a-SİC:H ince filmlerde elektriksel ölçümler ve ölçü düzeneğinin kurulması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 12608
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İnce filmler, Thin films
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada, 450K-77K sıcaklık aralığında karanlık ilet kenlik ve f otoiletkenlik deneyleri yapılabilecek bir ölçü düzeneği kurulmuştur. Bir plazma biriktirme sisteminde, silan-metan gaz karışımının“glow discharge”yöntemiyle ayrıştırılmasıyla hazırlanan hidrojenli amorf silisyum- karbon“(a-SiC:H) filmlerin iletkenlik ölçüleri, kurulan bu ölçü düzeneğinde yapılarak aşağıdaki sonuçlar elde edil miştir : 300K-420K sıcaklık aralığında yapılan karanlık iletkenlik ölçülerinde, iki farklı iletkenlik rejimi gözlenmiştir. Karanlık iletkenliğin aktivasyon enerjisi için, 350K'ın üstünde ve altında iki farklı değer elde edilmiş ve bu ak tivasyon enerjileri AE1, (yüksek sıcaklık) ve AE2”(alçak sı caklık) ' nin artan karbon oranı ile arttıkları sonucuna va rılmıştır. a-SiC:H filmlerin fotoiletkenliği 200K-420K sıcaklık ara lığında, üç farklı foton akısında ölçülmüş ve karbon mik tarı arttırıldığında, f otoiletkenlikte kuvvetli bir azal ma gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this work, an apparatus is constructed to measure dark conductivity and photoconductivity of thin film samples at a temperature between 4 5 OK and 77K in vacuum. The measurements are reported on the dark conductivity and photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon- carbon alloys (a-SiC:H) prepared from the glow-discharge decomposition of silane-methane mixtures at various carbon concentrations. The dark conductivity of the alloys has been measured in the temperature range 3 00K-42 0K, and two conduction regiues have been observed. For the activation energy of the dark- conductivity, two different values have been obtained above and below ^350K, and it is concluded that these activation energies AE, (high temperature) and AE~ (low temperature) Increase when the carbon concentration is increased. The photoconductivity of the a-SiC:H films has been measured in. the temperature range 200K-420K at three different photon fluxes. A strong decrease is observed in the photoconductivity, when the carbon content is increased.
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Fotovoltaik uygulamalar için sıçratma yöntemi ile üretilen ZnO ince filmlerde katkı elementlerinin etkisi
Etching of the thin films produced with sputtering method effects of the doping elements and photovoltaic applications
ÜMMÜ MUSTAFAOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
EnerjiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET KARAASLAN
- Production of light emitting pin diodes based on the plasma deposited amorphous silicon carbide films
Plazma ile büyütülmüş amorf silisyum karbür film tabanlı ışık yayınlayan pin diyotların üretilmesi
KIVANÇ SEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- a-Si:H/c-Si heteroeklemlerinin elektronik ve optik özelliklerinin incelenmesi ve güneş pili üretimi
Electronic and optical properties of a-Si:H/c-Si heterojunctions and solar cell production
GAMZE BAŞER
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
- Optimization of silicon-oxynitride thin films for crystalline silicon(C-Si) perc cell
Silikon oksinitrat ince filmlerinin kristal silikon (C-Si) perc hücre için optimizasyonu
HASAN HÜSEYİN CANAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ