Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
- Tez No: 23368
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: düşük-boyutlu yan iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto-iyonlaşma, kutuplanma, modülasyon-katkılama, Fotoiyonlaşma, Heteroyapılar, Kutuplaşma, Yarı iletkenler, low-dimensional semiconductors, shallow impurity, photoioniza- tion, polarizability, modulation doping, Photoionization, Heterostructures, Polarization, Semiconductors
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Altbant elektronlarının hareketlerinin kuantizasyonu ile katkılanmamış ve modülasyon- katkılanmış heteroyapılarda yabancı atomlarla ilgili özellikler çalışılmıştır. Tezin birinci kısmında, katkıbağlanma enerjileri, tedirgenmemiş hetero- yapılardaki yabancı atom elektronlarının fotoiyonlaşması ve kutuplanması tartışmaktadır. Tezin asıl ağırlığı modülasyon-kalkılı heteroyapılann fiziği üzerinedir. Potansiyel profili, Fermi enerjisi, altbant elektron yoğunluğu ve bunların değişik cihaz parametrelerine bağımlılığının bulunması için Schrödinger ve Poisson denklemleri varyasyonel bir yaklaşımla ve kendi kendisiyle uyumlu bir şekilde çözülmüştür. Sonuçlar değişik cihaz parametrelerinin heteroyapıîarın temel özelliklerini etkilediklerini açıkça göstermektedir ve kullanılan teorik yaklaşım bu özellikleri optimize etmede son derecede faydalıdır.
Özet (Çeviri)
The quantîzation of the motion of subband electrons and impurity related properties of unperturbed and modulation-doped heterostructures are studied. in the first part of the thesis, impurity binding energies, photoion- ization and polarization properties of impurity electrons in unperturbed het¬ erostructures are discussed. The main emphasis of the thesis is on the physics of modulation- doped heterostructures. The Schrodinger and Poisson equations are solved self-consistently in a variational approach for potential profile, Fermi energy, subband electron concentrations and their dependence on %'arious device pa- rameters. The results show clearly the effects of various device parameters on basic properties of heterostructures so that the theoretical approach presentedin the thesis is extremely useful for optimization purposes.
Benzer Tezler
- Organik yarıiletken tetrasiyanokuinodimetan (TCNQ) tabanlı heteroyapıların optoelektronik özelliklerinin araştırılması
Investigation of optoelectronic properties of organic semiconductor tetracyanoquinodimethane (TCNQ) based heterostructures
BURCU AVCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
BiyoteknolojiSelçuk ÜniversitesiBiyoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM
- The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode
Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması
OSMAN ÜRPER
Doktora
İngilizce
2021
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- First-principles investigation of novel single-layers and heterostructures of group III-IV elements
Grup III ve IV elementlerinin tek katmanlı ve heteroyapılarının ilk prensipler ile incelenmesi
YANKI ÖNCÜ YAYAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÜMİT HAKAN YILDIZ
PROF. DR. HASAN ŞAHİN
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU