Analysis and modeling of multi-gate mosfet structures
Çok kapılı mosfet yapılarının analizi ve modellenmesi
- Tez No: 129439
- Danışmanlar: DOÇ. DR. GÜNHAN DÜNDAR, PROF. DR. ÖMER CERİD
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Analitik model, Mosfet, Transistör, Analytical model, Mosfet, Transistor
- Yıl: 2002
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET ÇOK KAPILI MOSFET YAPILARININ ANALİZİ VE MODELLENMESİ Çok kapılı MOSFET yapıları için analitik modeller sunulmaktadır. Analitik yaklaşımlarda ortaya çıkan transistor yapısıyla ilgili matematiksel problemler, yaklaşık çözümleriyle birlikte ve ortaya konan analitik modellerle tartışılmaktadır. Her model sonucu farklı kombinasyonlarla, simülasyon sonuçları ile kıyaslanmıştır. Değişik yaklaşımlar arasında en uygun olanı, basitlik ve uyumluluk unsurları göz önüne alınarak seçilmiştir. Seçilen model yanal alan mobilite etkisini de analitik formunda barındırmaktadır, bu etki özellikle söz konusu transistor yapısı için önem kazanmaktadır. İleri sürülen model, transistorun karakteristiğini belirlemek için gereken parametrelerin çıkarılmasına el verecek ölçüde basittir. Bunun yanısıra modelden elde edilen sonuçlar simülasyon sonuçları ile iyi bir uyum göstermiştir.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT ANALYSIS AND MODELING OF MULTI-GATE MOSFET STRUCTURES Several analytical models are presented for dual-gate MOSFET structures. The mathematical difficulties of the analytical approaches related to device structure are discussed with approximate solutions to the problem, and with the analytical models proposed. Each of the results obtained from these models is compared with the extensive simulations. Among the different approaches, the most appropriate one is chosen ac cording to the criteria of simplicity and the degree of matching. The model chosen includes lateral field dependent mobility effect in its analytical form, which is especially important for this device. It is simple enough to allow fur ther derivations of the device parameters that are required for characterization of the device. Furthermore, results obtained from the model are in good agreement with the simulation results.
Benzer Tezler
- Gan güç transistörlerinin anahtar kayıplarının nöral ağ tabanlı modellenmesi
Neural network based modeling of switching losses in gan power transistors
ALİİMZA DAŞDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
İstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Çok çıkışlı flyback dönüştürücüde çıkış geriliminin yüke bağlı incelenmesi
Investigation of output voltage in multi output flyback converter with different load
SALİH DİNDAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Gazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Design, control, modeling, and locomotion analysis of a multi-legged modular miniature robot with soft backbones
Yumuşak omurgalı çok bacaklı modüler minyatür robotun tasarımı, kontrolü, modellenmesi ve lokomosyon analizi
NIMA MAHKAM
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
İhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Endometrial kalınlık ile endometrial kanseröz ve prekanseröz lezyonlar arasındaki ilişki
Relationship between endometrial thickness and endometrial cancerous and precancerous lesions
OĞUZ KAAN KÖKSAL
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2021
Süleyman Demirel ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Structural modelling, analysis, evaluation and strengthening of Perge Southern Gate Hellenistic towers
Perge güney kapısı Helenistik kuleleri yapısal modelleme, analiz, değerlendirme ve güçlendirme çalışması
ORHAN METE IŞIKOĞLU