Photoionization and polarization of electrons in bulk and low-dimensional semiconductors
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 12868
- Danışmanlar: PROF.DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: düşük- boyutlu yarı iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto- iyonlaşma, kutuplanma, Fotoiyonlaşma, Kutuplaşma, Yarı iletkenler, low- dimensional semiconductors, shallow impurity, photoionization, polariz- ability, Polarization, Semiconductors
- Yıl: 1991
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
YARIİLETKEN VE DÜŞÜK-BOYUTLU YARIİLETKENLERDEKİ ELEKTRONLARIN FOTO-İYONLAŞMASI VE POLARİZASYONU ILAIWI, Khaled Faisal Fen ve Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Doktora Tezi Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet Tomak 84 sayfa, Şubat 1991 ÖZET Foto- iyonlaşma tesir kesitinin foton enerjisine bağımlılığı yarıiletkenlerdeki yabancı atomlar için değişik potansiyel modelleri kullanılarak hesaplanmıştır. Anizotropi etkileri dikkate alınmış ve spektrumu önemli bir şekilde etkilediği gösterilmiştir. Sonlu GaAs/Ga1-sAl2As kuantum kuyularındaki sığ verici yabancı atomların kutuplanabilirliği Hasse varyasyonel yöntemle etkin kütle yaklaşımında hesaplanmıştır. Kutuplanabilirliğin magnetik alana bağımlılığı incelenmiştir. Elektrik alan altındaki bir boyutlu potansiyel kuyusunda bulunan altbant elektronun kutuplanması nümerik olarak hesaplanmıştır. Literatürde rapor edilen negatif kutuplan manın, sonsuz kuantum kuyusu ile elektrik alanın sadece kuyu içinde etkili olduğu sonlu kuyulardaki geçerliliği gösterilmiştir. Sonlu ve serbest elektrik alan durumu için bütün alan değerlerinde pozitif kutuplanma bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
PHOTOIONIZATION AND POLARIZATION OF ELECTRONS IN BULK AND LOW-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS DLAIWI, Khaled Faisal Faculty of Arta and Sciences Department of Physics, Ph. D. Thesis Supervisor: Prof. Dr. Mehmet Tomak 84 pages, February 1991 ABSTRACT The dependence of photoionization cross- section on photon energy is calculated for bulk impurities using different impurity potentials. The effect of anisotropy is taken into account and is shown to affect the spectral dependence drastically. The polarizabilities of shallow donors in finite- barrier GaAa/Gal-aAlMAs quantum wells are calculated using the Hasse variational method within the effective- mass approx imation. The magnetic field dependence of polarizabilities is also studied. The polarization of a subband electron confined in a one- dimensional potential well in the presence of a uniform electric field is calculated numerically. It is shown that the anomolous negative polarization reported in the literature results for the case of an infinite and a finite- barrier Quantum Well with electric field confined to the well region. We find positive polarization for all values of the applied field for this seconed case.
Benzer Tezler
- Spectral measurements of ionization and dissociation in intense laser pulses
Başlık çevirisi yok
YAKUP BORAN
Doktora
İngilizce
2017
BiyofizikTexas A&m UnıversıtyDr. HANS A. SCHUESSLER
Dr. ALEXANDRE A. K OLOMENSKII
- Foton uyarımlı L3-alttabakasından M-tabakasına boşluk geçiş ihtimallerinin ve flüoresans x-ışınlarının açısal dağılımının ölçülmesi ve anizotropi parametrelerinin tayini
Measurement of photon-induced L3 subshell to M shell vacancy transfer probabilities and angular distribution of fluorescence x-rays and determination of anisotropy parameters
YÜKSEL ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. RIDVAN DURAK
- Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
MARWAN İZZAT EL KAWİNİ
- Properties of shallow impurities in quantum wells and wires
Başlık çevirisi yok
MOHAMMAD KHALİL EL-SAİD
Doktora
İngilizce
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Lantanyum doplu TlInS2 tabanlı yarıiletkende polarizasyon efektleri ve derin seviyeli defektlerin parametreleri
Polarization effects and deep-level parameters of the TlInS2 based semiconductor with lantanium dopant
ELİF ORHAN KARGIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY