SnS, SnSe ve GeS bileşiklerinin basınç altında elektrik ve lineer optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and linear optical properties under pressure SnS, SnSe and GeS compounds
- Tez No: 473004
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÇABUK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 116
Özet
Bu tezde, değiş tokuş-korelasyon etkileri için yerel yoğunluk yaklaşımlı (LDA) yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) kullanarak SnS, SnSe ve GeS bileşiklerinin ortorombik fazda örgü parametreleri, atomik konumları, elektronik band yapısı, durum yoğunluğu (DOS) ve optik özellikleri basınç altında incelendi. Bu bileşiklerin kuazi-parçacık bant yapısı değiş tokuş-korelasyonun öz uyumu için G0W0 yaklaşımıyla hesaplandı. Bant yapısı ortam basıncında Brillouin bölgesindeki (Γ-Z→Γ-Y) noktasında 0,644 eV (SnS), (Γ-Y→ Γ-Y) noktasında 0,503 eV (SnSe) ve (Γ-Z→ Γ) noktasında 1,027 eV (GeS) dolaylı bir bant aralığı göstermektedir. Aynı zamanda, G0W0 + serbest parçacık yaklaşımını (IPA) kullanarak basınç altında 0-30 eV aralığında enerjinin bir fonksiyonu olarak dielektrik fonksiyonunun reel ve sanal kısımları belirlendi. Soğurma katsayısı, enerji kayıp fonksiyonu, kırılma indisi, yansıma ve sönüm katsayısı gibi bazı optik sabitler dielektrik fonksiyonunun reel ve sanal kısmından hesaplandı. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik değerlerle karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the lattice parameters, atomic positions, electronic energy band structure, density of states (DOS) and optical properties of SnS, SnSe ve GeS compounds in the orthorhombic phase were investigated by using density functional theory (DFT) within the local density approximation (LDA) for exchange-correlation under pressure. The quasipartice band structures for these compounds are computed with G0W0 approximation for the exchange-correlation self-energy. The band structure shows an indirect band gap 0.644 eV (SnS) at (Γ-Z→Γ-Y) point, 0.503 eV (SnSe) at (Γ-Y→ Γ-Y) point, and 1,027 eV (GeS) at (Γ-Z→ Γ) point in the Brillouin zone at ambient pressure. We have also determined the real and imaginary part of the dielectric function as a function of the energy in the range 0-30 eV using G0W0 + Independent Particle Approximation (IPA) under pressure. Some optical constants such as the absorption coefficient, energy-loss function, refractive index, reflectivity, and extinction coefficient were computed from the real and imaginary part of the dielectric function. The obtained results were compared with the available experimental and theoretical values.
Benzer Tezler
- Yarıiletken IV-VI tabakalı bileşiklerden SNS ve SNSE'de optik band kenarı ölçümleri
Optical band edge measurements on semiconducting IV-VI layered compounds, SNS and SNSE
HALUK ŞAFAK
- Optical properties of SnS and SnSe
SnS ve SnSe?nin optik özellikleri
BEŞİRE GÖNÜL ARPA
Yüksek Lisans
İngilizce
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Bölümü
DOÇ.DR. İ. ENGİN TÜRE
- Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu
Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects
MEHMET ERDEM
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- SnS ince filmlerinin kimyasal depolama yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of the SnS thin films by chemical bath deposition
ŞAFAK HAZAL TEMİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Bilim ve TeknolojiMersin ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
- SnS tabanlı heteroeklem yapıların hazırlanması, güneş hücresi ve fotosensör özelliklerinin incelenmesi
Preparation of SnS based heterojunction structures, investigation of solar cell and photosensor properties
HAMİT ÖZTÜRK
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERHAT ASLAN