Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
- Tez No: 23368
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: düşük-boyutlu yan iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto-iyonlaşma, kutuplanma, modülasyon-katkılama, Fotoiyonlaşma, Heteroyapılar, Kutuplaşma, Yarı iletkenler, low-dimensional semiconductors, shallow impurity, photoioniza- tion, polarizability, modulation doping, Photoionization, Heterostructures, Polarization, Semiconductors
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Altbant elektronlarının hareketlerinin kuantizasyonu ile katkılanmamış ve modülasyon- katkılanmış heteroyapılarda yabancı atomlarla ilgili özellikler çalışılmıştır. Tezin birinci kısmında, katkıbağlanma enerjileri, tedirgenmemiş hetero- yapılardaki yabancı atom elektronlarının fotoiyonlaşması ve kutuplanması tartışmaktadır. Tezin asıl ağırlığı modülasyon-kalkılı heteroyapılann fiziği üzerinedir. Potansiyel profili, Fermi enerjisi, altbant elektron yoğunluğu ve bunların değişik cihaz parametrelerine bağımlılığının bulunması için Schrödinger ve Poisson denklemleri varyasyonel bir yaklaşımla ve kendi kendisiyle uyumlu bir şekilde çözülmüştür. Sonuçlar değişik cihaz parametrelerinin heteroyapıîarın temel özelliklerini etkilediklerini açıkça göstermektedir ve kullanılan teorik yaklaşım bu özellikleri optimize etmede son derecede faydalıdır.
Özet (Çeviri)
The quantîzation of the motion of subband electrons and impurity related properties of unperturbed and modulation-doped heterostructures are studied. in the first part of the thesis, impurity binding energies, photoion- ization and polarization properties of impurity electrons in unperturbed het¬ erostructures are discussed. The main emphasis of the thesis is on the physics of modulation- doped heterostructures. The Schrodinger and Poisson equations are solved self-consistently in a variational approach for potential profile, Fermi energy, subband electron concentrations and their dependence on %'arious device pa- rameters. The results show clearly the effects of various device parameters on basic properties of heterostructures so that the theoretical approach presentedin the thesis is extremely useful for optimization purposes.
Benzer Tezler
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- GaN tabanlı heteroyapıların sıkı bağlanım kuramı
Tight binding modeling of GaN based heterostructure
EBRU ŞİMŞEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Yarı iletken kuantum nokta yapılarının elektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electronic properties of semiconductor quantum dot structures
MEHMET ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET TOMAK