Geri Dön

Darbeli anodizasyon tekniği ile gözenekli ve Si ve gözenekli Si tabanlı fabry-perot yapılarının üretimi: Yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi

Fabrication of porous Si and porous Si based fabry-perot structures by pulse anodization technique: Structural and optical characterization

  1. Tez No: 131540
  2. Yazar: TEVHİT KARACALI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Gözenekli Silisyum, fotolüminesans, gözenekli silisyum mikrokovuk, darbeli anodik dağlama, yansıma. T.C. YÜKSEKÖĞRETİM KURULU BGKÜMÂNTÂSYÖN İERKEZİ, Porous Silicon, photoluminescence, porous silicon microcavity, pulse anodic etching, reflectance. 11
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 149

Özet

ÖZET Doktora Tezi DARBELİ ANODÎZASYON TEKNİĞİ İLE GÖZENEKLİ Si VE GÖZENEKLİ Si TABANLI FABRY-PEROT YAPILARININ ÜRETİMİ: YAPISAL VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Tevhit KARAÇALI Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Hasan EFEOĞLU n ve p tipi numunelerde HF tabanlı çözeltide geleneksel elektrokimyasal anodik dağlama ve darbeli elektrokimyasal anodik dağlama üretim teknikleri kullanıldı. Gözenekli Si'nun tabiatı gereği farklı kırılma indisli tabakalar oluşturulabilmesinden dolayı diğer yarıiletkenler ile gerçekleştirilebilen yüzeyden ışımalı lazer yapılara benzer DBR ve Fabry-Perot filtreler oluşturuldu. SEM analizi ile yapısal karakterizasyon, fotolumünesans (PL) ve yansıma ölçümleri ile optik özelliklerinin incelenmesi yapıldı. Zamana bağlı PL ölçümlerinde 1.5 ay sonunda PL tepe pozisyonunda 210 meV'luk maviye doğru kayma gözlemlendi. 1.51, 1.56 ve 1.7 eV merkezli Gauss dağılımına uygun tepelerinin zamanla zayıfladığı, 1.81 eV merkezli Gauss tepesini 1.5 ay sonunda 1.90 eV'a şiddetlenerek kaydığı tesbit edildi. Bu durum QC etkisi yanında kimyasal etkilerin de varlığını göstermektedir. Fabrikasyon sonrası H2O2'de 45 dakika bekletilen numunelerde PL tepe pozisyonunda zamanla değişimin olmadığı gözlendi. PL haritalama ölçümleri ile numune boyunca optik etkinliğinin homojenliği incelendi, n tipi silisyumdan ışık darbeli anodizasyon ile oluşturulmuş GS numunelerinde daha homojen dağılım olduğu gözlemlendi. 1-2 Qcm özdirençli p tipi silisyumda akım değişimi ile gözeneklilik dolayısı ile kırılma indisinde değişim fazla olmadığı için gözenekli silisyum DBR' den durdurucu bandı dar ve yansıma katsayısı düşük yansıma spektrumları elde edildi. 0.01-0.02 Qcm özdirençli p tipi silisyumda akım değişimi ile kırılma indisinde yeterince büyük değişim (2.2-1.3) gösteren DBR ve mikrokovuk FB filtreler oluşturuldu. Durdurucu bandı 200-250 nm ve yansıma katsayısı 0.9-0.95 olan yansıma spektrumları, %90 darbe genişlikli ve 100 Hz darbe frekanslı darbeli anodizasyon ile kontrollü ve homojen DBR ve mikrokovuk FB filtreler elde edildi. 2003, 124 sayfa

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Ph.D. Thesis FABRICATION of POROUS Si and POROUS Si BASED FABRY-PEROT STRUCTURES by PULSE ANODIZATION TECHNIQUE: STRUCTURAL and OPTICAL CHARACTERIZATION Tevhit KARAÇALI Atatürk University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Hasan EFEOGLU HF-based solutions have been used in conventional fabrication techniques called electrochemical anodic and pulsed-electrochemical anodic etching of n and p-type Si samples. Distributed Bragg Reflectors (DBR) and Fabry-Perot filters like vertical cavity surface emitting semiconductor lasers (VCSEL) have been fabricated because layers with different refractive index have been formed due to inherent properties of Porous Si. Structural characterization with a SEM analysis and, PL and reflection measurements with an optical characterisation have been carried out. After 1.5 months, a blue shift of 210 meV in the PL peak position has been observed during the aging PL measurements. It has been determined that Gaussian peaks centred at 1.51, 1.56 and 1.7 eV have decreased as the time passed. Moreover, the Gaussian peak at 1.81 eV shifted to 1.90 eV as intensified after 1.5 months. This demonstrates the existence of QC effects as well as chemical influences. After the fabrication, PL peak position of the samples, which is kept at H2O2 for 45 minutes, has not changed in time. Homogeneous distribution of the optical activity throughout the samples has been investigated using PL mapping measurements. Better homogeneous distribution in GS samples formed with light pulsed-anodization from n-type silicon has been observed. Because a change in porosity and refractive index with current in p- type silicon (1-2 £Scm) is not significant, reflection spectra with a narrow stop band and low reflection c oefficient have b een obtained. D BR and m icrocavity FP filters h ave b een formed showing a significant change (2.2-1.3) in refractive index with current in 0.01-0.02 £2cm p-type silicon. Reflection spectra having a stop band with 200-250 nm and reflection coefficient of 0.9- 0.95 have been obtained. Controlled and homogeneous DBR and microcavity FP filters have been fabricated using pulsed-anodization with 90% pulse width and 100 Hz pulse frequency. 2003, 124 pages

Benzer Tezler

  1. Fabrication of germanium micro and nanostructures by laser induced electrachemical anodization method

    Germanyum mikro ve nano yapıların darbeli lazer içeren elektrokimyasal anodizasyon yöntemi ile üretilmesi

    EMİN ÖZÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ

  2. Çene cerrahisi operasyonları sonrası destekleyici tedavi için 27 MHz frekanslı anten tasarımları ve analizler

    27 MHz frequency antenna designs and analysis for supportive treatment after maxillofacial surgery operations

    ZAFER EMRE ALBAYRAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÇETİN KURNAZ

  3. Darbeli kırmataş kolon destekli radye temel sistemlerinin üç boyutlu sonlu elemanlar analizi ve optimizasyonu

    Three-dimensional finite element analysis and optimization of raft foundation systems supported with rammed aggregate piers

    YUSUF AVCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    İnşaat MühendisliğiHarran Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ARDA BURAK EKMEN

  4. Darbeli elektrokimyasal yöntemle üretilen ZnS ve Cu katkılı ZnS yarıiletken ince filmlerin karakterizasyonu

    Characterization of ZnS and Cu doped ZnS semiconductor thin films produced by pulsed electrochemical method

    YUSUF IBRAHIM ABDULLAHI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTekirdağ Namık Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KADİR ERTÜRK

    DR. MAKBULE TERLEMEZOĞLU

  5. Investigation and design of impulse radiating antennas driven with Marx generator

    Marx üreteci ile sürülen darbe ışıyan anten incelenmesi ve tasarımı

    ÖZGE EREN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖZGÜR SALİH ERGÜL