Geri Dön

Pn eklem güneş pillerinin verim parametreleri ve bunları ölçme yöntemleri

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 12326
  2. Yazar: ÖMER FARUK YÜKSEL
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HALDUN KARABIYIK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Güneş pilleri, Verim, Solar cells, Yield
  7. Yıl: 1990
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Bu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı eleman olarak kullanılmak üzere hazırlanmış bir n+p eklemli silisyum güneş pili kullanıldı. Pilin karanlık bir ortamda ters ve doğru beslen akım-gerilim eğrileri ölçüldü. Bu eğrilerden, doyma akımı için I =1,55x10 mA, seri direnç için Rs= 3,73 Q ve parelel direnç için de R = 1 MÖ değerleri bulundu. Yine karanlık ortam koşullarında, 1) Doğru beslem ve düşük alanlarda difüzyon akımının <n«l>, 2) Doğru beslem ve yüksek alanlarda yeniden birleşme (re combination) akımının (n=;2), 3) Ters beslemde ise çoğalma (generation) akımının etkin olduğu gözlendi. Yapay aydınlatma altında pilin pratik verimi ^=%6,54 ve AMI, 5 aydınlatması ile kuantum verimi ölçümlerinden hesaplanan pratik verim *[ =* %12 elde edildi. Taşıyıcı yarıömrü için _3 t=2,6x10 sn ve difüzyon mesafesi için L=0,318 cm değerleri bulundu. Bunların literatürde verilen değerler ile uyumlu olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT In this study we have used an n p-Si junction solar cell which was prepared to use as a light sensitive device in electronic circuits. In a dark medium the forward and reverse biased current-voltage curves were measured. From these cur - -5 ves, for the saturation current I = 1.55x10 mA, the series o resistance R = 3.73 Q and the parallel resistance R = 1 MÛ s r p values were found. Besides, in the dark medium the following results were obtained: 1) In weak fields of forward bias the diffusion current <n*l), 2) In high fields of forward bias the recombination cui - rent (n«2), and 3) In the reverse bias the generation current mechanisms were found effective. The practical efficiency of the cell under artificial il lumination was V = 6.54 %, and under the AM 1.5 solar illumi nation conditions we have calculated a practical efficiency ^ = 12 % from the quantum efficiency measurements. For the -3 carrier lifetime t = 2.6x10 sec. and for the diffusion length L = 0.318 cm values were obtained. These parameters are in good agreement with the values in the literature.

Benzer Tezler

  1. Türkiye trafik düzeninde kazaların azaltılması açısından yeni trafik kanunu uygulaması ile ilgili sorunlar ve çözüm yolları

    Başlık çevirisi yok

    ERDAL UÇAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    UlaşımGazi Üniversitesi

    Kazaların Çevresel ve Teknik Araştırması Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    PROF. DR. RIDVAN EGE

  2. Şeker pancarında rizomania hastalığı

    Başlık çevirisi yok

    AYLA ÖZGÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    ZiraatEge Üniversitesi

    Bitki Koruma Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜLKÜ YORGANCI