomlarıyla etkileşmelerinin incelenmesi

The Modification of ion source to making bombardment of target using two different ion beam mixing and the investigation of the interaction between these ions and target's atoms and nucleons

  1. Tez No: 120423
  2. Yazar: ZEKAİ TEK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SAİM SELVİ, PROF. DR. AHMET ÖZTARHAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: İyon implantasyonu, durdurma gücü, iyon kaynağı, yüzey iyileştirmeleri, Yüzey modifikasyonu, İmplantasyon, İyon, Ion implantation, stopping power, ion source, surface modification, Implantation, Ion, Ion source
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ege Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

IV ÖZET İki Farklı İyon Demeti Karışımıyla Hedefleri Bombalayacak Şekilde İyon Kaynağını Geliştirerek Bu İyonların Hedeflerin Çekirdek Ve Atomlarıyla Etkileşmelerinin İncelenmesi TEK, Zekai Doktora Tezi, Fen Fakültesi Fizik Bölümü Birinci Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Saim SELVİ İkinci Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Ahmet ÖZTARHAN 2002, 149 sayfa MEWA-5 iyon implantasyon sistemi ile sadece metal iyonları üretilebilmektedir. Metal iyon demeti ile birlikte gaz iyon demeti de oluşturacak şekilde iyon kaynağı sistemi geliştirilmiştir. Bu iyonlar boşalma bölgesinde gaz basıncının artırılması ve bu bölgeye manyetik bobin yerleştirilmesiyle elde edilmiştir. Geliştirilen sistemde boşalma bölgesinde metal ve gaz karışımı kullanılarak metal+gaz iyon demetleri elde edilmiştir. Böylece iyon kaynağı tarafından üretilen iyonların yük durumu uygulanan potansiyellerde bir artırma yapılmadan, yani iyon üretecin boyutu ve elektrik gücünde tasarruf sağlayarak, iyon demetlerinin şiddeti ve akımı.artırılmıştır. Burada 1ST, N2++ Tf,Ti2+ ve ayrıca N*, N2++ Zr+, Zr2* iyon demetleri elde edilmiştir. Manyetik alan uygulanmasıyla ve manyetik alan uygulanmamasıyla bu iyonların puls uzunluğu, iyon akımı ve iyon akım yoğunluğundaki değişme, hızlandırma voltajı ve iyon akımı frekansındaki değişmeye göre İncelenmiştir. Yüksek dozdaki iyonlarla hedefin bombalanması süresince hedef içerisine giren iyonların iyon konsantrasyonu kademeli olarak artmaktadır. Yüksek iyon akışıyla hedeflerin bombalanmasında Firsov Lindhard-Schrafft ve ZBL'nin enerji ayırma gücü bağıntıları iyileştirilmiştir. Yüksek -doz rejiminde implantasyon devam ettikçe hedefin, ilk değerinden daha fazla olmak üzere, nükleer ve elektronikdurdurma gücünde sürekli bir artış olduğu, iyileştirilmiş ZBL modeli ' ile doğrulanmıştır. 130 keV lik Ixl017-4xl017 iyon/cm2 dozları arasında Zr iyonlarıyla 316L ve Be hedefleri bombalanmıştır. Deneysel ve teorik toplam durdurma gücü değerleri karşılaştırıldığında, bu değerler arasındaki farkın %6 civarında olduğu gösterilmiştir. Parlatılmış 316L, numunenin yapısal ve mekanik özellikleri üzerine iyonların etkisini araştırmak için, Ti+N, Zr ve N iyonlarıyla bombalanmıştır. Ölçümler; N implantasyonundan sonra sürtünme katsayısında yaklaşık 1.66 civarında azalma, sertlik değerinde 5.6 kat artış ve aşınmada yaklaşık 1/8 azalma, Zr implantasyonundan sonra sürtünme katsayısında yaklaşık 1.35 civarında azalma, sertlik değerinde 4.4 kat artış ve aşınmada yaklaşık 1/8 azalma, Ti+N implantasyonundan sonra sürtünme katsayısında yaklaşık 1.52 civarında azalma, sertlik değerinde 7 kat artış ve aşınmada yaklaşık 1/10 azalma olduğunu göstermiştir. İyonların enerji kaybı ve derinliğe göre konsantrasyonlarının dağılımları deneysel olarak Rutherford geri saçılma spektrometresiyle (RBS) ve teorik olarak TRIM bilgisayar programı ile çalışılmıştır. Parlatılmış Ti halita, numunenin yapısal ve mekanik özellikleri üzerine iyonların etkisini araştırmak için, Ti+N ve W iyonlarıyla bombalanmıştır. Ölçümler; W implantasyonundan sonra sürtünme katsayısında yaklaşık 1.06 civarında azalma, sertlik değerinde 2.8 kat artış ve aşınmada yaklaşık 1/13 azalma, Ti+N implantasyonundan sonra sürtünme katsayısında yaklaşık 1.25 civarında azalma, sertlik değerinde 5.9 kat artış ve aşınmada yaklaşık 1/14 azalma olduğunu göstermiştir. İyonların enerji kaybı ve derinlik dağılımları deneysel olarak RBS ve teorik olarak TRIM ile çalışılmıştır.

Özet (Çeviri)

VI ABSTRACT THE MODIFICATION OF ION SOURCE TO MAKING BOMBARDMENT OF TARGET USING TWO DIFFERENT ION BEAM MIXING AND THE WVESTIGATTON^OF THE INTERACTION BETWEEN THESE IONS AND TARGET'S ATOMS AND NUCLEONS TEK, Zekai Ph. D. In Physics First Supervisor: Prof. Dr. Saim SELVİ Second Supervisor: Prof. Dr. Ahmet ÖZTARHAN 2002, 150 sayfa MEWA-5 ion implantation system generates only metal ion beams. The ion source system was modified so that mixed metal and gas ion beams can be generated through adding magnetic coil and increasing the gas pressure in the discharge region. The modified system was used to produce the mixed metal-gas ions in the discharge region. Hence the charge state and current of ions produced by the ion source was grown without increasing the implanter operating voltage, so that it has been provided an important saving in cost and size of the implanter. Here N\ N2++ Ti+,Ti2+ and N*, N2++ Zr+, Zr2“1”ion beams was produced. These ions puis length, ion current and ion current density was investigated using magnetic field and without magnetic field according to the changing accelerator voltage and ion current frequency. During the ion implantation process in high dose regime, the ion concentration into substrade gradually increase in the implanted volume. A modification in Firsov and Lindhard-Schrafft and ZBL model is proposed for the energy-loss rate of high ion flux on account of that. It is verified through the modified form of the ZBL model that there are a continual increases in the nuclear and electronic stopping power of the substrate significantly and the increases in the formers are more than that in the latters as long as the ion implantation is continuingVII in high dose regime. The comparisons of the theoretical and the experimental total sopping powers of the implanted Be and 3 16L target with Zr ions to a dose of 1x1017- 4x1017 ions/cm2 at 130 keV, respectively, have shown that the differences between them are about by %6 which are less than the differences in which the results of the unmodified ZBL model. The polished 3 16L has been implanted with Ti+N, Zr and N ions to investigate the influence of the ions on its structural and mechanical effect. Measurements show that after N implantation, the friction coefficient decreases approximately by 1.66, the hardness value increases 5.6 times, and the wear behaviour decreases approximately 1/8 times, after Zr implantation, the friction coefficient decreases approximately by 1.35, the hardness value increases 4.4 times, and the wear behaviour decreases approximately 1/8 times, after Ti+N implantation, the friction coefficient decreases approximately by 1.52, the hardness value increases 7 times, and the wear behaviour decreases approximately 1/10 times. The energy loss along ion trajectories and its range distributions in the target have been studied experimentally by RBS and theoretically by TRIM. The polished Ti alloy has been implanted with Ti+N and W ions to investigate the influence of the ions on its structural and mechanical effect. Measurements show that after W implantation, the friction coefficient decreases approximately by 1.06, the hardness value increases 2.8 times, and the wear behaviour decreases approximately 1/13 times, after Ti+N implantation, the friction coefficient decreases approximately by 1.25, the hardness value increases 5.8 times, and the wear behaviour decreases approximately 1/14 times. The energy loss along ion trajectories and its range distributions in the target have been studied experimentally by RBS and theoretically by TRIM.

Benzer Tezler

  1. Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi

    The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters

    İRFAN ALP GEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ELMALI

  2. İyon demeti destekli manyetik alanda sıçratma yöntemiyle (Ti,Mg)N ince filmlerin üretilmesi, yapısal ve biyoaktivite özelliklerinin belirlenmesi

    Manufacturing, structural characterization and bioactivity determination of (Ti,Mg)N thin films produced by ion beam assisted dual magnetron sputtering deposition technique

    BERK ŞÜKRÜ DEMİREL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. KÜRŞAT KAZMANLI

  3. 3D electron microscopy investigations of human dentin and ion beam irradiation effect on biocompatible anatase TiO2 using Focused Ion Beam based techniques

    İnsan dentinin 3D elektron mikroskobu incelemeleri ve biyouyumlu anataz TiO2 üzerinde iyon demeti ışınlama etkisi odaklanmış iyon demeti dayalı teknikleri kullanılarak'

    SİNA SADİGHİKİA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN

    DR. MELTEM SEZEN

  4. Reactive ion beam etching and characterization of high-Tc superconductor Bi2212

    Yüksek sıcaklık üstüniletkeni Bi2212? nin reaktif iyon demeti dağlanması ve karakterizasyonu

    HASAN KÖSEOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

  5. Elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile üretilmiş niti ince-şekilli filmlerin faz yapılarının ve optik özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of phase structures and optical properties of niti thin-sculptured thin films produced by e-beam evaporation

    ÖZGEN AYDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KÜRŞAT KAZMANLI