Geri Dön

Electronik properties of semiconductor heterojunctions

Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri

  1. Tez No: 23368
  2. Yazar: MARWAN İZZAT EL KAWİNİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: düşük-boyutlu yan iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto-iyonlaşma, kutuplanma, modülasyon-katkılama, Fotoiyonlaşma, Heteroyapılar, Kutuplaşma, Yarı iletkenler, low-dimensional semiconductors, shallow impurity, photoioniza- tion, polarizability, modulation doping, Photoionization, Heterostructures, Polarization, Semiconductors
  7. Yıl: 1992
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Altbant elektronlarının hareketlerinin kuantizasyonu ile katkılanmamış ve modülasyon- katkılanmış heteroyapılarda yabancı atomlarla ilgili özellikler çalışılmıştır. Tezin birinci kısmında, katkıbağlanma enerjileri, tedirgenmemiş hetero- yapılardaki yabancı atom elektronlarının fotoiyonlaşması ve kutuplanması tartışmaktadır. Tezin asıl ağırlığı modülasyon-kalkılı heteroyapılann fiziği üzerinedir. Potansiyel profili, Fermi enerjisi, altbant elektron yoğunluğu ve bunların değişik cihaz parametrelerine bağımlılığının bulunması için Schrödinger ve Poisson denklemleri varyasyonel bir yaklaşımla ve kendi kendisiyle uyumlu bir şekilde çözülmüştür. Sonuçlar değişik cihaz parametrelerinin heteroyapıîarın temel özelliklerini etkilediklerini açıkça göstermektedir ve kullanılan teorik yaklaşım bu özellikleri optimize etmede son derecede faydalıdır.

Özet (Çeviri)

The quantîzation of the motion of subband electrons and impurity related properties of unperturbed and modulation-doped heterostructures are studied. in the first part of the thesis, impurity binding energies, photoion- ization and polarization properties of impurity electrons in unperturbed het¬ erostructures are discussed. The main emphasis of the thesis is on the physics of modulation- doped heterostructures. The Schrodinger and Poisson equations are solved self-consistently in a variational approach for potential profile, Fermi energy, subband electron concentrations and their dependence on %'arious device pa- rameters. The results show clearly the effects of various device parameters on basic properties of heterostructures so that the theoretical approach presentedin the thesis is extremely useful for optimization purposes.

Benzer Tezler

  1. Organik yarıiletken tetrasiyanokuinodimetan (TCNQ) tabanlı heteroyapıların optoelektronik özelliklerinin araştırılması

    Investigation of optoelectronic properties of organic semiconductor tetracyanoquinodimethane (TCNQ) based heterostructures

    BURCU AVCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

  2. The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode

    Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması

    OSMAN ÜRPER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  3. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  4. First-principles investigation of novel single-layers and heterostructures of group III-IV elements

    Grup III ve IV elementlerinin tek katmanlı ve heteroyapılarının ilk prensipler ile incelenmesi

    YANKI ÖNCÜ YAYAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÜMİT HAKAN YILDIZ

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

  5. Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions

    Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar

    ÖZGE KARACASU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU