Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
- Tez No: 23368
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: düşük-boyutlu yan iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto-iyonlaşma, kutuplanma, modülasyon-katkılama
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Altbant elektronlarının hareketlerinin kuantizasyonu ile katkılanmamış ve modülasyon- katkılanmış heteroyapılarda yabancı atomlarla ilgili özellikler çalışılmıştır. Tezin birinci kısmında, katkıbağlanma enerjileri, tedirgenmemiş hetero- yapılardaki yabancı atom elektronlarının fotoiyonlaşması ve kutuplanması tartışmaktadır. Tezin asıl ağırlığı modülasyon-kalkılı heteroyapılann fiziği üzerinedir. Potansiyel profili, Fermi enerjisi, altbant elektron yoğunluğu ve bunların değişik cihaz parametrelerine bağımlılığının bulunması için Schrödinger ve Poisson denklemleri varyasyonel bir yaklaşımla ve kendi kendisiyle uyumlu bir şekilde çözülmüştür. Sonuçlar değişik cihaz parametrelerinin heteroyapıîarın temel özelliklerini etkilediklerini açıkça göstermektedir ve kullanılan teorik yaklaşım bu özellikleri optimize etmede son derecede faydalıdır.
Özet (Çeviri)
The quantîzation of the motion of subband electrons and impurity related properties of unperturbed and modulation-doped heterostructures are studied. in the first part of the thesis, impurity binding energies, photoion- ization and polarization properties of impurity electrons in unperturbed het¬ erostructures are discussed. The main emphasis of the thesis is on the physics of modulation- doped heterostructures. The Schrodinger and Poisson equations are solved self-consistently in a variational approach for potential profile, Fermi energy, subband electron concentrations and their dependence on %'arious device pa- rameters. The results show clearly the effects of various device parameters on basic properties of heterostructures so that the theoretical approach presentedin the thesis is extremely useful for optimization purposes. Keywords : low-dimensional semiconductors, shallow impurity, photoioniza- tion, polarizability, modulation doping
Benzer Tezler
- The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode
Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması
OSMAN ÜRPER
Doktora
İngilizce
2021
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- CuxBiyTez nanofilmlerin elektrokimyasal potansiyel altı kodepozisyon metodu ile sentezi, karakterizasyonu ve potansiyel güneş pili uygulamasının araştırılması
Synthesis of CuxBiyTez nanofilms via electrochemical codeposition method, characterization and investigation of potential solar cell application
MURAT BUĞRA KARAKUZU
- The rational design of heterogeneous photocatalysts for the tandem photocatalytic hydrogen evolution and reduction of organic compounds in water
Suda tandem fotokatalitik hidrojen üretimi ve organik bileşiklerin indirgenmesi için heterojen fotokatalizörlerin rasyonel tasarımı
BEGÜMHAN KARAPINAR KOÇ
- Organik yarıiletken tetrasiyanokuinodimetan (TCNQ) tabanlı heteroyapıların optoelektronik özelliklerinin araştırılması
Investigation of optoelectronic properties of organic semiconductor tetracyanoquinodimethane (TCNQ) based heterostructures
BURCU AVCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
BiyoteknolojiSelçuk ÜniversitesiBiyoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM