Geri Dön

GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi

The Influence of the electric field on energy band gap of the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In semiconductors

  1. Tez No: 131468
  2. Yazar: ŞULE ŞİŞMAN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: III-VI Yarıiletken Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Elektrik Alan, Eksiton J1V111VHUW X, l~t KJ fL, K4.L 11J.U, Eksiton, Elektrik alanları, Yarı iletkenler, III-VI compounds semiconductors, rare earth elements, absorption electric field, exiton. ?tTWaW* mıl%W-l!Wqt:J, ıW<J*'Uh%MMHta»«g^ lt.İ.IİHlMBama*IU>'fc>-Jl'!İ>fe, Exciton, Electric fields, Absorption, Semiconductors
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

*^ 'tm* » «»» FİTİlf Anahilîm nah ^*j* '--¦*" ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In YARIİLETKENLERİNİN YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Şule ŞİŞMAN Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. Bekir GÜRBULAK Bu çalışmada Bridgman-Stockberger metodu ile büyütülen GaSe. GaSe:Gd ve GaSe:In tek kristalleri kullanılarak 10-320 K sıcaklık aralığında soğurma ölçüleri alındı. Bu ölçümler yardımıyla soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi, eksiton enerji seviyeleri ve bağlanma enerjileri hesap edildi. Ayrıca uygulanan dış elektrik alanın soğurma ölçüleri üzerine etkisi araştırıldı. Uygulanan dış elektrik alanla GaSe:Gd numunesinde yasak enerji aralığının değişmediği gözlendi. GaSe ve GaSedn numunelerinde ise uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve pik şiddetlerinin azaldığı gözlendi. Soğurma deneyleri sonucunda, yapıya katkılanan Gd'un yasak enerji aralığında bir genişlemeye, In'un ise yasak enerji aralığında bir daralmaya sebep olduğu tespit edildi. -0 2003, 79 sayfa

Özet (Çeviri)

-^-?.?'r.-rm-T w» Atatürk university :-s,v -wmwr ~w ABSTRACT Master Thesis THE INFLUENCE OF THE ELECTRIC FIELD ON THE FORBIDDEN ENERGY GAPS OF THE GaSe. GaSe:Gd AND GaSe:In SEMICONDUCTORS Şule ŞİŞMAN Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bekir GÜRBULAK In this study, the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In single crystals were grown by using Bridgman/Stockberger method. The absorption measurements were made at the temperature range of 10-320 K with 10 K steps. Using these datas the absorption coefficient, the variation of the forbidden energy gaps with temperature, the exiton energy levels, bonding energies were calculated. The influence of external electric field on the absorption measurement was investigated. As for the GaSe and GaSedn samples, with the influenced electric field, the forbidden energy gap was slipped to long wave lengths and the pick strengths were reduced. At the end of the absorption experiments, it was determined that the Gd caused an expandiation but In element caused a narrowing at the forbidden gap of the pure GaSe. 2003, 79 pages

Benzer Tezler

  1. Investigation of electronic and optical properties of thiophene containing oligomers by density functional theory

    Tiyofen içeren oligomerlerin elektronik ve optik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi

    HAKAN CİCİGÜL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    İstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  2. Enerji verimliliği odaklı yapı yönlendirmesi için BIM tabanlı bir model önerisi: Kentsel dönüşüm örneği

    A BIM-based model proposal for energy efficiency focused building orientation: An urban transformation area example

    MÜBERRA DOLDUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    İstanbul Teknik Üniversitesi

    Geomatik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  3. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD`deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    Yükleniyor...

  4. The uses of modified muscovite at photoelectrochemical reactions and the application to new techniques

    Modifiye edilmiş muskovitin fotoelektrokimyasal tepkimelerde kullanılması ve yeni tekniklere uygulanması

    YUSUF DİLGİN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Ege Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  5. Tectonic and magmatic structure of Lake Van basin and its structural evolution, Eastern Anatolia accretionary complex (EAAC), East-Turkey

    Van Gölü havzasının tektonik ve magmatik yapısı ve yapısal evrimi, Doğu Anadolu yığışım karmaşığı (DAYK), Doğu Türkiye

    MUSTAFA TOKER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    İstanbul Teknik Üniversitesi

    İklim ve Deniz Bilimleri Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...