Geri Dön

Optical properties of SnS and SnSe

SnS ve SnSe?nin optik özellikleri

  1. Tez No: 13455
  2. Yazar: BEŞİRE GÖNÜL ARPA
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. İ. ENGİN TÜRE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Tabakalı yarıiletkenler, kayma düzlemi, optik geçir genlik, absorplanma katsayısı. iv, Optik geçirgenlik, Soğurma katsayısı, Tabakalı yarı iletkenler, Layered semiconductors, cleavage plane, optical transmission, absorption coefficient. iii, Sliding plane, Optical permeability, Absorption coefficient
  7. Yıl: 1991
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET SnS ve SnSe'NİN OPTİK ÖZELLİKLERİ GÖNÜL (ARPA) Beşire Yüksek Lisans Tezi, Fizik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. İ.Engin Türe Şubat 1991, 46 sayfa SnS ve SnSe tabakalı yarıiletkenlerde optik geçişler 200-1100 nm dalga boyu aralığında £.|la ve 611b yönlerinde polarize ışık için incelen- mistir. Burada a ve b vektörleri kristalin yarılma düzlemi içinde yer alan kristalografik eksenlerdir. İndirekt band aralıkları SnS için 1.24, 1.17 eV ve SnSe için 0.74 ve 0.8 eV sırasıyla Ellâ ve E||b polarizasyonları için elde edilmiştir. SnSe tabakalı yarıiletkeninde iki indirekt geçiş, E., ve E.2> E±1 = 1.14 ± 0.01 eV ve E±2 = 1.26 ± 0.01 eV olarak £|la polarizasyonu için, E±1 = 1.12 ± 0.01 ve E±2 = 1.22 + 0.01 eV E lib polarizasyonu için ortaya çıkarılmıştır. SnS 'de phonon yardımlı geçişlerin £|la polarizasyonunda 0.03 eV ve 0.075 eV, £|lb polarizasyonunda 0.05 eV ve 0.15 eV enerjilerine sahip iki phonon katkısına gerek duyduğu bulunmuştur. K <K, bağıntısının gelen ışığın bütün dalga boyları için SnSe 'de geçerli olmasına karşılık SnS 'de K _> K, bağıntısının geçerli olduğu bulunmuştur. Optik ölçmelerden SnS ve SnSe bileşiklerinin hayli anizotro- pik olduğu anlaşılmıştır.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT OPTICAL PROPERTIES OF SnS and SnSe GÖNÜL (ARPA) Beşire M.S. in Engineering of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. İ.Engin TÜRE February 1991, 46 pages The optical transmission in the layered semiconductors of SnS and SnSe has been studied in the wavelength range of 200-1100 nm for the polarised light of £||a and E lib, where a and b are the crystallographic axes within the cleavage plane. Indirect bandgaps of 1.24 and 1.17 eV for SnS and 0.74 and 0.8 eV for SnSe have been found for the two directions of the polarisations Ella and Glib respectively. In the layered compound of SnSe, two indirect transitions (E... and E±2) were ] Identified as* E^l.14 ± 0.01 eV and E±2 = 1.26±0;01 eV for £ lla polarisation and E±1 = 1.12 + 0.01 eV and E±2 = 1.22 ± 0.01 eV for 6 lib polarisation. It was found that the phonon assisted transitions in SnS required the participation of two phonons with energies of 0.03 eV and 0.075 eV for Ella polarisation and 0.05 eV and 0.15 for £|fb polarisation. The K < K, relation was found to be valid in SnSe whereas K > K, a b a b relation in SnS for the whole range of energies of incident light. The compounds of SnS and SnSe were found to be strongly anisotropic from the optical measurements of these compounds.

Benzer Tezler

  1. SnS, SnSe ve GeS bileşiklerinin basınç altında elektrik ve lineer optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and linear optical properties under pressure SnS, SnSe and GeS compounds

    İSMAİL OĞUZHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÇABUK

  2. Yarıiletken IV-VI tabakalı bileşiklerden SNS ve SNSE'de optik band kenarı ölçümleri

    Optical band edge measurements on semiconducting IV-VI layered compounds, SNS and SNSE

    HALUK ŞAFAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    MUSTAFA MERDAN

  3. Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu

    Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects

    MEHMET ERDEM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. Characterization of Cu-Zn-Sn-Se (CZTSe) thin films deposited by one-step thermal evaporation

    Tek aşamalı ısısal buharlaştırma yöntemiyle kaplanmış Cu-Zn-Sn-Se (CZTSe) ince filmlerin karakterizasyonu

    MELİKE ŞENSOY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

  5. Characterization of Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films with Cu- and Zn-poor composition deposited by one-step thermal evaporation

    Tek adımlı termal buharlaştırma yöntemiyle biriktirilen Cu- ve Zn-fakir bileşimli Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) ince filmlerin karakterizasyonu

    ZEKİ ALİHAN BAYRI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2026

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN KARAAĞAÇ