GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi
The Influence of the electric field on energy band gap of the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In semiconductors
- Tez No: 131468
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: III-VI Yarıiletken Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Elektrik Alan, Eksiton J1V111VHUW X, l~t KJ fL, K4.L 11J.U, III-VI compounds semiconductors, rare earth elements, absorption electric field, exiton. ?tTWaW* mıl%W-l!Wqt:J, ıW'fc>-Jl'!İ>fe
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
*^ 'tm* » «»» FİTİlf Anahilîm nah ^*j* '--¦*" ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In YARIİLETKENLERİNİN YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Şule ŞİŞMAN Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. Bekir GÜRBULAK Bu çalışmada Bridgman-Stockberger metodu ile büyütülen GaSe. GaSe:Gd ve GaSe:In tek kristalleri kullanılarak 10-320 K sıcaklık aralığında soğurma ölçüleri alındı. Bu ölçümler yardımıyla soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi, eksiton enerji seviyeleri ve bağlanma enerjileri hesap edildi. Ayrıca uygulanan dış elektrik alanın soğurma ölçüleri üzerine etkisi araştırıldı. Uygulanan dış elektrik alanla GaSe:Gd numunesinde yasak enerji aralığının değişmediği gözlendi. GaSe ve GaSedn numunelerinde ise uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve pik şiddetlerinin azaldığı gözlendi. Soğurma deneyleri sonucunda, yapıya katkılanan Gd'un yasak enerji aralığında bir genişlemeye, In'un ise yasak enerji aralığında bir daralmaya sebep olduğu tespit edildi. -0 2003, 79 sayfa
Özet (Çeviri)
-^-?.?'r.-rm-T w» Atatürk university :-s,v -wmwr ~w ABSTRACT Master Thesis THE INFLUENCE OF THE ELECTRIC FIELD ON THE FORBIDDEN ENERGY GAPS OF THE GaSe. GaSe:Gd AND GaSe:In SEMICONDUCTORS Şule ŞİŞMAN Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bekir GÜRBULAK In this study, the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In single crystals were grown by using Bridgman/Stockberger method. The absorption measurements were made at the temperature range of 10-320 K with 10 K steps. Using these datas the absorption coefficient, the variation of the forbidden energy gaps with temperature, the exiton energy levels, bonding energies were calculated. The influence of external electric field on the absorption measurement was investigated. As for the GaSe and GaSedn samples, with the influenced electric field, the forbidden energy gap was slipped to long wave lengths and the pick strengths were reduced. At the end of the absorption experiments, it was determined that the Gd caused an expandiation but In element caused a narrowing at the forbidden gap of the pure GaSe. 2003, 79 pages
Benzer Tezler
- İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BEKİR GÜRBULAK
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
- Structural, electrical and optical characterization of N-and Si-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen N-ve Si-ekilmiş GaSe tek kristallerinin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
ORHAN KARABULUT
Doktora
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
- Tabakalı galyum selenit (GaSe) kristalinde schottky ekleminin yapılması ve I-V karekteristiğinin araştırılması
Formation of schottky junction in the layered gallium selenide (GaSe) crystal and investigation of I-V characteristic
HÜSEYİN ERTAP
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- InSe/GaSe yarıiletken heteroyapısının elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
The theoretical investigation of the electronic properties of InSe/GaSe semiconductor heterostructures
AYÇA KIRAĞASI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Low temperature photoluminescence study in GaS-GaSe layered crystals
GaS-GaSe katmanlı kristallerin düşük sıcaklıkta fotoışıma incelemesi
KADİR GÖKŞEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİZAMİ HASANLİ