Geri Dön

InSe ve InSe:N yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

Growth and optical characterization of InSe and InSe:N semiconductor crystals

  1. Tez No: 121359
  2. Yazar: MURAT SOYLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BAHATTİN ABAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: III-VI yarıiletken bileşikler, InSe, kristal büyütme, optik soğurma, Elliot teorisi, III-VI semiconductor compounds, InSe, crystal growth, optical absorption, Elliot theory
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

ÖZET Y. Lisans Tezi InSe ve InSe:N YARIİLETKEN KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ ve OPTİK KARAKTERİZASYONU Murat SOYLU Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Bahattin ABAY InSe ve InSe:N (%0.1at.) yarıiletken kristalleri Stockbarger prensibine dayalı Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Optik karakterizasyon için, 10-340 K aralığında 10 K adımlarla sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçümleri yapıldı. Deneysel soğurma katsayısının enerji ile değişimi, eksitonik bölgede Loranzian çizgi biçimini göz önüne alan Elliot modeli kullanılarak analiz edildi. Elde edilen uyum eğrilerinden eksitonik bağlanma enerjisi, çizgi genişliği ve eksiton parametreleri belirlendi. Sıcaklığa bağlı eksitonik rezonans ve çizgi genişliğinin analizinden bu parametrelerin sıcaklıkla değişimini kontrol eden etkin fonon frekansları elde edildi. 2002, 57 sayfa

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Master Thesis GROWTH AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF InSe AND InSe:N SEMICONDUCTOR CRYSTALS Murat SOYLU Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bahattin ABAY InSe and InSe:N (0.1 at.%) semiconducting compounds were grown using Directional Freezing Method based on Stockbarger technique. Temperature dependent optical absorption measurements were made in the 10-340 K temperature range with 10 K steps for the optical properties of grown crystals. The variation of the experimental optical absorption coefficient with energy was analysed by Elliot's model with Loranzian lineshape in the excitonic region. Excitonic binding energy, line-width and exciton parameters were determined from the fitting procedure. The energies of effective phonon controlling the temperature variation of the band gap and line-width were estimated from the analysis of the temperature dependence of this parameters. 2002, 57 pages

Benzer Tezler

  1. Tez No

    181471

    n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı

    The electric field effect on band gap energy of n-InSe:Sn and n-InSe:Sn single crystals and schottky contact behavior of semiconductor n-InSe:Sn

    SONGÜL DUMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK

  2. Tez No

    255353

    The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique

    Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri

    TAHİR ÇOLAKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  3. Tez No

    594843

    Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi

    The investigation of effect of Se concentration on the structural, electrical and optical properties of in: CdSe thin films produced by electrochemical deposition method

    GÜRKAN DEĞDAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET PEKSÖZ

  4. Tez No

    269688

    p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı

    The schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor

    ZEYNEP ELKOCA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN

  5. Tez No

    58523

    İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    BEKİR GÜRBULAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU

Geri Dön