InSe/GaSe yarıiletken heteroyapısının elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
The theoretical investigation of the electronic properties of InSe/GaSe semiconductor heterostructures
- Tez No: 355410
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Bu tez kapsamında, InSe/GaSe yarıiletken heteroyapısının elektronik özelliklerini incelemek amacıyla yapılan çalışmalar sunulmaktadır. z yönünde InSe/GaSe bulk heteroyapısı, örgü sabitleri uyuşmayan III-VI yarıiletkenlerinden InSe ve GaSe ile oluşturulmuştur. Teorik olarak modellenmiş bu bulk heteroyapının, örgü sabiti, toplam enerjisi ve elektrostatik potansiyel eğrileri hesaplanmıştır. Bu hesaplamalar yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, in order to examine the electronic properties of InSe /GaSe semiconductor heterostructure studies are presented. The InSe/GaSe bulk heterostructure in z direction is created using InSe and GaSe from lattice mismatched III-VI semiconductor. We have calculated lattice constant, total energy and electrostatic potential curves of the system in the theoretically modelled. This calculations have been made using the plane wave self-consistent field program based on the density functional theory.
Benzer Tezler
- In0.15Ga0.85Se tek kristalinin ve amorf yapıdaki ince filmlerinin doğrusal olmayan optik özellikleri
Nonlinear optical properties of In0.15Ga0.85Se single crystal and its amorphous thin films
AHMET KARATAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Selenyum bileşikli bazı yarıiletkenlerin çizgisel olmayan optik özellikleri
Nonlinear optical properties of some semiconductors with selenium compounds
MUSTAFA YÜKSEK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi
Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique
YASİN ÖZTIRPAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler
Photoconductivity of AIIIBVI crystals and metal-semiconductor-metal junctions withGaS, GaSe, GaTe and GaSe1-xTex crystals
CEMALETTİN TÜRKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- CDS incefilmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde CBD yöntemiyle büyütülmesi ve yapısal, optik, fotoelektik özelliklerinin araştırılması
The investigation of structural, optical and optoelectronical properties of CDS thin films which are deposited on different substrates by CBD method
GÖKHAN BARİKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT